公开(公告)号：BR112015018947A2

公开(公告)日：2017-07-18

申请号：BR112015018947

申请日：2014-03-04

Applicant: INTEL CORP

Inventor： CHANDRA V MOULI ,  GUANGYU HUANG ,  HAITAO LIU ,  JIE SUN ,  KRISHNA K PARAT

IPC: H01L27/115

Abstract: resumo "estrutura de memória tridimensional". a invenção refere-se a um método para fabricar uma estrutura de memória tridimensional que inclui formar uma pilha de agregados, criar uma camada de material de proteção acima da pilha de agregados, gravar quimicamente um orifício através da camada de material de proteção e da pilha de agregados, criar um pilar de material semicondutor no orifício para formar pelo menos duas células de memória flash verticalmente empilhadas que usam o pilar como um corpo comum, remover pelo menos parte da camada de material de proteção ao redor do pilar para expor uma porção do pilar e formar um transistor de efeito de campo (fet) com o uso da porção do pilar como o corpo do fet.

公开(公告)号：BR112015018947B1

公开(公告)日：2022-03-15

申请号：BR112015018947

申请日：2014-03-04

Applicant: INTEL CORP

Inventor： CHANDRA V MOULI ,  HUANG GUANGYU ,  LIU HAITAO ,  SUN JIE ,  KRISHNA K PARAT

IPC: H01L27/115

Abstract: estrutura de memória tridimensional. a invenção refere-se a um método para fabricar uma estrutura de memória tridimensional que inclui formar uma pilha de agregados, criar uma camada de material de proteção acima da pilha de agregados, gravar quimicamente um orifício através da camada de material de proteção e da pilha de agregados, criar um pilar de material semicondutor no orifício para formar pelo menos duas células de memória flash verticalmente empilhadas que usam o pilar como um corpo comum, remover pelo menos parte da camada de material de proteção ao redor do pilar para expor uma porção do pilar e formar um transistor de efeito de campo (fet) com o uso da porção do pilar como o corpo do fet.