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公开(公告)号:CN109819662A
公开(公告)日:2019-05-28
申请号:CN201880003684.7
申请日:2018-08-16
Applicant: JX金属株式会社
Abstract: 本发明的溅镀靶含有Co与选自由Cr及Ru组成的群中之一种以上的金属作为金属成分,上述选自由Cr及Ru组成的群中之一种以上的金属的含量相对于Co的含量的摩尔比为1/2以上,且含有Nb2O5作为金属氧化物成分。
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公开(公告)号:CN113817993B
公开(公告)日:2024-06-18
申请号:CN202111090388.5
申请日:2018-08-16
Applicant: JX金属株式会社
IPC: C23C14/34 , C23C14/16 , B22F3/14 , B22F3/105 , C22C1/05 , C22C32/00 , G11B5/73 , G11B5/84 , G11B5/851 , H01F41/18
Abstract: 本发明涉及溅镀靶、积层膜的制造方法、积层膜及磁记录媒体,其中该溅镀靶含有Co与选自由Cr及Ru组成的群中之一种以上的金属作为金属成分,上述选自由Cr及Ru组成的群中之一种以上的金属的含量相对于Co的含量的摩尔比为1/2以上,且含有Nb2O5作为金属氧化物成分。
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公开(公告)号:CN109819662B
公开(公告)日:2021-11-23
申请号:CN201880003684.7
申请日:2018-08-16
Applicant: JX金属株式会社
Abstract: 本发明的溅镀靶含有Co与选自由Cr及Ru组成的群中之一种以上的金属作为金属成分,上述选自由Cr及Ru组成的群中之一种以上的金属的含量相对于Co的含量的摩尔比为1/2以上,且含有Nb2O5作为金属氧化物成分。
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公开(公告)号:CN118979229A
公开(公告)日:2024-11-19
申请号:CN202410943183.4
申请日:2018-08-16
Applicant: JX金属株式会社
Abstract: 本发明涉及溅镀靶、积层膜的制造方法、积层膜及磁记录媒体。具体为,溅镀靶含有Co及Pt作为金属成分,Pt的含量相对于Co的含量的摩尔比为5/100~45/100,且含有Nb2O5作为金属氧化物成分。
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公开(公告)号:CN113817993A
公开(公告)日:2021-12-21
申请号:CN202111090388.5
申请日:2018-08-16
Applicant: JX金属株式会社
IPC: C23C14/34 , C23C14/16 , B22F3/14 , B22F3/105 , C22C1/05 , C22C1/10 , C22C32/00 , G11B5/73 , G11B5/84 , G11B5/851 , H01F41/18
Abstract: 本发明涉及溅镀靶、积层膜的制造方法、积层膜及磁记录媒体,其中该溅镀靶含有Co与选自由Cr及Ru组成的群中之一种以上的金属作为金属成分,上述选自由Cr及Ru组成的群中之一种以上的金属的含量相对于Co的含量的摩尔比为1/2以上,且含有Nb2O5作为金属氧化物成分。
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公开(公告)号:CN111971745A
公开(公告)日:2020-11-20
申请号:CN201880091890.8
申请日:2018-09-21
Applicant: JX金属株式会社
Abstract: 本发明的垂直磁记录介质具有颗粒层(2)和盖层(3)作为构成记录层(1)的至少一部分的层,所述颗粒层(2)包含金属氧化物作为非磁性体且磁性体分散于所述非磁性体,所述盖层(3)形成于所述颗粒层(2)上且不包含金属氧化物,所述盖层(3)的正下方的颗粒层的与盖层的边界部分的氧化物相含有选自由Zn、W、Mn、Fe以及Mo构成的组中的至少一种。
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公开(公告)号:CN119110856A
公开(公告)日:2024-12-10
申请号:CN202380034562.5
申请日:2023-05-26
Applicant: JX金属株式会社
IPC: C23C14/34 , B22F1/00 , C22C1/05 , C22C1/10 , C22C5/04 , C22C19/07 , C22C32/00 , C23C14/06 , G11B5/706 , G11B5/851 , H01F10/16 , H01F41/18
Abstract: 本发明提供一种能够维持磁记录介质的磁性层中的高矫顽力,同时能够提高磁性粒子间的磁分离性的溅射靶。该溅射靶,含有Co以及Pt作为金属成分,含有NbO2作为金属氧化物成分。或者,该溅射靶,含有Co以及Pt作为金属成分,且具有含Co、Nb和O三者的相。
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