公开(公告)号：WO2004088725A2

公开(公告)日：2004-10-14

申请号：PCT/DE2004000668

申请日：2004-03-31

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG ,  RIEDL EDMUND

Inventor： RIEDL EDMUND

IPC: B23K1/00 ,  B23K35/00 ,  B23K35/30 ,  H01L21/60 ,  H01L21/00

CPC classification number: H01L24/30 ,  B23K1/0016 ,  B23K35/001 ,  B23K35/30 ,  B23K2201/40 ,  H01L23/492 ,  H01L23/498 ,  H01L23/49833 ,  H01L24/33 ,  H01L24/83 ,  H01L2224/04026 ,  H01L2224/29105 ,  H01L2224/29109 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/29144 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/32507 ,  H01L2224/33181 ,  H01L2224/83099 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2224/8381 ,  H01L2224/83825 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/0101 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01039 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01052 ,  H01L2924/01057 ,  H01L2924/01068 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/0132 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/351 ,  Y10T428/12528 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/00

Abstract: The invention relates to a method for the multi-stage production of diffusion soldered connections (16, 17), for power components comprising semiconductor chips, whereby the fusion temperatures of the diffusion solder alloys (14, 15) and diffusion solder connections (16, 17) are staggered such that a first fusion temperature of the first diffusion solder alloy (14) is lower than a second fusion temperature for the second diffusion solder alloy (15) and the second fusion temperature is lower than a third fusion temperature for a first diffusion solder connection (16) for the first diffusion solder alloy (14).

Abstract translation: 本发明涉及一种用于多级制造Diffusionslötverbindungen（16，17），用于与半导体芯片的功率器件的方法，其特征在于，Diffusionslöt合金（14，15）和Diffusionslötverbindungen（16，17）的熔化温度是交错的，使得第一Diffusionslöt的第一熔化温度 合金（14）被设置为所述第二Diffusionslöt合金（15）低，并且其中所述第二熔化温度低于第一Diffusionslöt合金（14）的第一弥散（16）的第三熔融温度低的第二熔化温度。

公开(公告)号：DE102021104671A1

公开(公告)日：2022-09-01

申请号：DE102021104671

申请日：2021-02-26

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： SCHWAB STEFAN ,  RIEDL EDMUND

IPC: H01L23/29

Abstract: Füllstoffpartikel (104) für einen Verbundwerkstoff (100), wobei der Füllstoffpartikel (104) einen Kern (106) und eine Hülle (118) umfasst, die den Kern (106) zumindest teilweise bedeckt und einen morphologischen Haftvermittler (108) aufweist.

公开(公告)号：DE102019101061B4

公开(公告)日：2022-02-17

申请号：DE102019101061

申请日：2019-01-16

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： GATTERBAUER JOHANN ,  LEHNERT WOLFGANG ,  MAIS NORBERT ,  MUHR VERENA ,  RIEDL EDMUND ,  SAX HARRY

IPC: C23C22/00 ,  C23C16/50

Abstract: Verfahren zum Ausbilden einer Kontaktstruktur, wobei das Verfahren umfasst:Bilden von nukleophilen Gruppen, die an einer Metalloberfläche befestigt sind (910);Ausbilden einer organischen Schicht, die kovalent an die nukleophilen Gruppen gebunden ist,wobei die organische Schicht mindestens ein organisches Material umfasst, das ausgewählt ist aus der Gruppe bestehend aus:N-(2-Aminoethyl)-3-aminopropyltrimethoxysilan;(3-Trimethoxysilylpropyl)diethylentriamin;Cycloamin-silan 2,2-Dimethoxy-1,6-diaza-2-silacyclooctan,Aminopropyltrimethoxysilan;(Aminoethylaminomethyl)-Phenethyltrimethoxysilan;Bis(triethoxysilylpropyl)amin;Bis(trimethoxysilylpropyl)amin;N,N'-Bis(3-(trimethoxysilyl)propyl)ethylendiamin;Bis(triethoxysilyl)ethan;3-Amino-5-mercapto-1,2,4-triazol;3-Mercaptopropyltrimethoxysilan und3-Mercaptopropyltriethoxysilan (920); undvor oder nach dem Bilden der nukleophilen Gruppen ein Ausbilden eines elektrischen Kontakts an der Metalloberfläche.

公开(公告)号：DE102005061248A1

公开(公告)日：2007-06-28

申请号：DE102005061248

申请日：2005-12-20

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： MAHLER JOACHIM ,  WOMBACHER RALF ,  LACHMANN DIETER ,  BETZ BERND ,  PAULUS STEFAN ,  RIEDL EDMUND

IPC: H01L23/16 ,  C09D5/25 ,  C23C16/453 ,  H01L23/08

Abstract: A semiconductor device includes semiconductor device components, an adhesion promoter structure and a plastic housing composition. The semiconductor device components are embedded in the plastic housing composition with the adhesion promoter structure being disposed between the device components and the housing composition. The adhesion promoter structure includes first and second adhesion promoter layers. The first layer includes metal oxides. The metal oxides being silicates of a reactive compound composed of oxygen and organometallic molecules. The second layer includes at least one polymer.

公开(公告)号：DE112006003861B4

公开(公告)日：2015-09-17

申请号：DE112006003861

申请日：2006-05-10

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： RIEDL EDMUND ,  JORDAN STEFFEN DR ,  SCHILZ CHRISTOF MATTHIAS DR ,  WONG FEE HOON

IPC: C25D7/12 ,  H01L23/31

Abstract: Eine Halbleiterbaugruppe (24; 26) weist ein Halbleitebauelement (1) mit einem Schaltungsträger (2; 27), einem Halbleiterchip (3) und einer Vielzahl von elektrischen Verbindungen (4) auf. Eine Haftkraftverstärkungsschicht (22) wird zumindest an Bereichen des Halbleiterbauelements (1) abgeschieden und Kunststoff-Vergussmaterial (25) verkapselt zumindest den Halbleiterchip (3), die Vielzahl der elektrischen Verbindungen (4) und die Vielzahl der inneren Kontaktpads (9). Oberflächenbereiche (17) des Halbleiterbauelements (1) werden selektiv aktiviert.

公开(公告)号：DE102004047510A1

公开(公告)日：2006-04-13

申请号：DE102004047510

申请日：2004-09-28

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： MAHLER JOACHIM ,  KESSLER ANGELA ,  RIEDL EDMUND

IPC: H01L23/18 ,  H01L21/50 ,  H01L23/12 ,  H01L23/488 ,  H01L23/50

Abstract: The invention relates to a semiconductor component with semiconductor component parts (3) that are potted in a plastic housing mass and in particular to the use of silicon and organometallic compounds for creating an adhesion promoter layer (5). Said adhesion promoter layer (5) on the surfaces (4) of the semiconductor component parts (3) of a semiconductor component has a microporous morphology (6) and an average thickness D of 5 nm = D = 300 nm. The adhesion promoter layer (5) comprises semiconductor and/or metal oxides of a reactive compound consisting of oxygen molecules and organometallic molecules.

公开(公告)号：DE10330192A1

公开(公告)日：2005-02-17

申请号：DE10330192

申请日：2003-07-03

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： RIEDL EDMUND ,  SCHOBER WOLFGANG

IPC: H01B1/00 ,  H01B1/02 ,  H01L23/28

公开(公告)号：DE10314876A1

公开(公告)日：2004-11-04

申请号：DE10314876

申请日：2003-04-01

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： RIEDL EDMUND

IPC: B23K1/00 ,  B23K35/00 ,  B23K35/30 ,  H01L21/60 ,  B23K35/24 ,  H01L21/58 ,  H01L23/488

Abstract: The invention relates to a process for the multi-stage production of diffusion-soldered joints for power components with semiconductor chips, the melting points of diffusion-soldering alloys and diffusion-soldered joints being staggered in such a manner that a first melting point of the first diffusion-soldering alloy is lower than a second melting point of the second diffusion-soldering alloy, and the second melting point being lower than a third melting point of a first diffusion-soldered joint of the first diffusion-soldering alloy.

公开(公告)号：DE10124047A1

公开(公告)日：2002-11-21

申请号：DE10124047

申请日：2001-05-16

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： WEBER MICHAEL ,  SEWALD RAINER ,  RIEDL EDMUND

IPC: H01L23/31 ,  H01L23/495 ,  H01L23/50

Abstract: Electronic component comprises a semiconductor chip (1) arranged a system support (2) and having contact surfaces (3). The inner flat conductor sections (5) of the system support have a metal alloy plating (10) on the contact connecting surfaces (4). An adhesion layer (11) is arranged on the remaining surfaces of the inner flat conductor sections and positioned between a housing (8) and the inner flat conductor sections. An Independent claim is also included for: a process for the production of a system support strip for electronic components; and a process for the production of an electronic component. Preferred Features: The surface of the metal alloy plating is accessible for connecting to connecting lines (6). The adhesion layer is a metal oxide layer, preferably containing 50-90 mol.% zinc and 10-50 mol.% chromium.

公开(公告)号：DE102019117534B4

公开(公告)日：2022-03-03

申请号：DE102019117534

申请日：2019-06-28

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： JORDAN STEFFEN ,  MIETHANER STEFAN ,  RIEDL EDMUND ,  SCHWAB STEFAN

IPC: H01L23/29 ,  B81B7/02 ,  H01L21/56

Abstract: Package (100), das Package (100) aufweisend:• eine elektronische Komponente (104);• ein anorganisches Verkapselungsmittel (106), welches mindestens einen Teil der elektronischen Komponente (104) einkapselt; und• einen Haftvermittler (150) zwischen dem mindestens einen Teil der elektronischen Komponente (104) und dem Verkapselungsmittel (106);• wobei der Haftvermittler (150) ein morphologischer Haftvermittler ist mit einer morphologischen Struktur, welche eine Haftung aufgrund ihrer Form fördert;• wobei der Haftvermittler eine Vielzahl von Öffnungen (160) aufweist; und• wobei das Verkapselungsmittel (106) eine verfestigte Lösung in den Öffnungen (160) aufweist.