MEMORY LATENCY MANAGEMENT
    2.
    发明专利

    公开(公告)号:MY180992A

    公开(公告)日:2020-12-15

    申请号:MYPI2013000863

    申请日:2013-03-13

    Applicant: INTEL CORP

    Abstract: Apparatus, systems, and methods to manage memory latency operations are described. In one embodiment, an electronic device comprises a processor (110) and a memory control logic to receive data from a remote memory device (140), store the data in a local cache memory, receive an error correction code indicator associated with the data, and implement a data management policy in response to the error correction code indicator. Other embodiments are also disclosed and claimed. (Figure 2)

    gerenciamento de latência de memória

    公开(公告)号:BR112015019392A2

    公开(公告)日:2017-07-18

    申请号:BR112015019392

    申请日:2014-02-26

    Applicant: INTEL CORP

    Abstract: resumo patente de invenção: "gerenciamento de latência de memória". a presente invenção refere-se a aparelhos, sistemas, e métodos para gerenciar operações de latência de memória. em uma (1) modalidade, um dispositivo eletrônico compreende um processador e uma lógica de controle de memória para receber os dados a partir de um dispositivo de memória remota, armazenar os dados em uma memória cache local, receber um indicador de código de correção de erro associado aos dados e implantar uma política de gerenciamento de dados em resposta ao indicador de código de correção de erro. outras modalidades também são reveladas e reivindicadas.

    Multi-level memory with direct access

    公开(公告)号:GB2510763B

    公开(公告)日:2020-05-20

    申请号:GB201408844

    申请日:2011-12-29

    Applicant: INTEL CORP

    Abstract: Examples of a multi-level memory with direct access are described. Examples include designating an amount of a non-volatile random access memory (NVRAM) for use as memory for a computer system. Examples also include designating a second amount of the NVRAM to for use as storage for the computing device. Examples also include re-designating at least a first portion of the first amount of NVRAM from use as memory to use as storage.

    interface de memória não volátil

    公开(公告)号:BR112015032519A2

    公开(公告)日:2017-07-25

    申请号:BR112015032519

    申请日:2013-07-26

    Applicant: INTEL CORP

    Abstract: em uma modalidade, uma interface de memória pode enviar uma indicação de que uma solicitação está sendo enviada. a indicação pode ser enviada para uma memória não volátil através de um barramento ponto a ponto entre uma interface de memória e a memória não volátil. a interface de memória pode enviar a solicitação para a memória não volátil através do barramento. a solicitação pode incluir um endereço que pode ser usado para identificar uma localização para armazenar ou ler dados. a memória não volátil pode adquirir a solicitação do barramento e processar a solicitação. após processar a solicitação, a memória não volátil pode enviar uma indicação para a interface de memória que indica que a memória não volátil tem uma resposta a enviar para a interface de memória. a interface de memória pode conceder acesso ao barramento para a memória não volátil. após ser concedido acesso ao barramento, a memória não volátil pode enviar a resposta para a interface de memória.

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