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1.发明专利
公开(公告)号：DE102017215381B4
公开(公告)日：2022-10-20
申请号：DE102017215381
申请日：2017-09-01
Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Inventor： DEHE ALFONS , METZGER-BRUECKL GERHARD , STRASSER JOHANN , WAGNER JUERGEN , WALTHER ARNAUD
Abstract: Herstellungsverfahren (100) für ein Doppelmembran-MEMS-Bauelement (200), mit folgenden Schritten:Bereitstellen (120) einer Schichtanordnung (220) auf einem Trägersubstrat (222), wobei die Schichtanordnung (220) eine erste Membranstruktur (224), eine Opfermaterialschicht (226) angrenzend an die erste Membranstruktur (224) und eine Gegenelektrodenstruktur (228) in der Opfermaterialschicht (226) und beabstandet von der ersten Membranstruktur (224) aufweist, wobei in der Opfermaterialschicht (226) zumindest eine Durchgangsöffnung (230-1, ..., 230-n) bis zu der ersten Membranstruktur (224) und getrennt von der Gegenelektrodenstruktur (228) gebildet ist,Bilden (140) einer Füllmaterialstruktur (240) in der Durchgangsöffnung (230-n)durch Aufbringen einer ersten Füllmaterialschicht (242) an dem Wandbereich (230-A) der Durchgangsöffnung (230-n), um eine als Wandbereich der Füllmaterialstruktur (240) ausgebildete Füllmaterialschicht (242) zu erhalten, die einen Innenvolumenbereich (244) in der Füllmaterialstruktur (240) bildet, unddurch Einbringen eines zweiten Füllmaterials (246) in den Innenvolumenbereich (244), um die Füllmaterialstruktur (240) zu erhalten, wobei das zweite Füllmaterial (246) unterschiedlich zu dem ersten Füllmaterial ist,strukturiertes Aufbringen (160) einer zweiten Membranstruktur (250) auf der Schichtanordnung (220) mit dem Opfermaterial (226) und der Füllmaterialstruktur (240), um den Innenvolumenbereich (244) hermetisch abzuschließen, wobei die Gegenelektrodenstruktur (228) in einem mit dem Opfermaterial (226) gefüllten Zwischenbereich (238) zwischen der ersten und zweiten Membranstruktur (224, 250) und jeweils von denselben beabstandet angeordnet ist, undEntfernen (180) des Opfermaterials (226) aus dem Zwischenbereich (238), um die Füllmaterialstruktur (240) in dem Zwischenbereich (238) freizulegen, um zumindest ein mechanisches Verbindungselement (240) zwischen der ersten und zweiten Membranstruktur (224, 250) zu erhalten, das zwischen die erste und zweite Membranstruktur (224, 250) mechanisch gekoppelt und von der Gegenelektrodenstruktur (228) mechanisch entkoppelt ist.
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公开(公告)号：DE102017103195B4
公开(公告)日：2021-04-08
申请号：DE102017103195
申请日：2017-02-16
Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Inventor： WALTHER ARNAUD , AHRENS CARSTEN , DEHE ALFONS , METZGER-BRUECKL GERHARD , STRASSER JOHANN
Abstract: Mikroelektromechanisches Mikrofon (100, 600, 700), aufweisend:eine Referenzelektrode (102),eine auf einer ersten Seite der Referenzelektrode (102) angeordnete und durch zu detektierenden Schall verlagerbare erste Membran (104, 604, 704) undeine auf einer der ersten Seite der Referenzelektrode (102) gegenüberliegenden zweiten Seite der Referenzelektrode (102) angeordnete und durch zu detektierenden Schall verlagerbare zweite Membran (106),wobei ein durch Schall relativ zur Referenzelektrode (102) verlagerbarer Bereich lediglich einer einzigen von der ersten (104, 604, 704) und der zweiten (106) Membran einen gewellten Abschnitt aufweist und ein durch Schall relativ zur Referenzelektrode (102) verlagerbarer Bereich der anderen von der ersten (104, 604, 704) und der zweiten (106) Membran im Wesentlichen vollständig flächig ausgebildet ist,wobei die Membran, in der der vollständig flächige Bereich ausgebildet ist, eine geringere intrinsische Spannung als die andere Membran aufweist.
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公开(公告)号：DE102017121705B3
公开(公告)日：2018-12-20
申请号：DE102017121705
申请日：2017-09-19
Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Inventor： DEHE ALFONS , KRUMBEIN ULRICH , METZGER-BRUECKL GERHARD , STRASSER JOHANN , WAGNER JÜRGEN , WALTHER ARNAUD
Abstract: Ein MEMS-Mikrofon kann aufweisen: eine Schalldetektionseinheit, welche aufweisen kann: eine erste Membran, eine von der ersten Membran beabstandet angeordnete zweite Membran, einen zwischen der ersten Membran und der zweiten Membran bereitgestellten Niederdruckbereich, in welchem ein gegenüber Normaldruck verringerter Gasdruck vorliegt, eine wenigstens abschnittsweise in dem Niederdruckbereich angeordnete Gegenelektrode und ein Schalldurchgangsloch, welches sich in einer Dickenrichtung der Schalldetektionseinheit durch die Schalldetektionseinheit hindurch erstreckt, und ein an dem Schalldurchgangsloch bereitgestelltes Ventil, welches dazu eingerichtet ist, mehrere Ventilzustände einzunehmen, wobei jedem Ventilzustand ein vorgegebener Transmissionsgrad des Schalldurchgangslochs für Schall zugeordnet ist.
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公开(公告)号：DE102017118857B3
公开(公告)日：2018-10-25
申请号：DE102017118857
申请日：2017-08-18
Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Inventor： DEHE ALFONS , METZGER-BRUECKL GERHARD , STRASSER JOHANN , WALTHER ARNAUD , WIESBAUER ANDREAS
Abstract: Ein mikroelektromechanisches Mikrofon kann einen Halter und eine an dem Halter getragene Schalldetektionseinheit aufweisen. Die Schalldetektionseinheit kann aufweisen: eine flächige erste Membran, eine von der ersten Membran beabstandet angeordnete flächige zweite Membran, wobei wenigstens eine von der ersten und der zweiten Membran wenigstens teilweise aus einem elektrisch leitfähigen Material gebildet ist, eine zwischen der ersten Membran und der zweiten Membran gebildete Niederdruckkammer, in welcher ein gegenüber Normaldruck verringerter Gasdruck vorliegt, eine wenigstens abschnittsweise in der Niederdruckkammer angeordnete Referenzelektrode, welche wenigstens abschnittsweise aus einem elektrisch leitfähigen Material gebildet ist, wobei die erste und die zweite Membran relativ zu der Referenzelektrode durch zu detektierende Schallwellen verlagerbar sind, wobei die Referenzelektrode einen flächigen Basisabschnitt sowie eine an dem Basisabschnitt bereitgestellte Versteifungsstruktur aufweist, welche auf einer zu der ersten Membran weisenden Seite des Basisabschnitts oder/und auf einer zu der zweiten Membran weisenden Seite des Basisabschnitts bereitgestellt ist.
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公开(公告)号：DE102017204023A1
公开(公告)日：2017-09-14
申请号：DE102017204023
申请日：2017-03-10
Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Inventor： WALTHER ARNAUD , DEHE ALFONS , STRASSER JOHANN , METZGER-BRUECKL GERHARD
Abstract: Gemäß einer Ausführungsform enthält eine MEMS-Vorrichtung ein erstes Membranelement, ein zweites Membranelement, das von dem ersten Membranelement beabstandet ist, einen Niederdruckbereich zwischen dem ersten und dem zweiten Membranelement, wobei der Niederdruckbereich einen Druck aufweist, der geringer als ein Umgebungsdruck ist, und eine Gegenelektrodenstruktur, die eine leitfähige Schicht umfasst, die wenigstens teilweise in dem Niederdruckbereich angeordnet ist oder sich in den Niederdruckbereich erstreckt. Die leitfähige Schicht enthält eine Segmentierung, die eine elektrische Isolation zwischen einem ersten Abschnitt der leitfähigen Schicht und einem zweiten Abschnitt der leitfähigen Schicht bereitstellt.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：DE102014102242A1
公开(公告)日：2014-08-28
申请号：DE102014102242
申请日：2014-02-21
Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Inventor： FAISS SIMON , FRANK MANFRED , KRUG MAXIMILIAN , KUNSTMANN THOMAS , MÜLLER MATTHIAS , ROBL WERNER , STRASSER JOHANN
IPC: H01L21/283 , C23C28/00
Abstract: Verschiedene Verfahren und Vorrichtungen betreffen poröse Metallschichten auf einem Substrat, die dreidimensional beschichtet sind. In einer Ausführungsform wird eine poröse Metallschicht über einem Substrat abgeschieden. Die poröse Metallschicht kann mit einem Beschichtungsmaterial dreidimensional beschichtet sein.
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公开(公告)号：DE102017216835B4
公开(公告)日：2022-01-27
申请号：DE102017216835
申请日：2017-09-22
Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Inventor： WALTHER ARNAUD , DEHE ALFONS , STRASSER JOHANN , METZGER-BRUECKL GERHARD
Abstract: Herstellungsverfahren (100) für ein MEMS-Bauelement (200) mit folgenden Schritten:Bereitstellen einer Schichtanordnung (220) auf einem Halbleitersubstrat (222), wobei die Schichtanordnung (220) eine erste und zweite, leitfähige Schichtstruktur (224, 226) aufweist, wobei ein Opfermaterial (232) in einem Zwischenbereich (230) zwischen der ersten und zweiten, leitfähigen Schichtstruktur (224, 226) angeordnet ist, wobei eine sich zwischen der ersten und zweiten, leitfähigen Schichtstruktur (224, 226) erstreckende Ätzstoppstruktur (240) den Zwischenbereich (230) in einen Freilegungsbereich (230-1) und einen lateral daran angrenzenden Randbereich (230-2) unterteilt, wobei die Ätzstoppstruktur (240) ein Halbleitermaterial der ersten oder zweiten, leitfähigen Schichtstruktur (224, 226) oder, falls eine ätzmittelresistente Isolationsschicht (225-1, 225-2) an der ersten oder zweiten Schichtstruktur (224, 226) angeordnet ist, ein Material der Isolationsschicht (225-1, 225-2) aufweist, und wobei zumindest eine der leitfähigen Schichtstrukturen (224, 226) Zugangsöffnungen (242) zu dem Freilegungsbereich (230-1) aufweist, undEntfernen des Opfermaterials (232) aus dem Freilegungsbereich (230-1) durch die Zugangsöffnungen (242) mittels eines Ätzvorgangs, um den Freilegungsbereich (230-1) freizulegen, wobei die Ätzstoppstruktur (240) als laterale Begrenzung für den Ätzvorgang wirksam ist, und wobei das in dem Randbereich (230-2) vorhandene Opfermaterial (232) zur mechanischen Verbindung zwischen der ersten und zweiten, leitfähigen Schichtstruktur (224, 226) wirksam ist.
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公开(公告)号：DE102017216835A1
公开(公告)日：2019-03-28
申请号：DE102017216835
申请日：2017-09-22
Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Inventor： WALTHER ARNAUD , DEHE ALFONS , STRASSER JOHANN , METZGER-BRUECKL GERHARD
Abstract: Ein Herstellungsverfahren 100 für ein MEMS-Bauelement 200 umfasst folgende Schritte: Bereitstellen einer Schichtanordnung 220 auf einem Trägersubstrat 222, wobei die Schichtanordnung 220 eine erste und zweite Schichtstruktur 224, 226 aufweist, wobei ein Opfermaterial 232 in einem Zwischenbereich 230 zwischen der ersten und zweiten Schichtstruktur 224, 226 angeordnet ist, wobei eine sich zwischen der ersten und zweiten Schichtstruktur 224, 226 erstreckende Ätzstoppstruktur 240 den Zwischenbereich 230 in einen Freilegungsbereich 230-1 und einen lateral daran angrenzenden Wandbereich 230-2 unterteilt, und wobei zumindest eine der Schichtstrukturen 224, 226 Zugangsöffnungen 242 zu dem Freilegungsbereich 230-1 aufweist, und Entfernen des Opfermaterials 232 aus dem Freilegungsbereich 230-1 durch die Zugangsöffnungen 242 mittels eines Ätzvorgangs, um den Freilegungsbereich 230-1 freizulegen, wobei die Ätzstoppstruktur 240 als laterale Begrenzung für den Ätzvorgang wirksam ist, und wobei das in dem Randbereich 230-2 vorhandene Opfermaterial 232 zur mechanischen Verbindung zwischen der ersten und zweiten Schichtstruktur 224, 226 wirksam ist.
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9.发明专利
公开(公告)号：DE102017215381A1
公开(公告)日：2019-03-07
申请号：DE102017215381
申请日：2017-09-01
Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Inventor： DEHE ALFONS , METZGER-BRUECKL GERHARD , STRASSER JOHANN , WAGNER JUERGEN , WALTHER ARNAUD
Abstract: Herstellungsverfahren (100) für ein Doppelmembran-MEMS-Bauelement (200), mit folgenden Schritten: Bereitstellen (120) einer Schichtanordnung auf einem Trägersubstrat (222), wobei die Schichtanordnung (220) eine erste Membranstruktur (224), eine Opfermaterialschicht (226) angrenzend an die erste Membranstruktur (224) und eine Gegenelektrodenstruktur (228) in der Opfermaterialschicht (226) und beabstandet von der ersten Membranstruktur (224) aufweist, wobei in der Opfermaterialschicht (226) zumindest eine Durchgangsöffnung (230-n) bis zu der ersten Membranstruktur (224) und getrennt von der Gegenelektrodenstruktur (228) gebildet ist, Bilden (140) einer Füllmaterialstruktur (240) in der Durchgangsöffnung (230-n) durch Aufbringen einer ersten Füllmaterialschicht (242) an dem Wandbereich (230-A) der Durchgangsöffnung (230-n), um einen Innenvolumenbereich (244) in der Durchgangsöffnung (230-n) angrenzend an die erste Füllmaterialschicht zu erhalten, strukturiertes Aufbringen (160) einer zweiten Membranstruktur (250) auf der Schichtanordnung (220) mit dem Opfermaterial (226) und der Füllmaterialstruktur (240), um den Innenvolumenbereich (244) hermetisch abzuschließen, wobei die Gegenelektrodenstruktur (228) in einem mit dem Opfermaterial (226) gefüllten Zwischenbereich (238) zwischen der ersten und zweiten Membranstruktur (224, 250) und jeweils von denselben beabstandet angeordnet ist, und Entfernen (180) des Opfermaterials (226) aus dem Zwischenbereich (238), um die Füllmaterialstruktur (240) in dem Zwischenbereich (238) freizulegen, um zumindest ein mechanisches Verbindungselement (240) zwischen der ersten und zweiten Membranstruktur (224, 250) zu erhalten, das zwischen die erste und zweite Membranstruktur (224, 250) mechanisch gekoppelt und von der Gegenelektrodenstruktur (228) mechanisch entkoppelt ist.
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公开(公告)号：DE102018213465A1
公开(公告)日：2019-02-14
申请号：DE102018213465
申请日：2018-08-10
Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Inventor： HEITZER LUDWIG , DEBIE DEREK , ELIAN KLAUS , GHAHREMANI CYRUS , LODERMEYER JOHANNES , NEUHOFF OSKAR , STRASSER JOHANN
Abstract: Eine Mikroelektromechaniksystem(MEMS)-Package-Anordnung und ein Verfahren zum Herstellen derselben sind bereitgestellt. Die MEMS-Package-Anordnung umfasst ein Substrat, ein Gehäuse, das mit dem Substrat dahingehend gekoppelt ist, einen Hohlraum zu bilden, wobei das Gehäuse eine transparente Platte umfasst, die über und parallel zu dem Substrat angeordnet ist und dazu ausgebildet ist, eine Übertragung von Licht dort hindurch zu ermöglichen, und einen MEMS-Chip, der in dem Hohlraum angeordnet ist und eine erste Hauptoberfläche, die sich in der Nähe der transparenten Platte befindet, und eine zweite Hauptoberfläche aufweist, die der ersten Hauptoberfläche gegenüberliegt und mit dem Substrat gekoppelt ist. Der MEMS-Chip ist derart ausgerichtet, dass die erste Hauptoberfläche mit einem Neigungswinkel in Bezug auf die transparente Platte geneigt ist.
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