公开(公告)号：JP6721837B2

公开(公告)日：2020-07-15

申请号：JP2017542997

申请日：2016-08-09

Applicant: JSR株式会社

Inventor： ▲鄭▼ 康巨 ,  松村 裕史 ,  滝本 嘉夫

IPC: C11D3/43 ,  C11D3/37 ,  H01L21/304

公开(公告)号：JP6477687B2

公开(公告)日：2019-03-06

申请号：JP2016510193

申请日：2015-03-04

Applicant: JSR株式会社

Inventor： 石川 真義 ,  田中 博允 ,  河津 智晴 ,  鈴木 準也 ,  瀬古 智昭 ,  滝本 嘉夫

IPC: H01L21/027 ,  C08L83/04 ,  G03F7/26

公开(公告)号：JP6311703B2

公开(公告)日：2018-04-18

申请号：JP2015508390

申请日：2014-03-19

Applicant: JSR株式会社

Inventor： 中藤 慎也 ,  豊川 郁宏 ,  若松 剛史 ,  滝本 嘉夫 ,  溝口 勝久 ,  岡田 敬 ,  宇野 高明 ,  遠藤 剛 ,  森次 正樹

IPC: C08G65/40 ,  C08L71/08 ,  C07C255/54 ,  G03F7/11

CPC classification number: G03F7/11 ,  C07C255/54 ,  C07D493/10 ,  C08G65/38 ,  C08G65/40 ,  C09D171/00 ,  C09D171/10 ,  G03F7/094 ,  G03F7/16 ,  G03F7/36 ,  H01L21/02118

公开(公告)号：JP5825177B2

公开(公告)日：2015-12-02

申请号：JP2012078445

申请日：2012-03-29

Applicant: JSR株式会社

Inventor： 高梨 和憲 ,  滝本 嘉夫 ,  森 隆

IPC: G03F7/039 ,  G03F7/038 ,  H01L21/027 ,  G03F7/11

公开(公告)号：JP6718123B2

公开(公告)日：2020-07-08

申请号：JP2017519099

申请日：2016-04-27

Applicant: JSR株式会社

Inventor： 藤田 賢治 ,  滝本 嘉夫 ,  ▲鄭▼ 康巨

IPC: H01L21/304

公开(公告)号：JPWO2017208796A1

公开(公告)日：2019-03-28

申请号：JP2017018222

申请日：2017-05-15

Applicant: JSR株式会社

Inventor： 野坂 直矢 ,  若松 剛史 ,  阿部 翼 ,  松村 裕史 ,  三宅 正之 ,  滝本 嘉夫

IPC: G03F7/11 ,  H01L21/027 ,  C08F34/02

Abstract: 平坦性に優れると共に溶媒耐性、エッチング耐性及び耐熱性に優れる膜を形成できる膜形成用組成物、膜、レジスト下層膜の形成方法、パターニングされた基板の製造方法及び化合物の提供を目的とする。本発明は、下記式(1)で表される基を有する化合物と、溶媒とを含有する膜形成用組成物である。下記式(1)中、R 1 〜R 4 は、それぞれ独立して、水素原子又は炭素数1〜20の1価の有機基であるか、又はこれらの基が互いに合わせられこれらが結合する炭素原子若しくは炭素鎖と共に構成される環員数3〜20の環構造を表す。Ar 1 は、炭素数6〜20のアレーンから(n+3)個の芳香環上の水素原子を除いた基である。R 5 は、ヒドロキシ基、ハロゲン原子、ニトロ基又は炭素数1〜20の1価の有機基である。nは、0〜9の整数である。

公开(公告)号：JP6311702B2

公开(公告)日：2018-04-18

申请号：JP2015508171

申请日：2014-02-18

Applicant: JSR株式会社

Inventor： 中川 恭志 ,  酒井 達也 ,  栗田 俊輔 ,  出井 慧 ,  高梨 和憲 ,  滝本 嘉夫 ,  元成 正之

IPC: G03F7/038 ,  G03F7/039 ,  H01L21/027 ,  G03F7/20 ,  G03F7/11

CPC classification number: H01L21/3081 ,  C07F5/00 ,  C07F5/003 ,  C07F5/06 ,  C07F7/28 ,  C07F9/00 ,  C07F11/00 ,  C07F13/00 ,  G03F7/038 ,  G03F7/0382 ,  G03F7/039 ,  G03F7/0392 ,  G03F7/09 ,  G03F7/094 ,  G03F7/11 ,  G03F7/2041 ,  G03F7/322 ,  G03F7/325 ,  G03F7/36 ,  H01L21/0332

公开(公告)号：JP2016167047A

公开(公告)日：2016-09-15

申请号：JP2015207573

申请日：2015-10-21

Applicant: JSR株式会社

Inventor： 若松 剛史 ,  野坂 直矢 ,  松村 裕史 ,  滝本 嘉夫 ,  阿部 翼 ,  木村 徹

IPC: H01L21/027 ,  G03F7/11

Abstract: 【課題】溶媒としてPGMEA等を用いることができ、溶媒耐性、エッチング耐性、耐熱性及び埋め込み性に優れるレジスト下層膜を形成できるレジスト下層膜形成用組成物の提供する。 【解決手段】炭素−炭素三重結合を含む基を有し、かつ芳香環を含む部分構造を有し、芳香環を構成するベンゼン核の部分構造中の合計数が4以上である化合物、及び溶媒を含有するレジスト下層膜形成用組成物。 【選択図】なし

Abstract translation: 要解决的问题：为了提供可以使用PGMEA等作为溶剂的抗蚀底膜形成用组合物，耐溶剂性，耐蚀性，耐热性和嵌入性优异的抗蚀剂底衬层可以由其形成 形成抗蚀剂底层膜的组合物包括：具有碳 - 碳三键基团和包含芳环的部分结构的化合物，其中构成芳环的苯核总数在 部分结构为4以上; 和溶剂。选择图：无

公开(公告)号：JP5938989B2

公开(公告)日：2016-06-22

申请号：JP2012078446

申请日：2012-03-29

Applicant: JSR株式会社

Inventor： 高梨 和憲 ,  滝本 嘉夫 ,  森 隆 ,  栗田 俊輔 ,  元成 正之

IPC: G03F7/26 ,  G03F7/32 ,  G03F7/038 ,  G03F7/039 ,  H01L21/027 ,  G03F7/11

公开(公告)号：JP6458799B2

公开(公告)日：2019-01-30

申请号：JP2016510192

申请日：2015-03-04

Applicant: JSR株式会社

Inventor： 青木 俊 ,  田中 博允 ,  若松 剛史 ,  滝本 嘉夫 ,  石川 真義 ,  木村 徹

IPC: G03F7/09 ,  G03F7/11 ,  G03F7/26 ,  H01L21/027 ,  G03F7/20 ,  C08G8/20 ,  G03F7/40