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    レジスト下層膜形成用組成物、レジスト下層膜及びその形成方法、パターニングされた基板の製造方法並びに化合物
    1.
    发明专利
    レジスト下層膜形成用組成物、レジスト下層膜及びその形成方法、パターニングされた基板の製造方法並びに化合物 审中-公开

    公开(公告)号：JPWO2019098109A1

    公开(公告)日：2020-12-17

    申请号：JP2018041410

    申请日：2018-11-07

    Applicant: JSR株式会社

    Inventor： 野坂 直矢 ,  松村 裕史 ,  中津 大貴 ,  高梨 和憲 ,  中川 大樹

    IPC: G03F7/40 ,  H01L21/027 ,  G03F7/11

    Abstract: 有機溶媒耐性を維持しつつ、平坦性及びパターンの曲り耐性に優れるレジスト下層膜を形成できるレジスト下層膜形成用組成物、レジスト下層膜、レジスト下層膜の形成方法、パターニングされた基板の製造方法及び化合物の提供を目的とする。本発明は、下記式(1)で表される化合物と、溶媒とを含有するレジスト下層膜形成用組成物である。下記式(1)中、Ar 1 は、環員数5〜20のm価の芳香族複素環基である。mは、1〜11の整数である。Ar 2 は、Ar 1 における芳香族複素環の炭素原子に結合する基であって、環員数6〜20の(n+1)価の芳香族炭素環基又は環員数5〜20の(n+1)価の芳香族複素環基である。nは、0〜12の整数である。R 1 は、炭素数1〜20の1価の有機基、ヒドロキシ基、ハロゲン原子又はニトロ基である。

    半導体基板洗浄用組成物
    2.
    发明专利
    半導体基板洗浄用組成物 审中-公开

    公开(公告)号：JPWO2018190278A1

    公开(公告)日：2020-05-14

    申请号：JP2018014804

    申请日：2018-04-06

    Applicant: JSR株式会社

    Inventor： 青木 俊 ,  鄭 康巨 ,  松木 智裕 ,  酒井 達也 ,  望田 憲嗣 ,  松村 裕史

    IPC: C11D7/22 ,  C11D7/26 ,  C11D7/50 ,  C08L61/06 ,  C08K5/09 ,  H01L21/304

    Abstract: 本発明は、基板表面の微小なパーティクルを効率よく除去でき、かつ形成された膜を基板表面から容易に除去することができる半導体基板洗浄用組成物の提供を目的とする。本発明の半導体基板洗浄用組成物は、ノボラック樹脂と、重合体でない有機酸と、溶媒とを含有し、固形分濃度が20質量%以下である。上記有機酸が、カルボン酸であるとよい。上記カルボン酸が、モノカルボン酸、ポリカルボン酸又はこれらの組み合わせであるとよい。上記有機酸の分子量としては、50以上500以下が好ましい。上記ノボラック樹脂10質量部に対する上記有機酸の含有量としては、0.001質量部以上10質量部以下が好ましい。上記溶媒が、エーテル系溶媒、アルコール系溶媒、又はこれらの組み合わせであるとよい。上記溶媒におけるエーテル系溶媒、アルコール系溶媒、又はこれらの組み合わせの含有割合としては、50質量%以上が好ましい。

    膜形成用組成物、膜、レジスト下層膜の形成方法、パターニングされた基板の製造方法及び化合物
    3.
    发明专利
    膜形成用組成物、膜、レジスト下層膜の形成方法、パターニングされた基板の製造方法及び化合物 审中-公开

    公开(公告)号：JPWO2017208796A1

    公开(公告)日：2019-03-28

    申请号：JP2017018222

    申请日：2017-05-15

    Applicant: JSR株式会社

    Inventor： 野坂 直矢 ,  若松 剛史 ,  阿部 翼 ,  松村 裕史 ,  三宅 正之 ,  滝本 嘉夫

    IPC: G03F7/11 ,  H01L21/027 ,  C08F34/02

    Abstract: 平坦性に優れると共に溶媒耐性、エッチング耐性及び耐熱性に優れる膜を形成できる膜形成用組成物、膜、レジスト下層膜の形成方法、パターニングされた基板の製造方法及び化合物の提供を目的とする。本発明は、下記式(1)で表される基を有する化合物と、溶媒とを含有する膜形成用組成物である。下記式(1)中、R 1 〜R 4 は、それぞれ独立して、水素原子又は炭素数1〜20の1価の有機基であるか、又はこれらの基が互いに合わせられこれらが結合する炭素原子若しくは炭素鎖と共に構成される環員数3〜20の環構造を表す。Ar 1 は、炭素数6〜20のアレーンから(n+3)個の芳香環上の水素原子を除いた基である。R 5 は、ヒドロキシ基、ハロゲン原子、ニトロ基又は炭素数1〜20の1価の有機基である。nは、0〜9の整数である。

    レジスト下層膜形成用組成物、レジスト下層膜及びパターニングされた基板の製造方法
    4.
    发明专利
    レジスト下層膜形成用組成物、レジスト下層膜及びパターニングされた基板の製造方法 审中-公开

    公开(公告)号：JPWO2017141612A1

    公开(公告)日：2018-12-13

    申请号：JP2017001616

    申请日：2017-01-18

    Applicant: JSR株式会社

    Inventor： 若松 剛史 ,  野坂 直矢 ,  阿部 翼 ,  酒井 一憲 ,  松村 裕史 ,  生井 準人

    IPC: G03F7/11

    CPC classification number: G03F7/039 ,  G03F7/11 ,  G03F7/26 ,  H01L21/027

    Abstract: 平坦性に優れると共に溶媒耐性、エッチング耐性及び耐熱性に優れるレジスト下層膜を形成でき、かつ保存安定性にも優れるレジスト下層膜形成用組成物の提供を目的とする。本発明は、下記式(1)で表される第1基と芳香環を含む部分構造とを有する第1化合物、及び溶媒を含有するレジスト下層膜形成用組成物である。下記式(1)中、R 1 は、単結合又は酸素原子である。R 2 は、炭素数1〜30の2価の鎖状又は脂環の炭化水素基である。*は、上記第1化合物における上記第1基以外の部分との結合部位を示す。上記第1基は、シアノアルキル基又はシアノアルキルオキシ基が好ましい。上記第1化合物は、上記第1基が結合する芳香環を有する化合物が好ましい。

    レジスト下層膜形成用組成物、レジスト下層膜及びパターニングされた基板の製造方法
    6.
    发明专利
    レジスト下層膜形成用組成物、レジスト下層膜及びパターニングされた基板の製造方法 审中-公开
    用于形成耐下层膜，耐下漆膜的组合物和用于制造图案基材的方法

    公开(公告)号：JP2016167047A

    公开(公告)日：2016-09-15

    申请号：JP2015207573

    申请日：2015-10-21

    Applicant: JSR株式会社

    Inventor： 若松 剛史 ,  野坂 直矢 ,  松村 裕史 ,  滝本 嘉夫 ,  阿部 翼 ,  木村 徹

    IPC: H01L21/027 ,  G03F7/11

    Abstract: 【課題】溶媒としてPGMEA等を用いることができ、溶媒耐性、エッチング耐性、耐熱性及び埋め込み性に優れるレジスト下層膜を形成できるレジスト下層膜形成用組成物の提供する。 【解決手段】炭素−炭素三重結合を含む基を有し、かつ芳香環を含む部分構造を有し、芳香環を構成するベンゼン核の部分構造中の合計数が4以上である化合物、及び溶媒を含有するレジスト下層膜形成用組成物。 【選択図】なし

    Abstract translation: 要解决的问题：为了提供可以使用PGMEA等作为溶剂的抗蚀底膜形成用组合物，耐溶剂性，耐蚀性，耐热性和嵌入性优异的抗蚀剂底衬层可以由其形成 形成抗蚀剂底层膜的组合物包括：具有碳 - 碳三键基团和包含芳环的部分结构的化合物，其中构成芳环的苯核总数在 部分结构为4以上; 和溶剂。选择图：无

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