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公开(公告)号：JP2019144553A
公开(公告)日：2019-08-29
申请号：JP2019029900
申请日：2019-02-21
Applicant: JSR株式会社 , コーネル・ユニバーシティー , CORNELL UNIVERSITY
Inventor： 酒井 一憲 , シュー ホン , オーバー クリストファー ケー. , ジャンネリス エマニュエル ピー.
Abstract: 【課題】パターン形成性及びスカム抑制性に優れる感放射線性組成物の提供を目的とする。 【解決手段】本発明は、金属酸化物を主成分とする複数の粒子と、有機溶媒とを含有し、上記複数の粒子の濃度1質量%、25℃のプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート溶液に対する動的光散乱法による体積基準の粒子径分布測定結果における90%累積径(D90)の50%累積径(D50)に対する比(D90/D50)が1.0以上1.3以下である感放射線性組成物である。 【選択図】なし
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公开(公告)号：JPWO2018051930A1
公开(公告)日：2019-07-04
申请号：JP2017032592
申请日：2017-09-08
Applicant: JSR株式会社
IPC: C07D265/16 , C07D265/12 , C07D413/14 , C08F8/32 , G03F7/11
Abstract: 平坦性に優れると共に溶媒耐性及びエッチング耐性に優れるレジスト下層膜を形成できるレジスト下層膜形成用組成物、レジスト下層膜及びその形成方法並びにパターニングされた基板の製造方法の提供を目的とする。本発明は、芳香環に縮合したオキサジン環を有する第1化合物と、溶媒とを含有するレジスト下層膜形成用組成物である。上記第1化合物は、下記式(1)で表される部分構造を有することが好ましい。下記式(1)中、R 2 〜R 5 は、それぞれ独立して、水素原子又は炭素数1〜20の1価の有機基である。Ar 1 は、炭素数6〜20のアレーンから(n+3)個又は(n+2)個の芳香環上の水素原子を除いた基である。R 6 は、ヒドロキシ基、ハロゲン原子、ニトロ基又は炭素数1〜20の1価の有機基である。nは、0〜9の整数である。
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公开(公告)号：JPWO2018074534A1
公开(公告)日：2019-08-29
申请号：JP2017037766
申请日：2017-10-18
Applicant: JSR株式会社
Abstract: 本発明は、下記式(1)で表される基を有する化合物と、溶媒とを含有するレジスト下層膜形成用組成物である。下記式(1)中、R 1 は、炭素数2〜10の(m+n)価の有機基であって、互いに隣接する2個の炭素原子を有し、上記2個の炭素原子の一方にヒドロキシ基又はアルコキシ基が、他方に水素原子結合している。L 1 は、エチンジイル基又は置換若しくは非置換のエテンジイル基である。R 2 は、水素原子又は炭素数1〜20の1価の有機基である。nは、1〜3の整数である。*は、上記化合物における上記式(1)で表される基以外の部分との結合部位を示す。mは、1〜3の整数である。
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公开(公告)号：JPWO2020040092A1
公开(公告)日：2021-09-02
申请号：JP2019032292
申请日：2019-08-19
Applicant: JSR株式会社 , コーネル・ユニバーシティー , CORNELL UNIVERSITY
Inventor： 酒井 一憲 , コズマ ヴァシリキ , オーバー クリストファー ケー. , ジャンネリス エマニュエル ピー.
Abstract: 解像性及び感度に優れるパターン形成方法の提供を目的とする。本発明は、基板に直接又は間接に、下記式(1)で表される錯体及び有機溶媒を含有する感放射線性組成物を塗工する工程と、上記塗工工程により形成された膜を紫外線、遠紫外線、極端紫外線又は電子線で露光する工程と、上記露光工程後の上記膜を現像する工程とを備えるパターン形成方法である。下記式(1)中、Mは、亜鉛原子、コバルト原子、ニッケル原子、ハフニウム原子、ジルコニウム原子、チタン原子、鉄原子、クロム原子、マンガン原子又はインジウム原子である。Lは、下記式(2)で表される化合物に由来する配位子である。下記式(2)中、R 1 及びR 2 は、それぞれ独立して、−C(=O)−R A 、−C(=O)−OR B 又は−CNである。
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公开(公告)号：JPWO2019220835A1
公开(公告)日：2021-05-27
申请号：JP2019016189
申请日：2019-04-15
Applicant: JSR株式会社
Inventor： 酒井 一憲
Abstract: 感度及びスカム抑制性に優れるパターン形成方法及び感放射線性組成物の提供を目的とする。本発明は、基板に直接又は間接に、金属酸化物を主成分とする粒子、ラジカル捕捉剤及び有機溶媒を含有する感放射線性組成物を塗工する工程と、上記塗工工程により形成された膜を極端紫外線又は電子線で露光する工程と、上記露光工程後の膜を現像する工程とを備えるパターン形成方法である。また、別の本発明は、金属酸化物を主成分とする粒子と、ラジカル捕捉剤と、有機溶媒とを含有する感放射線性組成物である。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：JP6264246B2
公开(公告)日：2018-01-24
申请号：JP2014192000
申请日：2014-09-19
Applicant: JSR株式会社
IPC: G03F7/11 , H01L21/027 , C09D7/40 , C09D171/08 , C07C255/54 , C09D201/02
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公开(公告)号：JP2016044272A
公开(公告)日：2016-04-04
申请号：JP2014170881
申请日：2014-08-25
Applicant: JSR株式会社
Abstract: 【課題】PGMEA等への溶媒溶解性に優れ、エッチング耐性等の一般特性を十分満たしつつ耐熱性及び平坦性に優れる膜を形成できる膜形成用組成物の提供を目的とする。 【解決手段】本発明は、下記式(1)で表される部分構造を有し、かつ分子間結合形成基を有する化合物、及び溶媒を含有する膜形成用組成物である。下記式(1)中、X 1 及びX 2 は、それぞれ独立して、スピロ炭素原子及び芳香環の炭素原子と共に構成される置換又は非置換の環員数4〜10の環構造を表す。a1及びa2は、それぞれ独立して、0〜8の整数である。n1及びn2は、それぞれ独立して、0〜2の整数である。k1及びk2は、それぞれ独立して、0〜8の整数である。但し、k1+k2は1以上である。 【選択図】なし
Abstract translation: 要解决的问题：提供一种用于形成对PGMEA等具有优异的溶剂溶解性的膜的组合物，并且能够在充分满足诸如抗蚀刻性等的一般性能的同时形成耐热性和平坦性优异的膜。 提供了一种用于形成具有由下式（1）表示的部分结构并含有具有分子间键形成基团和溶剂的化合物的膜的组合物。 （1）中，X和X各自独立地表示具有4〜10个与螺环碳原子和芳香环的碳原子一起构成的环成员的取代或未取代的环结构，a1和a2各自独立地为0〜8的整数， n1和n2各自独立地为0〜2的整数，k1和k2各自独立地为0〜8的整数，但k1 + k2为1以上。选择图：无
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公开(公告)号：JPWO2019049795A1
公开(公告)日：2020-11-19
申请号：JP2018032434
申请日：2018-08-31
Applicant: JSR株式会社
IPC: G03F7/11 , G03F7/26 , G03F7/20 , H01L21/027 , C08G83/00 , C09D201/02
Abstract: 溶媒耐性を維持しつつ、平坦性、ウェット剥離耐性及びパターンの曲り耐性に優れる膜を形成できる組成物、膜、膜の形成方法及びパターニングされた基板の製造方法の提供を目的とする。本発明は、下記式(1)で表される基を有し、分子量が200以上であり、炭素原子の含有率が40質量%以上である化合物と、溶媒とを含有する組成物である。下記式(1)中、R 1 及びR 2 は、それぞれ独立して、水素原子、フッ素原子、炭素数1〜20の1価の炭化水素基若しくは炭素数1〜20の1価のフッ素化炭化水素基であるか、又はこれらの基が互いに合わせられこれらが結合する炭素原子と共に構成される環員数3〜20の脂環構造の一部である。Ar 1 は、環員数6〜20のアレーン又はヘテロアレーンから(n+3)個の水素原子を除いた基である。Xは、酸素原子、−CR 3 R 4 −、−CR 3 R 4 −O−又は−O−CR 3 R 4 −である。
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