公开(公告)号：DE112015003307T5

公开(公告)日：2017-03-30

申请号：DE112015003307

申请日：2015-05-11

Applicant: INTEL CORP

Inventor： KRISHNAMURTHI MAHESH ,  RONG HAISHENG ,  HAREL OSHRIT ,  FRISH HAREL ,  BARKAI ASSIA ,  LIN WENHUA ,  HSIEH I-WEI

IPC: G02B6/12 ,  G02B5/18

Abstract: Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung betreffen Techniken und Konfigurationen für eine optische Vorrichtung mit einer Halbleiterschicht zum Ausbreiten von Licht und einem sich innerhalb der Halbleiterschicht befindenden Spiegel, der eine reflektierende Echelle-Gitteroberfläche aufweist, um das durch einen oder mehrere Eingangswellenleiter eingegebene sich ausbreitende Licht im Wesentlichen total innen zu reflektieren, damit es von einem oder mehreren Ausgangswellenleitern empfangen wird. Die Wellenleiter können sich unter einem bestimmten Winkel in Bezug auf die reflektierende Spiegeloberfläche in der Halbleiterschicht befinden. Der bestimmte Winkel kann größer oder gleich einem der Grenzfläche entsprechenden inneren Totalreflexionswinkel sein, um eine im Wesentlichen totale innere Reflexion von Licht durch den Spiegel bereitzustellen. Der Spiegel kann durch eine Grenzfläche zwischen der die reflektierende Spiegeloberfläche aufweisenden Halbleiterschicht und einem den Spiegel füllenden anderen Medium in der Art eines Dielektrikums gebildet sein. Andere Ausführungsformen können beschrieben und/oder beansprucht werden.

公开(公告)号：SG11201610528XA

公开(公告)日：2017-01-27

申请号：SG11201610528X

申请日：2015-05-11

Applicant: INTEL CORP

Inventor： KRISHNAMURTHI MAHESH ,  HSIEH I-WEI ,  RONG HAISHENG ,  HAREL OSHRIT ,  FRISH HAREL ,  BARKAI ASSIA ,  LIN WENHUA

IPC: G02B5/18

Abstract: Embodiments of the present disclosure are directed toward techniques and configurations for an optical device having a semiconductor layer to propagate light and a mirror disposed inside the semiconductor layer and having echelle grating reflective surface to substantially totally internally reflect the propagating light inputted by one or more input waveguides, to be received by one or more output waveguides. The waveguides may be disposed in the semiconductor layer under a determined angle relative to the mirror reflective surface. The determined angle may be equal to or greater than a total internal reflection angle corresponding to the interface, to provide substantially total internal reflection of light by the mirror. The mirror may be formed by an interface of the semiconductor layer comprising the mirror reflective surface and another medium filling the mirror, such as a dielectric. Other embodiments may be described and/or claimed.