溅射靶、磁性膜和磁性膜的制造方法

    公开(公告)号:CN111183243A

    公开(公告)日:2020-05-19

    申请号:CN201880004047.1

    申请日:2018-09-11

    Abstract: 本发明的课题在于提供一种可形成兼具磁性颗粒间的良好的磁分离性和高矫顽力的磁性膜的溅射靶、磁性膜和磁性膜的制造方法。本发明的解决方案在于本发明的溅射靶以原子比换算计含有1at.%以上的Zn,其一部分或全部形成Zn-Ti-O和/或Zn-Si-O的复合氧化物,Pt为45at.%以下,余量包含Co和不可避免的杂质。

    垂直磁记录介质
    8.
    发明公开

    公开(公告)号:CN111971745A

    公开(公告)日:2020-11-20

    申请号:CN201880091890.8

    申请日:2018-09-21

    Abstract: 本发明的垂直磁记录介质具有颗粒层(2)和盖层(3)作为构成记录层(1)的至少一部分的层,所述颗粒层(2)包含金属氧化物作为非磁性体且磁性体分散于所述非磁性体,所述盖层(3)形成于所述颗粒层(2)上且不包含金属氧化物,所述盖层(3)的正下方的颗粒层的与盖层的边界部分的氧化物相含有选自由Zn、W、Mn、Fe以及Mo构成的组中的至少一种。

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