液浸用上層膜形成組成物およびフォトレジストパターン形成方法
    1.
    发明申请
    液浸用上層膜形成組成物およびフォトレジストパターン形成方法 审中-公开
    用于液体浸渍的上层膜形成组合物和形成光电子图案的方法

    公开(公告)号:WO2005069076A1

    公开(公告)日:2005-07-28

    申请号:PCT/JP2005/000346

    申请日:2005-01-14

    Abstract: 【課題】 248nm(KrF)および193nm(ArF)の露光波長での十分な透過性と、フォトレジスト膜とインターミキシングを起こすことなくフォトレジスト上に被膜を形成でき、さらに液浸露光時の水に溶出することなく安定な被膜を維持し、かつアルカリ現像液に容易に溶解する上層膜を形成する。 【解決手段】 レンズとフォトレジスト膜との間に水を介して放射線照射する液浸露光装置を用いるときに、上記フォトレジスト膜に被覆される組成物であって、この組成物は、放射線照射時に水に安定な膜を形成し、その後の現像液に溶解する樹脂と、炭素数6以下の1価アルコールを含む溶媒とからなり、特に上記樹脂が、少なくともα位にフルオロアルキル基を有するアルコール性水酸基をその側鎖に有する樹脂成分を含む。

    Abstract translation: [问题]为了实现248nm(KrF)和193nm(ArF)波长的曝光光的令人满意的透射率,以在光致抗蚀剂上实现膜的形成而不与光致抗蚀剂膜混合,以保持稳定的膜而不溶解 在液态曝光中的水中,并形成容易溶于碱性显影剂的上层膜。 [解决问题的手段]提供了一种组合物,其中,在使用其中透镜与光致抗蚀剂膜之间的水进行放射线曝光的液浸光学曝光单元时,涂覆光致抗蚀剂膜,该组合物包含 能够在暴露于辐射并且可溶于后续的显影剂和含有C6或更少的一元醇的溶剂中形成对水稳定的膜的树脂。 特别地,上述树脂包含其侧链中具有醇羟基的树脂组分,并且至少在其α-位上具有氟烷基。

    レジストパターン形成方法
    2.
    发明申请
    レジストパターン形成方法 审中-公开
    形成电阻图案的方法

    公开(公告)号:WO2007125971A1

    公开(公告)日:2007-11-08

    申请号:PCT/JP2007/058978

    申请日:2007-04-25

    CPC classification number: G03F7/70341 G03F7/11

    Abstract:  空気より屈折率の高い液体(液浸液)を介在させた状態でフォトレジスト膜に対して放射線を照射することにより、そのフォトレジスト膜を露光させる液浸露光の工程を備えたレジストパターン形成方法であり、基板の表面に前記フォトレジスト膜を形成し、そのフォトレジスト膜の表面に前記液浸液に対して耐性のある保護膜を形成し、液浸液を介在させた状態でフォトレジスト膜に対して放射線を照射することにより、フォトレジスト膜を露光させ、保護膜をフォトレジスト膜の表面から剥離させた後に、露光後加熱処理及び現像を行って、レジストパターンを得るレジストパターン形成方法。

    Abstract translation: 通过液浸曝光步骤形成抗蚀剂图案的方法,该方法通过在具有高于空气(浸渍液体)的折射率的液体的存在下照射光致抗蚀剂膜,从而获得光致抗蚀剂膜的曝光,包括形成 基底表面上的光致抗蚀剂膜; 在光致抗蚀剂膜的表面上形成对浸渍液体具有耐受性的保护膜; 在浸没液的存在下,用辐射照射光致抗蚀剂膜,从而获得光致抗蚀剂膜的曝光; 从光致抗蚀剂膜的表面分离保护膜; 然后进行曝光,加热处理和显影,从而获得抗蚀剂图案。

    共重合体および上層膜形成組成物
    3.
    发明申请
    共重合体および上層膜形成組成物 审中-公开
    共聚物和上胶膜组合物

    公开(公告)号:WO2006035790A1

    公开(公告)日:2006-04-06

    申请号:PCT/JP2005/017790

    申请日:2005-09-28

    Abstract: Disclosed is an upper film-forming composition which enables to form a coating film on a photoresist without causing intermixing with the photoresist film and to maintain a stable coating film without dissolving into a medium used during immersion exposure. The upper film-forming composition is also capable to form an upper layer which enables to obtain a pattern shape that is not inferior to the one obtained by a process other than immersion exposure, namely a dry exposure and can be easily dissolved in an alkaline developer. Also disclosed is a copolymer containing a repeating unit having a group represented by the general formula (1) below, a repeating unit having a group represented by the general formula (2) below, at least one repeating unit (I) selected from repeating units having a carboxyl group, and a repeating unit (II) having a sulfo group, and having a weight average molecular weight of 2,000-100,000 determined by gel permeation chromatography. (1) (2) At least one of R

    Abstract translation: 公开了一种能够在光致抗蚀剂上形成涂膜而不会与光致抗蚀剂膜混合并且保持稳定的涂膜而不溶解于浸渍曝光期间使用的介质的上成膜组合物。 上部成膜组合物也能够形成上层,其能够获得不劣于通过浸渍曝光以外的方法获得的图案形状,即干燥曝光并且可以容易地溶解在碱性显影剂中 。 还公开了含有具有下述通式(1)所示基团的重复单元,具有下述通式(2)所示基团的重复单元,至少一个选自重复单元 具有羧基的重复单元(II)和具有磺基的重复单元(II),并且通过凝胶渗透色谱测定其重均分子量为2,000-100,000。 (1)(2)至少有一个R

    基板の処理方法及びレジスト膜の表面に塗布される上層膜剤用のプリウェット溶剤
    4.
    发明申请
    基板の処理方法及びレジスト膜の表面に塗布される上層膜剤用のプリウェット溶剤 审中-公开
    处理衬底和预浸溶剂的方法,用于成膜材料应用于耐腐蚀膜的表面

    公开(公告)号:WO2008102689A1

    公开(公告)日:2008-08-28

    申请号:PCT/JP2008/052435

    申请日:2008-02-14

    CPC classification number: G03F7/11 G03F7/162

    Abstract:   本発明においては、スピン塗布法によって基板上のレジスト膜の表面に上層膜剤を塗布してレジスト膜上層膜を形成する前に、レジスト膜の表面に上層膜剤用のプリウェット溶剤が塗布される。このプリウェット溶剤は、炭素数1~10の一価または二価のアルコール類、炭素数1~8のハロゲンを置換基として有していてもよいアルキル基を有するエーテル類、及び炭素数7~11の炭化水素類の中から選ばれる一種以上の化合物を含有するものである。本発明によれば、上層膜剤の省液化を図ることができる。  

    Abstract translation: 在将上膜形成材料通过旋涂施加到抗蚀剂膜的表面上之前,将用于上膜形成材料的预润湿溶剂施加到基板上的抗蚀剂膜的表面上, 抗拒膜。 该预润湿溶剂包含至少一种选自单 - 或二 - 醇C 1-10醇的化合物,具有任选卤代的C 1-8烷基的醚,以及 C 11-11烃。 预润湿溶剂在节省上膜形成材料方面是有效的。

    液浸露光用感放射線性樹脂組成物及びフォトレジストパターン形成方法
    5.
    发明申请
    液浸露光用感放射線性樹脂組成物及びフォトレジストパターン形成方法 审中-公开
    用于浸没曝光的辐射敏感性树脂组合物和形成光电子图案的方法

    公开(公告)号:WO2008087840A1

    公开(公告)日:2008-07-24

    申请号:PCT/JP2007/075016

    申请日:2007-12-26

    CPC classification number: G03F7/0392 G03F7/0046 G03F7/2041

    Abstract:  本発明の目的は、得られるパターン形状が良好であり、焦点深度に優れ、液浸露光時に接触した水等の液浸媒体への溶出物の量が少なく、且つバブル欠陥の発生を抑制することができる液浸露光用感放射線性樹脂組成物及びそれを用いたフォトレジストパターン形成方法を提供することである。本発明の液浸露光用感放射線性樹脂組成物は、フッ素化アルキル基を含有し、フッ素含量が3atom%以上であり、且つ酸の作用によりアルカリ可溶性となる重合体(A)と、酸の作用によりアルカリ可溶性となり、且つフッ素含量が3atom%未満である樹脂(B)と、感放射線性酸発生剤(C)と、を含有する樹脂組成物であって、この樹脂組成物を基板上に塗布して形成されるフォトレジスト膜の水に対する前進接触角が95度以下である。

    Abstract translation: 用于浸渍曝光的辐射敏感树脂组合物,其能够产生令人满意的图案形状,具有优异的焦深,并且降低溶解在浸渍介质(例如水)中的组分的含量,浸渍介质中的组合物在浸渍期间与其接触 曝光。 减少气泡缺陷是有效的。 还提供了从组合物形成光致抗蚀剂图案的方法。 用于浸渍曝光的辐射敏感性树脂组合物包括:含有氟烷基的聚合物(A),氟含量为3原子%以上,并且通过酸的作用变得碱溶性; 通过酸作为碱溶性且氟含量低于3原子%的树脂(B); 和辐射敏感性酸产生剂(C)。 通过将该树脂组合物涂布在基板上而形成的光致抗蚀剂膜与水的前进接触角为95°以下。

    フッ素含有重合体及び精製方法並びに感放射線性樹脂組成物
    6.
    发明申请
    フッ素含有重合体及び精製方法並びに感放射線性樹脂組成物 审中-公开
    含氟聚合物,纯化方法和辐射敏感性树脂组合物

    公开(公告)号:WO2007116664A1

    公开(公告)日:2007-10-18

    申请号:PCT/JP2007/056094

    申请日:2007-03-23

    Abstract: Disclosed are a novel fluorine-containing polymer, and a radiation-sensitive resin composition for immersion exposure containing such a polymer. The radiation-sensitive resin composition enables to obtain a pattern having a good shape and excellent depth of focus, while hardly dissolving into water which comes into contact during immersion exposure. In addition, the radiation-sensitive resin composition enables to obtain a large receding contact angle between a resist film and water. Also disclosed is a method for purifying a fluorine-containing polymer. Specifically, the resin composition contains a novel fluorine-containing polymer (A) containing repeating units represented by the general formulae (1) and (2) below and having an Mw of 1,000-50,000, a resin (B) having an acid labile group, a radiation-sensitive acid generator (C), a nitrogen-containing compound (D) and a solvent (E).

    Abstract translation: 公开了一种新型含氟聚合物和用于浸渍曝光的含有这种聚合物的辐射敏感性树脂组合物。 该辐射敏感性树脂组合物能够获得具有良好的形状和优异的聚焦深度的图案,同时几乎不溶于浸入曝光期间接触的水中。 此外,辐射敏感性树脂组合物能够获得抗蚀剂膜和水之间的大的后退接触角。 还公开了一种用于纯化含氟聚合物的方法。 具体而言,树脂组合物含有含有下述通式(1)和(2)表示的重复单元,Mw为1000〜5000的新的含氟聚合物(A),具有酸不稳定基团的树脂(B) ,辐射敏感性酸产生剂(C),含氮化合物(D)和溶剂(E)。

    上層膜形成組成物およびフォトレジストパターン形成方法
    7.
    发明申请
    上層膜形成組成物およびフォトレジストパターン形成方法 审中-公开
    用于形成上层膜的组合物和形成光电子图案的方法

    公开(公告)号:WO2007049637A1

    公开(公告)日:2007-05-03

    申请号:PCT/JP2006/321247

    申请日:2006-10-25

    CPC classification number: G03F7/11 C08F220/18 C08F220/30 G03F7/0046 G03F7/2041

    Abstract:  フォトレジスト膜とインターミキシングを起こすことなくフォトレジスト上に被膜を形成でき、さらに液浸露光時の水などの媒体に溶出することなく安定な被膜を維持し、かつアルカリ現像液に容易に溶解する上層膜を形成するための上層膜形成組成物およびフォトレジストパターン形成方法を提供する。放射線照射によりパターンを形成するためのフォトレジスト膜に被覆される上層膜形成組成物であって、該組成物は、上記フォトレジスト膜を現像する現像液に溶解する樹脂が溶媒に溶解されており、20°Cにおける粘度が5.2×10 -3 Pa・s未満であり、また、フォトレジスト膜と上層膜形成組成物とがインターミキシングを起こさない溶媒であり、該溶媒がエーテル類または炭化水素を含む溶媒である。

    Abstract translation: 公开了一种用于形成上部膜的组合物,其能够在光致抗蚀剂上形成涂膜,而不会与光致抗蚀剂膜混合,该涂膜在浸渍曝光期间是稳定的并且不溶于介质如水中,同时易于溶解 碱性显影液。 还公开了一种形成光致抗蚀剂图案的方法。 具体公开了一种用于形成上膜的组合物,其覆盖用于通过照射辐射形成图案的光致抗蚀剂膜。 该组合物通过将可溶于用于显影光致抗蚀剂膜的显影液中的树脂溶解在溶剂中而获得。 溶剂在20℃下的粘度小于5.2×10 -3 Pa·s,并且不会引起光致抗蚀剂膜和用于形成上膜的组合物之间的混合。 此外,溶剂含有醚或烃。

    組成物、膜、膜の形成方法及びパターニングされた基板の製造方法

    公开(公告)号:JPWO2019049795A1

    公开(公告)日:2020-11-19

    申请号:JP2018032434

    申请日:2018-08-31

    Abstract: 溶媒耐性を維持しつつ、平坦性、ウェット剥離耐性及びパターンの曲り耐性に優れる膜を形成できる組成物、膜、膜の形成方法及びパターニングされた基板の製造方法の提供を目的とする。本発明は、下記式(1)で表される基を有し、分子量が200以上であり、炭素原子の含有率が40質量%以上である化合物と、溶媒とを含有する組成物である。下記式(1)中、R 1 及びR 2 は、それぞれ独立して、水素原子、フッ素原子、炭素数1〜20の1価の炭化水素基若しくは炭素数1〜20の1価のフッ素化炭化水素基であるか、又はこれらの基が互いに合わせられこれらが結合する炭素原子と共に構成される環員数3〜20の脂環構造の一部である。Ar 1 は、環員数6〜20のアレーン又はヘテロアレーンから(n+3)個の水素原子を除いた基である。Xは、酸素原子、−CR 3 R 4 −、−CR 3 R 4 −O−又は−O−CR 3 R 4 −である。

    レジスト下層膜形成用組成物、レジスト下層膜及びその形成方法並びにパターニングされた基板の製造方法

    公开(公告)号:JPWO2018164267A1

    公开(公告)日:2020-01-09

    申请号:JP2018009257

    申请日:2018-03-09

    Abstract: 平坦性に優れると共に溶媒耐性、耐熱性及びエッチング耐性に優れるレジスト下層膜を形成できるレジスト下層膜形成用組成物の提供を目的とする。本発明は、下記式(1)で表される部分構造を有する化合物と、溶媒とを含有するレジスト下層膜形成用組成物である。下記式(1)中、Xは、下記式(i)、(ii)、(iii)又は(iv)で表される基である。下記式(i)中、R 1 及びR 2 は、それぞれ独立して、水素原子、ヒドロキシ基、置換若しくは非置換の炭素数1〜20の1価の脂肪族炭化水素基又は置換若しくは非置換の炭素数7〜20のアラルキル基であるか、又はR 1 とR 2 とが互いに合わせられこれらが結合する炭素原子と共に構成される環員数3〜20の環構造の一部を表す。但し、R 1 及びR 2 が、水素原子、ヒドロキシ基又はこれらの組み合わせである場合を除く。

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