公开(公告)号：CN119530728A

公开(公告)日：2025-02-28

申请号：CN202411723529.6

申请日：2019-09-20

Applicant: JX金属株式会社

Inventor： 古谷祐树

IPC: C23C14/34 ,  B22F3/10 ,  C22C19/07 ,  C22C30/00

Abstract: 本发明涉及溅射靶以及溅射靶的制造方法。一种溅射靶的制造方法，其包括以下步骤：准备10mol％以上且85mol％以下的Co、0mol％以上且47mol％以下的Pt、0mol％以上且47mol％以下的Cr作为金属粉末，向所述金属粉末中至少加入0.3mol％以上且4.0mol％以下的B6O作为氧化物粉末进行混合，在900℃～1200℃下对所得到的粉末进行烧结，得到溅射靶，所述溅射靶在将Cu设为射线源的XRD衍射图谱的2θ＝30～35°的范围具有B6O(110)的衍射峰，在2θ＝35～40°的范围具有B6O(104)的衍射峰，且B溶出量为500μg/L/cm2以下。

公开(公告)号：CN113692457A

公开(公告)日：2021-11-23

申请号：CN201980095022.1

申请日：2019-09-20

Applicant: JX金属株式会社

Inventor： 古谷祐树

IPC: C23C14/34 ,  B22F3/10 ,  C04B35/00 ,  C22C1/05 ,  C22C5/04 ,  C22C19/07 ,  C22C30/00 ,  C22C32/00

Abstract: 本发明提供一种能减少颗粒的产生的、更均质的溅射靶及其制造方法。一种溅射靶，其特征在于，包含10mol％以上且85mol％以下的Co、0mol％以上且47mol％以下的Pt、0mol％以上且47mol％以下的Cr作为金属成分，至少包含B6O作为氧化物成分。

公开(公告)号：CN111886359A

公开(公告)日：2020-11-03

申请号：CN201880091597.1

申请日：2018-09-28

Applicant: JX金属株式会社

Inventor： 古谷祐树

IPC: C23C14/34 ,  C22C19/07 ,  G11B5/851

Abstract: 本发明提供一种在溅射靶的寿命全程中微粒产生个数较少的溅射靶。该溅射靶是Co为50～90at％、Ru为10～50at％、余量由杂质组成的溅射靶，其特征在于，在所述杂质中，氧超过10000wtppm，碳为50wtppm以下。