公开(公告)号：DE102014114670A1

公开(公告)日：2015-04-09

申请号：DE102014114670

申请日：2014-10-09

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： BACHER ERWIN ,  HOLZMÜLLER JÜRGEN ,  SCHULZE HANS-JOACHIM ,  SCHWEINBOECK THOMAS ,  WITTBORN JESPER ,  ZUNDEL MARKUS

IPC: H01L23/544 ,  H01L21/266 ,  H01L27/28 ,  H01L29/06

Abstract: Eine Halbleitervorrichtung umfasst ein Halbleitersubstrat. Das Halbleitersubstrat umfasst eine Vielzahl von ersten Dotierregionen einer ersten Dotierstruktur, die an einer Hauptoberfläche des Halbleitersubstrats angeordnet ist und eine Vielzahl von zweiten Dotierregionen der ersten Dotierstruktur, die an der Hauptoberfläche des Halbleitersubstrats angeordnet ist. Die ersten Dotierregionen der Vielzahl von ersten Dotierregionen der ersten Dotierstruktur umfassen Dotierstoffe eines ersten Leitfähigkeitstyps mit unterschiedlichen Dotierkonzentrationen. Ferner umfassen die zweiten Dotierregionen der Vielzahl von zweiten Dotierregionen der ersten Dotierstruktur Dotierstoffe eines zweiten Leitfähigkeitstyps mit unterschiedlichen Dotierkonzentrationen. Zumindest eine Dotierregion der Vielzahl von ersten Dotierregionen der ersten Dotierstruktur überlagert teilweise zumindest eine zweite Dotierregion der Vielzahl von zweiten Dotierregionen der ersten Dotierstruktur, was zu einer Überlagerungsregion, die an der Hauptoberfläche angeordnet ist, führt.