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公开(公告)号:AU2018282410A1
公开(公告)日:2019-10-03
申请号:AU2018282410
申请日:2018-12-20
Applicant: INTEL CORP
Inventor: THOMAS NICOLE K , CLARKE JAMES S , TORRES JESSICA M , LAMPERT LESTER , PILLARISETTY RAVI , GEORGE HUBERT C , SINGH KANWALJIT , ROBERTS JEANETTE M , CAUDILLO ROMAN , YOSCOVITS ZACHARAY R , MICHALAK DAVID J
IPC: B82Y10/00
Abstract: Abstract Embodiments of the present disclosure describe use of isotopically purified materials in donor- or acceptor-based spin qubit devices and assemblies. An exemplary spin qubit device assembly may include a semiconductor host layer that includes an isotopically purified material, a dopant atom in the semiconductor host layer, and a gate proximate to the dopant atom. An isotopically purified material may include a lower atomic-percent of isotopes with nonzero nuclear spin than the natural abundance of those isotopies in the non-isotopically purified material. Reducing the presence of isotopes with nonzero nuclear spin in a semiconductor host layer may improve qubit coherence and thus performance of spin qubit devices and assemblies.
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公开(公告)号:DE102019104175A1
公开(公告)日:2019-09-19
申请号:DE102019104175
申请日:2019-02-19
Applicant: INTEL CORP
Inventor: THOMAS NICOLE , CLARKE JAMES , TORRES JESSICA M , LAMPERT LESTER , PILLARISETTY RAVI , GEORGE HUBERT , SINGH KANWALJIT , ROBERTS JEANETTE M , CAUDILLO ROMAN , YOSCOVITS ZACHARY , MICHALAK DAVID
IPC: G06N10/00 , B82Y10/00 , H01L29/762
Abstract: Ausführungsbeispiele der vorliegenden Offenbarung beschreiben die Verwendung isotopisch gereinigter Materialien in Donator- oder Akzeptor-basierten Spin-Qubit-Vorrichtungen und - Anordnungen. Eine exemplarische Spin-Qubit-Vorrichtungsanordnung kann eine Halbleiter-Hostschicht umfassen, die ein isotopisch gereinigtes Material, ein Dotierstoffatom in der Halbleiter-Hostschicht und ein Gate nahe dem Dotierstoffatom umfasst. Ein isotopisch gereinigtes Material kann einen niedrigeren Atomprozentsatz an Isotopen mit einem Kernspin ungleich Null umfassen als die natürliche Häufigkeit dieser Isotopien in dem nicht isotopisch gereinigten Material. Die Verringerung des Vorhandenseins von Isotopen mit Kernspin ungleich Null in einer Halbleiter-Hostschicht kann die Qubit-Kohärenz und damit die Performance von Spin-Qubit-Vorrichtungen und -Anordnungen verbessern.
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公开(公告)号:DE112016007483T5
公开(公告)日:2019-08-22
申请号:DE112016007483
申请日:2016-12-31
Applicant: INTEL CORP
Inventor: LIN KEVIN L , MAHDI TAYSEER , TORRES JESSICA M , BIELEFELD JEFFERY D , KRYSAK MARIE , BLACKWELL JAMES M
IPC: H01L21/768 , H01L21/02 , H01L27/06
Abstract: In einem Beispiel ist eine integrierte Schaltung offenbart, die Folgendes aufweist: eine erste Schicht mit einem Dielektrikum, eine erste leitfähige Zwischenverbindung und eine zweite leitfähige Zwischenverbindung; eine zweite Schicht mit einer dritten leitfähigen Zwischenverbindung; eine leitfähige Durchkontaktierung zwischen der ersten Schicht und der zweiten Schicht, um die zweite leitfähige Zwischenverbindung an die dritte leitfähige Zwischenverbindung zu koppeln; und einen ätzresistenten Stecker, der vertikal zwischen der ersten Schicht und der zweiten Schicht angeordnet ist und angeordnet ist, zu verhindern, dass die Durchkontaktierung an der ersten leitfähigen Zwischenverbindung elektrisch kurzschließt.
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