公开(公告)号：WO2018063475A1

公开(公告)日：2018-04-05

申请号：PCT/US2017/042867

申请日：2017-07-19

Applicant: INTEL CORPORATION

Inventor： MCFARLANE, Brian, R. ,  ROYER, Robert, J. ,  MUKKER, Anoop ,  OOI, Eng Hun ,  TRIVEDI, Ritesh, B.

IPC: G06F1/32

CPC classification number: G06F1/3275 ,  G06F1/3225 ,  G06F1/324 ,  G06F1/3296 ,  G06F13/00 ,  Y02D10/126 ,  Y02D10/14 ,  Y02D10/172

Abstract: A method is described that includes choosing between one of two different ways to cause a memory device to enter a specific one of multiple lower power states that each comprise lower power consumption than a highest low power state.

Abstract translation: 描述了一种方法，其包括在两种不同方式中的一种之间进行选择以使存储器设备进入多个较低功率状态中的特定一个，每个较低功率状态包括比最高低功率状态更低的功耗。 / p>