溅射靶及其制造方法
    2.
    发明公开

    公开(公告)号:CN119220940A

    公开(公告)日:2024-12-31

    申请号:CN202411358725.8

    申请日:2018-03-16

    Abstract: 本发明提供一种溅射靶及其制造方法,该溅射靶是靶部和背衬板部均包含铜和不可避免的杂质的一体型溅射靶,该溅射靶的维氏硬度Hv为90以上,并且与溅射面正交的截面的晶粒的扁平率为0.35以上且0.65以下。

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