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    HEAT EXCHANGE DEVICE FOR A SEMICONDUCTOR COMPONENT AND METHOD FOR PRODUCING SAID HEAT EXCHANGE DEVICE
    1.
    发明申请
    HEAT EXCHANGE DEVICE FOR A SEMICONDUCTOR COMPONENT AND METHOD FOR PRODUCING SAID HEAT EXCHANGE DEVICE 审中-公开
    热交换装置用于生产半导体元件和方法

    公开(公告)号：WO2006058860A3

    公开(公告)日：2006-08-17

    申请号：PCT/EP2005056187

    申请日：2005-11-24

    Applicant: SIEMENS AG ,  INFINEON TECHNOLOGIES AG ,  BAUDELOT ERIC ,  LICHT THOMAS ,  SELIGER NORBERT ,  WEIDNER KARL

    Inventor： BAUDELOT ERIC ,  LICHT THOMAS ,  SELIGER NORBERT ,  WEIDNER KARL

    IPC: H01L23/473 ,  H01L23/482 ,  H01L23/538

    CPC classification number: H01L23/482 ,  H01L23/3735 ,  H01L23/473 ,  H01L23/5389 ,  H01L24/24 ,  H01L24/82 ,  H01L2224/24051 ,  H01L2224/24226 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01058 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/09701 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/00

    Abstract: The invention relates to a heat exchange device and to a method for producing said heat exchange device. The invention also relates to an arrangement of a structural component and the heat exchange device and to a method for producing said arrangement. The heat exchange device comprises at least one laminated composite comprising a layer and at least one additional layer, a fluid channel for guiding a temperature-adjusting fluid being arranged between the layer and the additional layer in such a manner that the fluid channel is delimited by the two layers and at least one of the layer comprises a plastic film. The method for producing the heat exchange device comprises the following steps: a) providing a layer having a trench, and b) laminating a plastic film onto said layer having the trench in such a manner that the fluid channel is formed. The inventive arrangement is characterized in that the heat exchange device and the structural component are positioned in relation to each other in such a manner that heat can be exchanged by heat conduction between the structural component and at least one of the layers of the laminated composite of the heat exchange device. The method for producing the heat exchange device comprises the following steps: a') providing a structural component on a substrate, and b') applying the heat exchange device in such a manner that heat conduction between the structural component and at least one of the layers of the laminated composite can take place. The heat exchange device is used for cooling a semiconductor module.

    Abstract translation: 本发明涉及一种热交换装置和用于制造所述热交换装置的方法。 此外，提供了用于生产的组件和组件的布置的热交换装置和方法。 热交换装置具有带层和至少一个另外的层，其特征在于，流体通道布置成用于使温度调节流体的层和另外的层之间的所述至少一个复合层，该流体通道是由两个层界定，并且这些层中的至少一个是具有塑料膜 ， 用于生产提供了下列方法步骤的热交换装置：a）提供具有沟槽的层，和b）用，使得流体通道形成在沟槽中的层上层叠塑料薄膜。 在热交换装置和所述装置的结构被布置成彼此成使得热交换可以通过在部件和热交换装置的层复合材料的层中的至少一个之间的热传导发生。 为了制造以下的处理步骤被执行的组件组成：a“）在基板上设置的部件，以及b”）沉积的热交换装置，使得可以存在的部件之间的热管的层复合材料的层中的至少一个。 的热交换装置被用于冷却功率半导体模块。

    2.
    发明专利
    未知

    公开(公告)号：DE102007032636A1

    公开(公告)日：2008-01-17

    申请号：DE102007032636

    申请日：2007-07-11

    Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

    Inventor： EWE HENRIK ,  WEIDNER KARL

    IPC: H01L21/56 ,  H01L21/52 ,  H01L21/60

    Abstract: A method for producing a dielectric layer extending between two or more elements of an electronic component includes arranging a free-standing dielectric layer above the elements and a deformable support layer below the elements. The free-standing dielectric layer is laminated onto at least a portion of the first surface of the first element and onto at least a portion of the first surface of the second element such that a portion of the dielectric layer extends between the first surface of the first element and the first surface of the second element.

    4.
    发明专利
    未知

    公开(公告)号：DE10314172B4

    公开(公告)日：2006-11-30

    申请号：DE10314172

    申请日：2003-03-28

    Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG ,  SIEMENS AG

    Inventor： AUERBACH FRANZ ,  GUTSMANN BERND ,  LICHT THOMAS ,  SELIGER NORBERT ,  WEIDNER KARL ,  ZAPF JOERG

    IPC: H01L23/485 ,  H01L21/60 ,  H01L23/12 ,  H01L23/498 ,  H01L23/538 ,  H01L23/552 ,  H01L23/66

    Abstract: In an arrangement having at least one substrate, at least one electrical component is disposed on a surface section of the substrate and is provided with an electrical contact area, and at least one electrical contact lug has an electrical connecting area electrically contacting the contact area of the component. The connecting area of the contact lug and the contact area of the component are interconnected so that at least one zone of the contact lug protrudes beyond the area of the component. The contact lug is provided with at least one electrically conducting film while the electrically conducting film is provided with the electrical connecting area of the contact lug. The arrangement is particularly useful for large-area, low-inductive contacting of power semiconductor chips, as it allows for high current density.

    Verfahren zur Herstellung einer dielektrischen Schicht für ein elektronisches Bauelement
    5.
    发明专利
    Verfahren zur Herstellung einer dielektrischen Schicht für ein elektronisches Bauelement 未知

    公开(公告)号：DE102007032636B4

    公开(公告)日：2013-10-31

    申请号：DE102007032636

    申请日：2007-07-11

    Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

    Inventor： EWE HENRIK ,  WEIDNER KARL

    IPC: H01L21/56 ,  H01L21/52 ,  H01L21/60 ,  H01L23/485

    Abstract: Verfahren zur Herstellung einer dielektrischen Schicht, die sich zwischen zwei oder mehr Elementen eines elektronischen Bauelements erstreckt, wobei das Verfahren nachfolgendes umfasst: – Bereitstellen eines ersten Elements eines elektronischen Bauelements, wobei das erste Element eine erste Oberfläche umfasst, die eine erste elektrisch leitfähige Oberfläche umfasst, und eine zweite Oberfläche umfasst, die der ersten Oberfläche gegenüber liegt; – Bereitstellen eines zweiten Elements eines elektronischen Bauelements, wobei das zweite Element eine erste Oberfläche umfasst, die eine zweite elektrisch leitfähige Oberfläche umfasst, und eine zweite Oberfläche umfasst, die der ersten Oberfläche gegenüber liegt, wobei das zweite Element mittels einer Aussparung getrennt ist von und in einem Abstand beabstandet ist von dem ersten Element und wobei die zweite elektrisch leitfähige Oberfläche beabstandet zu der ersten elektrisch leitfähigen Oberfläche angeordnet ist; – Bereitstellen einer frei stehenden dielektrischen Schicht, die eine laterale Ausdehnung aufweist, die in mindestens einer Richtung größer ist als die Entfernung zwischen dem ersten Element und dem zweiten Element; – Anordnen einer deformierbaren ersten Stützschicht unterhalb der zweiten Oberfläche des ersten Elements und unterhalb der zweiten Oberfläche des zweiten Elements; – Anordnen der frei stehenden dielektrischen Schicht über der ersten Oberfläche des ersten Elements und über der ersten Oberfläche des zweiten Elements; – Laminieren der frei stehenden dielektrischen Schicht auf mindestens einen Teilbereich der ersten Oberfläche des ersten Elements und auf mindestens einen Teilbereich der ersten Oberfläche des zweiten Elements auf solch eine Weise, dass sich ein Teilbereich der dielektrischen Schicht zwischen der ersten Oberfläche des ersten Elements und der ersten Oberfläche des zweiten Elements erstreckt und auf solch eine Weise, dass eine Region der deformierbaren ersten Stützschicht in die Aussparung zwischen dem ersten Element und dem zweiten Element gepresst wird, und die deformierbare erste Stützschicht in die Aussparung zwischen dem ersten Element und dem zweiten Element gepresst wird und Kontakt mit einer unteren Oberfläche des Teilbereichs der frei stehenden dielektrischen Schicht herstellt, die sich zwischen dem ersten Element und dem zweiten Element erstreckt; ...

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