公开(公告)号：KR20180021148A

公开(公告)日：2018-02-28

申请号：KR20187002457

申请日：2015-06-26

Applicant: INTEL CORP

Inventor： LIN KEVIN ,  BRISTOL ROBERT LINDSEY ,  BLACKWELL JAMES M ,  HOURANI RAMI

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/02 ,  H01L21/311 ,  H01L21/321

CPC classification number: H01L21/321 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/76816 ,  H01L21/76831 ,  H01L21/76834 ,  H01L21/76849 ,  H01L21/76877

Abstract: 본발명의실시예들은비아를갖는인터커넥트구조체및 그러한구조체들을형성하는방법들을포함한다. 일실시예에서, 인터커넥트구조체는제1 층간유전체(ILD)를포함한다. 제1 인터커넥트라인및 제2 인터커넥트라인은제1 ILD 내로연장된다. 일실시예에따르면, 제2 ILD가제1 인터커넥트라인및 제2 인터커넥트라인위에위치한다. 비아는제2 ILD를관통하여연장되고제1 인터커넥트라인에전기적으로커플링될수 있다. 추가적으로, 본발명의실시예들은제2 인터커넥트라인위에위치하는비아의하부표면의부분을포함한다. 그러나, 본발명의일 실시예에따르면, 격리층이비아의하부표면과제2 인터커넥트라인의상부표면사이에위치될수 있다.

Abstract translation: 本发明的实施例包括具有通孔的互连结构和形成这种结构的方法。 在一个实施例中，互连结构包括第一层间电介质（ILD）。 第一互连线和第二互连线延伸到第一ILD中。 根据一个实施例，第二ILD纱布1位于互连线和第二互连线上方。 通孔可以延伸穿过第二ILD并电耦合到第一互连线。 另外，本发明的实施例包括位于第二互连线上方的通孔的下表面的部分。 然而，根据本发明的一个实施例，可以在通孔的下表面任务2互连线的上表面之间放置隔离层。

公开(公告)号：KR20180019079A

公开(公告)日：2018-02-23

申请号：KR20177033500

申请日：2015-06-22

Applicant: INTEL CORP

Inventor： BRISTOL ROBERT L ,  BLACKWELL JAMES M ,  HOURANI RAMI

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L21/76816 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/02304 ,  H01L21/76801 ,  H01L21/76808 ,  H01L21/76897 ,  H01L2224/16225

Abstract: BEOL(back end of line) 인터커넥트를위해상향식가교결합을사용하는유전체에의한이미지톤 반전이설명된다. 예에서, 금속화층을포함하는반도체구조체는기판위의층간유전체(ILD) 층에복수의트렌치를포함한다. 전촉매층은복수의트렌치중 하나이상(전부는아님)의트렌치의측벽들상에있다. 유전체재료의가교결합부분들은복수의트렌치중 하나이상의트렌치에서전촉매층에근접하여있다. 전도성구조체들은트렌치들의나머지것들에있다.

Abstract translation: 描述了通过使用自下而上的交叉链接进行后端线路（BEOL）互连的电介质图像音调反转。 在该实例中，包括金属化层的半导体结构包括在层间介电（ILD）层的衬底上的多个沟槽的。 催化剂层是在沟槽的侧壁之前（而不是所有都是）的一个或多个所述多个沟槽中的。 介电材料的交联的部分在靠近前催化剂层中的多个沟槽中的至少一个沟槽。 导电结构在沟槽的其余部分。

公开(公告)号：DE112016007542T5

公开(公告)日：2019-09-12

申请号：DE112016007542

申请日：2016-12-23

Applicant: INTEL CORP

Inventor： SCHENKER RICHARD E ,  BRISTOL ROBERT L ,  GSTREIN FLORIAN ,  LIN KEVIN L ,  BLACKWELL JAMES M ,  KRYSAK MARIE ,  CHANDHOK MANISH ,  NYHUS PAUL A ,  WALLACE CHARLES H ,  WARD CURTIS W ,  SIVAKUMAR SWAMINATHAN ,  TAN ELLIOT N

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/027

Abstract: Fortschrittliche Lithographietechniken einschließlich Abstands-Strukturierung und Strukturen unter 10nm, die daraus resultieren, werden beschrieben. Es werden selbstorganisierende Vorrichtungen und deren Herstellungsverfahren beschrieben.

公开(公告)号：DE112016007377T5

公开(公告)日：2019-07-25

申请号：DE112016007377

申请日：2016-12-29

Applicant: INTEL CORP

Inventor： BLACKWELL JAMES M ,  LIN KEVIN L ,  BRISTOL ROBERT L ,  HOURANI RAMI

IPC: H01L21/768

Abstract: In einem Beispiel wird eine integrierte Schaltung offenbart, die enthält: eine erste Lage, die ein Dielektrikum, eine erste leitfähige Verbindung und eine zweite leitfähige Verbindung aufweist; eine zweite Lage, die eine dritte leitfähige Verbindung aufweist; eine leitfähige Durchkontaktierung zwischen der ersten Lage und der zweiten Lage zur elektrischen Koppelung der zweiten leitfähigen Verbindung mit der dritten leitfähigen Verbindung; einen dielektrischen Stopfen, der vertikal zwischen der ersten Lage und der zweiten Lage angeordnet ist und angeordnet ist, um zu verhindern, dass die Durchkontaktierung einen elektrischen Kurzschluss mit der ersten leitfähigen Verbindung bildet; und eine dielektrische Abdeckung, die den dielektrischen Stopfen bedeckt.

公开(公告)号：DE112016007030T5

公开(公告)日：2019-03-21

申请号：DE112016007030

申请日：2016-07-01

Applicant: INTEL CORP

Inventor： BLACKWELL JAMES M ,  BRISTOL ROBERT L ,  KRYSAK MARIE ,  GSTREIN FLORIAN ,  HAN EUNGNAK ,  LIN KEVIN L ,  HOURANI RAMI ,  HARLSON SHANE M

IPC: H01L21/768 ,  G03F7/20 ,  H01L21/027

Abstract: Es werden ausgekleidete Photolackstrukturen zum Ermöglichen der Fertigung von BEOL (Back End Of Line)-Zwischenverbindungen beschrieben. In einer Ausführungsform weist eine Hartmaske Vertiefungen darin ausgebildet auf, wobei Auskleidungsstrukturen jeweils verschiedentlich auf einer Seitenwand einer jeweiligen Vertiefung angeordnet sind. Photobuckets, die Fotolackmaterial aufweisen, sind ebenfalls verschiedentlich in den Vertiefungen angeordnet. Die Auskleidungsstrukturen dienen verschiedentlich als Randpuffer zum Mindern möglicher Wirkungen von Fehlausrichtung bei der Belichtung eines Fotolackmaterials mit Photonen oder einem Elektronenstrahl. In einer anderen Ausführungsform weist eine Vertiefung darin angeordnet eine Auskleidungsstruktur und einen Photobucket auf, die beide durch Selbstassemblierung eines fotolackbasierten Block-Copolymers ausgebildet sind.

公开(公告)号：DE112013007056T5

公开(公告)日：2016-03-17

申请号：DE112013007056

申请日：2013-06-27

Applicant: INTEL CORP

Inventor： BRISTOL ROBERT L ,  HOURANI RAMI ,  HAN EUNGNAK ,  BLACKWELL JAMES M

IPC: H01L21/027 ,  H01L21/28

Abstract: Ein Verfahren gemäß einem Aspekt umfasst Ausbilden einer Ausrichtungsunterstützungsschicht für gezielte Selbstanordnung über einer Oberfläche eines Substrats mit einem ersten strukturierten Bereich und einem zweiten strukturierten Bereich. Ein erstes Ausrichtungsunterstützungsmaterial für gezielte Selbstanordnung wird ohne Verwendung von lithographischer Strukturierung selektiv über dem ersten strukturierten Bereich ausgebildet. Das Verfahren umfasst außerdem Ausbilden einer angeordneten Schicht über der Ausrichtungsunterstützungsschicht für gezielte Selbstanordnung durch gezielte Selbstanordnung. Eine Vielzahl von angeordneten Strukturen wird ausgebildet, die jeweils vorwiegend einen ersten Polymertyp über dem ersten Ausrichtungsunterstützungsmaterial für gezielte Selbstanordnung umfassen. Die angeordneten Strukturen sind jeweils angrenzend von vorwiegend einem zweiten, unterschiedlichen Polymertyp über dem zweiten strukturierten Bereich umgeben. Das erste Ausrichtungsunterstützungsmaterial für gezielte Selbstanordnung weist eine stärkere chemische Affinität für den ersten Polymertyp auf als für den zweiten, unterschiedlichen Polymertyp.

公开(公告)号：DE112016007483T5

公开(公告)日：2019-08-22

申请号：DE112016007483

申请日：2016-12-31

Applicant: INTEL CORP

Inventor： LIN KEVIN L ,  MAHDI TAYSEER ,  TORRES JESSICA M ,  BIELEFELD JEFFERY D ,  KRYSAK MARIE ,  BLACKWELL JAMES M

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/02 ,  H01L27/06

Abstract: In einem Beispiel ist eine integrierte Schaltung offenbart, die Folgendes aufweist: eine erste Schicht mit einem Dielektrikum, eine erste leitfähige Zwischenverbindung und eine zweite leitfähige Zwischenverbindung; eine zweite Schicht mit einer dritten leitfähigen Zwischenverbindung; eine leitfähige Durchkontaktierung zwischen der ersten Schicht und der zweiten Schicht, um die zweite leitfähige Zwischenverbindung an die dritte leitfähige Zwischenverbindung zu koppeln; und einen ätzresistenten Stecker, der vertikal zwischen der ersten Schicht und der zweiten Schicht angeordnet ist und angeordnet ist, zu verhindern, dass die Durchkontaktierung an der ersten leitfähigen Zwischenverbindung elektrisch kurzschließt.

公开(公告)号：GB2530193A

公开(公告)日：2016-03-16

申请号：GB201520310

申请日：2013-06-27

Applicant: INTEL CORP

Inventor： BRISTOL ROBERT L ,  HOURANI RAMI ,  HAN EUNGNAK ,  BLACKWELL JAMES M

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/027

Abstract: A method of an aspect includes forming a directed self assembly alignment promotion layer over a surface of a substrate having a first patterned region and a second patterned region. A first directed self assembly alignment promotion material is formed selectively over the first patterned region without using lithographic patterning. The method also includes forming an assembled layer over the directed self assembly alignment promotion layer by directed self assembly. A plurality of assembled structures are formed that each include predominantly a first type of polymer over the first directed self assembly alignment promotion material. The assembled structures are each adjacently surrounded by predominantly a second different type of polymer over the second patterned region. The first directed self assembly alignment promotion material has a greater chemical affinity for the first type of polymer than for the second different type of polymer.

公开(公告)号：EP3122918A4

公开(公告)日：2018-03-14

申请号：EP14887657

申请日：2014-03-27

Applicant: INTEL CORP

Inventor： BLACKWELL JAMES M ,  ROMERO PATRICIO E ,  CLENDENNING SCOTT B ,  KLOSTER GRANT M ,  GSTREIN FLORIAN ,  SIMKA HARSONO S ,  ZIMMERMAN PAUL A ,  BRISTOL ROBERT L

IPC: H01L21/285 ,  C23C16/455 ,  C23C16/52 ,  H01L21/033

CPC classification number: C23C16/45553 ,  C23C16/18 ,  C23C16/482 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/28562 ,  H01L21/76816 ,  H01L21/76879 ,  H01L21/76897 ,  H01L29/66795

Abstract: Precursor and process design for photo-assisted metal atomic layer deposition (ALD) and chemical vapor deposition (CVD) is described. In an example, a method of fabricating a thin metal film involves introducing precursor molecules proximate to a surface on or above a substrate, each of the precursor molecules having one or more metal centers surrounded by ligands. The method also involves depositing a metal layer on the surface by dissociating the ligands from the precursor molecules using a photo-assisted process.

公开(公告)号：EP3050084A4

公开(公告)日：2017-05-24

申请号：EP13894765

申请日：2013-09-27

Applicant: INTEL CORP

Inventor： BRISTOL ROBERT L ,  BLACKWELL JAMES M ,  CLENDENNING SCOTT B ,  GSTREIN FLORIAN ,  HAN EUNGNAK ,  KLOSTER GRANT M ,  ROBERTS JEANETTE M ,  ROMERO PATRICIO E ,  HOURANI RAMI

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/285 ,  H01L21/288 ,  H01L21/32

CPC classification number: H01L23/528 ,  H01L21/28562 ,  H01L21/288 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/31058 ,  H01L21/311 ,  H01L21/32 ,  H01L21/32051 ,  H01L21/321 ,  H01L21/76801 ,  H01L21/76816 ,  H01L21/76829 ,  H01L21/76832 ,  H01L21/76834 ,  H01L21/76849 ,  H01L21/76877 ,  H01L21/76897 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/53295 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00