公开(公告)号：DE112006003861B4

公开(公告)日：2015-09-17

申请号：DE112006003861

申请日：2006-05-10

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： RIEDL EDMUND ,  JORDAN STEFFEN DR ,  SCHILZ CHRISTOF MATTHIAS DR ,  WONG FEE HOON

IPC: C25D7/12 ,  H01L23/31

Abstract: Eine Halbleiterbaugruppe (24; 26) weist ein Halbleitebauelement (1) mit einem Schaltungsträger (2; 27), einem Halbleiterchip (3) und einer Vielzahl von elektrischen Verbindungen (4) auf. Eine Haftkraftverstärkungsschicht (22) wird zumindest an Bereichen des Halbleiterbauelements (1) abgeschieden und Kunststoff-Vergussmaterial (25) verkapselt zumindest den Halbleiterchip (3), die Vielzahl der elektrischen Verbindungen (4) und die Vielzahl der inneren Kontaktpads (9). Oberflächenbereiche (17) des Halbleiterbauelements (1) werden selektiv aktiviert.

公开(公告)号：DE112006003861T5

公开(公告)日：2009-04-02

申请号：DE112006003861

申请日：2006-05-10

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： RIEDL EDMUND ,  JORDAN STEFAN ,  SCHILZ CHRISTOF MATTHIAS ,  WONG FEE HOON

IPC: C25D7/12 ,  H01L23/31

Abstract: A semiconductor package includes a semiconductor component including a circuit carrier with a plurality of inner contact pads, a semiconductor chip, and a plurality of electrical connections. An adhesion promotion layer is disposed on at least areas of the semiconductor component and a plastic encapsulation material encapsulates at least the semiconductor chip, the plurality of electrical connections and the plurality of the inner contact pads. Surface regions of the semiconductor component are selectively activated.