公开(公告)号：CN111492093A

公开(公告)日：2020-08-04

申请号：CN201880081712.7

申请日：2018-10-25

Applicant: JX金属株式会社

Inventor： 渡边拓人 ,  土田克之

IPC: C23C18/42 ,  C23C18/36 ,  C23C18/44 ,  H01L21/60

Abstract: 本发明的实施方式提供一种半导体晶片，在钝化膜与无电解镀镍被膜的界面产生的空隙得到抑制，且电极焊盘的全部表面被无电解镀镍被膜覆盖。本发明的一个方案的半导体晶片在基板上依次具有：电极焊盘(12)；覆盖基板上表面且具有使电极焊盘露出的开口部的钝化膜(11)；以及在电极焊盘(12)上的无电解镀镍被膜(13)、无电解镀钯被膜(14)和无电解镀金被膜(15)，对于在钝化膜(11)与无电解镀镍被膜(13)的界面存在的空隙，从空隙的前端至电极焊盘的表面为止的长度(x)为0.3μm以上，空隙的宽度(y)为0.2μm以下，且电极焊盘(12)的全部表面被无电解镀镍被膜(13)覆盖。

公开(公告)号：CN120035491A

公开(公告)日：2025-05-23

申请号：CN202380072141.1

申请日：2023-12-15

Applicant: JX金属株式会社

Inventor： 渡边裕文 ,  桑山靖弘 ,  土田克之 ,  达尔雅希尔·达纳吉·帕蒂尔 ,  奈尔·沙努博·巴拉钱德兰 ,  舒赫·霍尔桑德

IPC: B22F1/16 ,  B22F10/28 ,  B33Y10/00 ,  C22C9/00 ,  B22F1/052 ,  B33Y70/10

Abstract: 一种用于层叠造型的金属粉末，所述金属粉末包含：含铜粒子(1)，含有铜；以及激光吸收粉体(2)，附着于所述含铜粒子(1)的表面。

公开(公告)号：CN111315918B

公开(公告)日：2022-07-08

申请号：CN201880072855.1

申请日：2018-10-25

Applicant: JX金属株式会社

Inventor： 渡边拓人 ,  土田克之

IPC: C23C18/16 ,  C23C18/18 ,  C23C18/34 ,  C23C18/42 ,  C23C18/52 ,  H01L21/28 ,  H01L21/288 ,  H01L21/768 ,  H01L21/3205 ,  H01L23/522

Abstract: 本发明的实施方式的目的在于提供在具有Au电极焊盘的半导体基板中生产性优异的半导体基板及其制造方法。本发明的实施方式涉及的半导体基板，在Au电极焊盘上具有无电解Ni镀敷皮膜/无电解Pd镀敷皮膜/无电解Au镀敷皮膜、或者无电解Ni镀敷皮膜/无电解Au镀敷皮膜。本发明的实施方式涉及的半导体基板的制造方法通过以下的(1)～(6)所记载的工序，在Au电极焊盘上形成无电解Ni镀敷皮膜/无电解Pd镀敷皮膜/无电解Au镀敷皮膜、或者无电解Ni镀敷皮膜/无电解Au镀敷皮膜，(1)脱脂工序；(2)蚀刻工序；(3)预浸渍工序；(4)施加Pd催化剂的工序；(5)无电解Ni镀敷工序；(6)无电解Pd镀敷工序以及无电解Au镀敷工序、或者无电解Au镀敷工序。

公开(公告)号：CN111492093B

公开(公告)日：2022-03-15

申请号：CN201880081712.7

申请日：2018-10-25

Applicant: JX金属株式会社

Inventor： 渡边拓人 ,  土田克之

IPC: C23C18/42 ,  C23C18/36 ,  C23C18/44 ,  H01L21/60

Abstract: 本发明的实施方式提供一种半导体晶片，在钝化膜与无电解镀镍被膜的界面产生的空隙得到抑制，且电极焊盘的全部表面被无电解镀镍被膜覆盖。本发明的一个方案的半导体晶片在基板上依次具有：电极焊盘(12)；覆盖基板上表面且具有使电极焊盘露出的开口部的钝化膜(11)；以及在电极焊盘(12)上的无电解镀镍被膜(13)、无电解镀钯被膜(14)和无电解镀金被膜(15)，对于在钝化膜(11)与无电解镀镍被膜(13)的界面存在的空隙，从空隙的前端至电极焊盘的表面为止的长度(x)为0.3μm以上，空隙的宽度(y)为0.2μm以下，且电极焊盘(12)的全部表面被无电解镀镍被膜(13)覆盖。

公开(公告)号：CN111315918A

公开(公告)日：2020-06-19

申请号：CN201880072855.1

申请日：2018-10-25

Applicant: JX金属株式会社

Inventor： 渡边拓人 ,  土田克之

IPC: C23C18/16 ,  C23C18/18 ,  C23C18/34 ,  C23C18/42 ,  C23C18/52 ,  H01L21/28 ,  H01L21/288 ,  H01L21/768 ,  H01L21/3205 ,  H01L23/522

Abstract: 本发明的实施方式的目的在于提供在具有Au电极焊盘的半导体基板中生产性优异的半导体基板及其制造方法。本发明的实施方式涉及的半导体基板，在Au电极焊盘上具有无电解Ni镀敷皮膜/无电解Pd镀敷皮膜/无电解Au镀敷皮膜、或者无电解Ni镀敷皮膜/无电解Au镀敷皮膜。本发明的实施方式涉及的半导体基板的制造方法通过以下的(1)～(6)所记载的工序，在Au电极焊盘上形成无电解Ni镀敷皮膜/无电解Pd镀敷皮膜/无电解Au镀敷皮膜、或者无电解Ni镀敷皮膜/无电解Au镀敷皮膜，(1)脱脂工序；(2)蚀刻工序；(3)预浸渍工序；(4)施加Pd催化剂的工序；(5)无电解Ni镀敷工序；(6)无电解Pd镀敷工序以及无电解Au镀敷工序、或者无电解Au镀敷工序。