公开(公告)号：EP2965360A4

公开(公告)日：2017-02-22

申请号：EP14760437

申请日：2014-03-04

Applicant: INTEL CORP

Inventor： LIU HAITAO ,  MOULI CHANDRA V ,  PARAT KRISHNA K ,  SUN JIE ,  HUANG GUANGYU

IPC: H01L27/115 ,  H01L29/66 ,  H01L29/788 ,  H01L29/792

CPC classification number: H01L27/11582 ,  G11C16/06 ,  H01L27/11524 ,  H01L27/11556 ,  H01L27/1157 ,  H01L29/04 ,  H01L29/16 ,  H01L29/66825 ,  H01L29/66833 ,  H01L29/7889 ,  H01L29/7926

公开(公告)号：DE112017001356T5

公开(公告)日：2018-11-29

申请号：DE112017001356

申请日：2017-02-06

Applicant: INTEL CORP

Inventor： HECK JOHN ,  HUTCHISON DAVID N ,  SUN JIE ,  RONG HAISHENG ,  KIM WOOSUNG

IPC: G02B6/12 ,  G02B6/293

Abstract: Ausführungsformen hierin betreffen photonische integrierte Schaltungen mit einem optischen On-Chip-Isolator. Ein photonischer Senderchip kann einen Laser und einen On-Chip-Isolator aufweisen, der optisch mit dem Laser gekoppelt ist, der einen optischen Wellenleiter mit einem Teilabschnitt aufweist, der mit einem magnetooptischen in Flüssigphasenepitaxie aufgewachsenen Granatfilm gekoppelt ist. In einigen Ausführungsformen kann eine Ummantelung mit dem Granatfilm gekoppelt sein, der On-Chip-Isolator kann in einer Mach-Zehnder-Interferometerkonfiguration angeordnet sein, der Wellenleiter kann einen oder mehrere Polarisationsrotatoren aufweisen, und/oder der Granatfilm kann aus einem Material einer Seltenerd-Granat-Familie ausgebildet sein. Andere Ausführungsformen können beschrieben und/oder beansprucht werden.

公开(公告)号：DE102022106290A1

公开(公告)日：2022-12-08

申请号：DE102022106290

申请日：2022-03-17

Applicant: INTEL CORP

Inventor： KUMAR RANJEET ,  RONG HAISHENG ,  SUN JIE

IPC: H01S5/12 ,  G02B6/00 ,  H01S5/026 ,  H01S5/06

Abstract: Bei einer Ausführungsform beinhaltet ein Laser mit verteilter Rückkopplung einen Laser, der einen Wellenleiter umfasst, wobei der Wellenleiter eine variable Breite von einem ersten Ende zu einem zweiten Ende aufweist, wobei der Laser optische Energie mehrerer Laserwellenlängen erzeugen soll. Andere Ausführungsformen werden beschrieben und beansprucht.

公开(公告)号：BR112015018947B1

公开(公告)日：2022-03-15

申请号：BR112015018947

申请日：2014-03-04

Applicant: INTEL CORP

Inventor： CHANDRA V MOULI ,  HUANG GUANGYU ,  LIU HAITAO ,  SUN JIE ,  KRISHNA K PARAT

IPC: H01L27/115

Abstract: estrutura de memória tridimensional. a invenção refere-se a um método para fabricar uma estrutura de memória tridimensional que inclui formar uma pilha de agregados, criar uma camada de material de proteção acima da pilha de agregados, gravar quimicamente um orifício através da camada de material de proteção e da pilha de agregados, criar um pilar de material semicondutor no orifício para formar pelo menos duas células de memória flash verticalmente empilhadas que usam o pilar como um corpo comum, remover pelo menos parte da camada de material de proteção ao redor do pilar para expor uma porção do pilar e formar um transistor de efeito de campo (fet) com o uso da porção do pilar como o corpo do fet.