公开(公告)号：WO2015199898A9

公开(公告)日：2016-09-22

申请号：PCT/US2015033143

申请日：2015-05-29

Applicant: INTEL CORP

Inventor： BASKARAN RAJASHREE

IPC: G06F3/01

CPC classification number: G06F3/016

Abstract: A device to output a haptic effect includes a haptic effect generator comprising one or more microdroplets of a fluid configured to output a haptic effect, and a substrate configured to control movement of the one or more microdroplets of fluid. The device further includes an actuator coupled to the haptic effect generator configured to exert one or more forces on the substrate to cause the one or more microdroplets of fluid to output the haptic effect.

Abstract translation: 用于输出触觉效果的装置包括触觉效果发生器，其包括被配置为输出触觉效果的流体的一个或多个微滴，以及被配置为控制流体的一个或多个微滴的运动的基板。 该装置还包括耦合到触觉效应发生器的致动器，其被配置为在衬底上施加一个或多个力，以使流体的一个或多个微滴输出触觉效果。

公开(公告)号：SG11201505768YA

公开(公告)日：2015-08-28

申请号：SG11201505768Y

申请日：2014-03-13

Applicant: INTEL CORP

Inventor： BASKARAN RAJASHREE

IPC: B81B7/02 ,  B81C1/00 ,  H01L23/12

Abstract: Methods of forming integrated MEMS structures are described. Those methods and structures may include forming at least one MEMS structure on a first substrate, forming a first bonding layer on a top surface of the first substrate, and then coupling the first bonding layer disposed on the first substrate to a second substrate, wherein the second substrate comprises a device layer. The bonding may comprise a layer transfer process, wherein an integrated MEMS device is formed.

公开(公告)号：WO2007050754A2

公开(公告)日：2007-05-03

申请号：PCT/US2006041779

申请日：2006-10-24

Applicant: INTEL CORP ,  BASKARAN RAJASHREE ,  RAMANATHAN SHRIRAM ,  MORROW PATRICK

Inventor： BASKARAN RAJASHREE ,  RAMANATHAN SHRIRAM ,  MORROW PATRICK

IPC: H01L23/367 ,  H01L21/768 ,  H01L23/48 ,  H01L25/065

CPC classification number: H01L21/76898 ,  H01L23/3677 ,  H01L23/3735 ,  H01L23/481 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05 ,  H01L2224/0557 ,  H01L2224/05571 ,  H01L2224/06181 ,  H01L2224/13 ,  H01L2224/13023 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/14181 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2924/00

Abstract: Some embodiments of the present invention include apparatuses and methods relating to stacked wafer or die packaging with enhanced thermal and device performance.

Abstract translation: 本发明的一些实施例包括与具有增强的热和器件性能的堆叠晶片或管芯封装相关的装置和方法。

公开(公告)号：DE112013006687T5

公开(公告)日：2015-10-29

申请号：DE112013006687

申请日：2013-03-28

Applicant: INTEL CORP

Inventor： BASKARAN RAJASHREE ,  MANIPATRUNI SASIKANTH ,  KIM RASEONG ,  DOKANIA RAJEEV K ,  YOUNG IAN A

IPC: B81B3/00 ,  H01L29/84 ,  H03B5/12 ,  H03B5/30

Abstract: Eine Ausführungsform umfasst einen Oszillator, der einen Verstärker, der auf einem Substrat ausgebildet ist; ein Resonanzkanalarray mit mehreren Gates umfasst, das auf dem Substrat ausgebildet ist, umfassend: (a) Transistoren, die Grate umfassen, wobei jeder der Grate einen Kanal zwischen dem Source- und Drain-Knoten aufweist, der mit gemeinsamen Source- und Drain-Kontakten gekoppelt ist; und (b) gemeinsame erste und zweite Tri-Gates, die mit jedem der Grate gekoppelt sind und zwischen den Source- und Drain-Kontakten positioniert sind; worin die Grate mechanisch bei einer ersten Frequenz mitschwingen, wenn das eine von dem ersten und zweiten Tri-Gate periodisch aktiviert wird, um periodische Abwärtskräfte auf den Graten zu erzeugen. Andere Ausführungsformen umfassen einen nicht planaren Transistor mit einem Kanal zwischen dem Source- und Drain-Knoten und einem Tri-Gate auf dem Grat; worin der Grat mechanisch mitschwingt, wenn das erste Tri-Gate periodisch aktiviert wird, um periodische Abwärtskräfte auf dem Grat zu erzeugen. Andere Ausführungsformen sind hierin beschrieben.

公开(公告)号：DE102007017733B4

公开(公告)日：2014-05-22

申请号：DE102007017733

申请日：2007-04-16

Applicant: INTEL CORP

Inventor： CHRYSLER GREGORY ,  BASKARAN RAJASHREE

IPC: H01L25/16 ,  H01L21/50 ,  H01L23/36 ,  H01L23/427 ,  H01L25/065

Abstract: Stapelchip-Packung, die aufweist: ein Substrat (210); einen ersten Chip (220) über dem Substrat (210); einen Spacer (230) über dem ersten Chip (220); einen zweiten Chip (240) über dem Spacer (230); und eine Formmasse (250), die um wenigstens einen Abschnitt des ersten Chips (220), des Spacers (230) und des zweiten Chips (240) angeordnet ist, wobei der Spacer (230) eine Wärmeübertragungsleitung (231) aufweist und der Spacer (230) ferner einen mittleren Abschnitt (232) und einen Umfang (233) aufweist; und die Wärmeübertragungsleitung (231) einen Kanal aufweist, der am Umfang (233) des Spacers (230) befestigt ist; wobei: ein Abschnitt des Spacers (230) eine Rolle am Umfang des Spacers (230) bildet; und die Rolle die Wärmeübertragungsleitung (231) ist.

公开(公告)号：EP3161588A4

公开(公告)日：2018-01-03

申请号：EP15812212

申请日：2015-05-29

Applicant: INTEL CORP

Inventor： BASKARAN RAJASHREE

IPC: G06F3/01

CPC classification number: G06F3/016

Abstract: A device to output a haptic effect includes a haptic effect generator comprising one or more microdroplets of a fluid configured to output a haptic effect, and a substrate configured to control movement of the one or more microdroplets of fluid. The device further includes an actuator coupled to the haptic effect generator configured to exert one or more forces on the substrate to cause the one or more microdroplets of fluid to output the haptic effect.

公开(公告)号：EP3162083A4

公开(公告)日：2018-02-28

申请号：EP15812341

申请日：2015-06-16

Applicant: INTEL CORP

Inventor： BASKARAN RAJASHREE ,  CANCEL OLMO RAMON C

IPC: H04R1/10 ,  H04R3/00

CPC classification number: H04R29/001 ,  H04R1/10 ,  H04R1/1041 ,  H04R2430/01 ,  H04R2460/01

Abstract: Systems and methods may provide for a headset including a housing and a speaker positioned within the housing and directed toward a region external to the housing such as, for example, an ear canal when the headset is being worn. The headset may also include an ear pressure sensor positioned within the housing and directed toward the same region external to the housing. In one example, a measurement signal is received from the pressure sensor, one or more characteristics of an audio signal are automatically adjusted based on the measurement signal, and the audio signal is transmitted to the speaker.

公开(公告)号：DE102018207177A1

公开(公告)日：2018-11-08

申请号：DE102018207177

申请日：2018-05-08

Applicant: INTEL CORP

Inventor： BASKARAN RAJASHREE ,  HARKNESS DAVID ,  HOSKINS KEVIN ,  JOSE ARUN ,  DOGIAMIS GEORGIOS

IPC: H04R1/46 ,  H04R17/02

Abstract: Ein piezoelektrisches Kontaktmikrofon mit einer mechanischen Schwingungsleitungsschnittstelle stellt ein verbessertes mobiles elektronisches Gerätemikrofon bereit. In einer Ausführungsform ist die mechanische Schwingungsleitungsschnittstelle auf einer Knochenstruktur platziert und leitet Schwingungen von der Knochenstruktur zu dem piezoelektrischen Kontaktmikrofon. Aufgrund des direkten Kontakts verringert diese Verwendung eines piezoelektrischen Kontaktmikrofons Störungseffekte, die auf Wind oder einen anderen Luftstrom über das Mikrofon zurückzuführen sind, oder eliminiert diese. Die Materialien der mechanischen Schwingungsleitungsschnittstelle und die Struktur sind ausgewählt, um eine wirksame Schwingungsübertragung von der Knochenstruktur zu dem piezoelektrischen Element innerhalb des piezoelektrischen Kontaktmikrofons bereitzustellen. Dieses piezoelektrische Kontaktmikrofon ermöglicht mobilen elektronischen Geräten, eine verbesserte Sprachkommunikation, Sprachtranskription und Sprachbefehlserkennung im Vorhandensein von Windgeräuschen und anderem Lärm bereitzustellen.

公开(公告)号：GB2526464A

公开(公告)日：2015-11-25

申请号：GB201514060

申请日：2014-03-13

Applicant: INTEL CORP

Inventor： BASKARAN RAJASHREE

IPC: B81C1/00

Abstract: Methods of forming integrated MEMS structures are described. Those methods and structures may include forming at least one MEMS structure on a first substrate, forming a first bonding layer on a top surface of die first substrate, and then coupling the first bonding layer disposed on the first substrate to a second substrate, wherein the second substrate comprises a device layer. The bonding may comprise a layer transfer process, wherein an integrated MEMS device is formed.

公开(公告)号：DE112014000516T5

公开(公告)日：2015-11-19

申请号：DE112014000516

申请日：2014-03-13

Applicant: INTEL CORP

Inventor： BASKARAN RAJASHREE

IPC: B81B7/02 ,  B81C1/00 ,  H01L23/12

Abstract: Verfahren zum Bilden integrierter MEMS-Strukturen werden beschrieben. Diese Verfahren und Strukturen können enthalten, mindestens eine MEMS-Struktur auf einem ersten Substrat zu bilden, eine erste Verbundschicht auf einer oberen Oberfläche des ersten Substrats zu bilden und dann die auf dem ersten Substrat angeordnete erste Verbundschicht an ein zweites Substrat zu koppeln, wobei das zweite Substrat eine Vorrichtungsschicht umfasst. Das Binden kann einen Schichttransferprozess umfassen, wobei eine integrierte MEMS-Vorrichtung gebildet wird.