公开(公告)号：CN114574824A

公开(公告)日：2022-06-03

申请号：CN202210239950.4

申请日：2018-12-21

Applicant: JX金属株式会社

Inventor： 水藤耕介

IPC: C23C14/34 ,  C23C14/08 ,  C04B35/457 ,  C04B35/01 ,  C04B35/622

Abstract: 本发明提供一种在含有高浓度的Ga的Ga－Sn－O系溅射靶部件中，降低体电阻率(等同于“体积电阻率”。)的有效方法。一种溅射靶部件，其含有Ga、Sn以及O，余量由不可避免的杂质构成，Ga以及Sn的原子比满足0.33≤Ga/(Ga+Sn)≤0.75，粉末X射线衍射测量中的SnO2相的峰面积ISn与整体峰面积I之比ISn/I为0.02以上。

公开(公告)号：CN114592175A

公开(公告)日：2022-06-07

申请号：CN202210239964.6

申请日：2018-12-21

Applicant: JX金属株式会社

Inventor： 水藤耕介

IPC: C23C14/35 ,  C23C14/08

Abstract: 本发明提供一种在含有高浓度的Ga的Ga－Sn－O系溅射靶部件中，降低体电阻率(等同于“体积电阻率”。)的有效方法。一种溅射靶部件，其含有Ga、Sn以及O，余量由不可避免的杂质构成，Ga以及Sn的原子比满足0.33≤Ga/(Ga+Sn)≤0.75，粉末X射线衍射测量中的SnO2相的峰面积ISn与整体峰面积I之比ISn/I为0.02以上。

公开(公告)号：CN110317053B

公开(公告)日：2022-03-29

申请号：CN201811569762.8

申请日：2018-12-21

Applicant: JX金属株式会社

Inventor： 水藤耕介

IPC: C04B35/457 ,  C04B35/01 ,  C04B35/622 ,  C04B35/64 ,  C23C14/34 ,  C23C14/35

Abstract: 本发明提供一种在含有高浓度的Ga的Ga－Sn－O系溅射靶部件中，降低体电阻率(等同于“体积电阻率”。)的有效方法。一种溅射靶部件，其含有Ga、Sn以及O，余量由不可避免的杂质构成，Ga以及Sn的原子比满足0.33≤Ga/(Ga+Sn)≤0.75，粉末X射线衍射测量中的SnO2相的峰面积ISn与整体峰面积I之比ISn/I为0.02以上。

公开(公告)号：CN110317053A

公开(公告)日：2019-10-11

申请号：CN201811569762.8

申请日：2018-12-21

Applicant: JX金属株式会社

Inventor： 水藤耕介

IPC: C04B35/457 ,  C04B35/01 ,  C04B35/622 ,  C04B35/64 ,  C23C14/34 ,  C23C14/35

Abstract: 本发明提供一种在含有高浓度的Ga的Ga－Sn－O系溅射靶部件中，降低体电阻率(等同于“体积电阻率”。)的有效方法。一种溅射靶部件，其含有Ga、Sn以及O，余量由不可避免的杂质构成，Ga以及Sn的原子比满足0.33≤Ga/(Ga+Sn)≤0.75，粉末X射线衍射测量中的SnO2相的峰面积ISn与整体峰面积I之比ISn/I为0.02以上。