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公开(公告)号：CN111971412B
公开(公告)日：2022-08-16
申请号：CN201880042653.2
申请日：2018-09-28
Applicant: JX金属株式会社
Inventor： 荻野真一
IPC: C23C14/34 , B22F3/14 , B22F3/15 , B22F9/08 , C22C1/05 , C22C29/00 , C22C29/16 , C22C32/00 , C23C14/06 , G11B5/851
Abstract: 本申请提供一种颗粒的产生少、且含有Fe、Co、Cr、Pt中的一种以上的金属和C、BN中的一种以上的溅射靶的制造方法。一种溅射靶，其包含选自由Fe、Co、Cr和Pt构成的组中的一种以上的金属相和选自由C和BN构成的组中的一种以上的非金属相，A≤40，A/B≤1.7。其中，A为组织照片中的沿垂直方向划出的长500μm的线段上的金属相与非金属相的边界的数量，B为组织照片中的沿水平方向划出的长500μm的线段上的金属相与非金属相的边界的数量。
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公开(公告)号：CN111971412A
公开(公告)日：2020-11-20
申请号：CN201880042653.2
申请日：2018-09-28
Applicant: JX金属株式会社
Inventor： 荻野真一
IPC: C23C14/34 , B22F3/14 , B22F3/15 , B22F9/08 , C22C1/05 , C22C29/00 , C22C29/16 , C22C32/00 , C23C14/06 , G11B5/851
Abstract: 本申请提供一种颗粒的产生少、且含有Fe、Co、Cr、Pt中的一种以上的金属和C、BN中的一种以上的溅射靶的制造方法。一种溅射靶，其包含选自由Fe、Co、Cr和Pt构成的组中的一种以上的金属相和选自由C和BN构成的组中的一种以上的非金属相，A≤40，A/B≤1.7。其中，A为组织照片中的沿垂直方向划出的长500μm的线段上的金属相与非金属相的边界的数量，B为组织照片中的沿水平方向划出的长500μm的线段上的金属相与非金属相的边界的数量。
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公开(公告)号：CN111133126B
公开(公告)日：2022-06-21
申请号：CN201880004613.9
申请日：2018-09-28
Applicant: JX金属株式会社
IPC: C23C14/34
Abstract: 提供一种强磁性材料溅射靶，在磁控溅射装置能够获得稳定的放电，并且溅射时的颗粒产生少，提高了漏磁通。溅射靶具备由Co或Co合金构成的多个金属粒子(A)、以及填埋在该多个金属粒子间的隙间中的Co或Co合金与金属氧化物相互彼此分散的复合相(B)，构成多个金属粒子(A)的Co或Co合金中的Co浓度与构成复合相(B)的Co或Co合金中的Co浓度之差为5at％以下，多个金属粒子(A)相对于多个金属粒子(A)以及复合相(B)的合计面积的面积比率为20～65％。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112020571A
公开(公告)日：2020-12-01
申请号：CN201980014345.3
申请日：2019-09-20
Applicant: JX金属株式会社
Inventor： 荻野真一
Abstract: 本发明提供一种即使在含有硼的氧化物的溅射靶这类的表面容易因水分产生变质的溅射靶中，也能够有效地抑制表面变质的包装物的制作方法。溅射靶的包装物的制作方法包括：步骤1，将溅射靶收纳在由水蒸气穿透度为1g/(m2·24h)以下的膜形成的第一包装袋中后，对第一包装袋的开口部进行真空密封；步骤2，在将步骤1中真空密封的第一包装袋收纳到由水蒸气穿透度为1g/(m2·24h)以下的膜形成的第二包装袋中之后，在第二包装袋中封装从空气及惰性气体构成的群组中选择的一种或两种以上的缓冲气体，并密封第二包装袋的开口部。
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公开(公告)号：CN112020571B
公开(公告)日：2022-11-01
申请号：CN201980014345.3
申请日：2019-09-20
Applicant: JX金属株式会社
Inventor： 荻野真一
Abstract: 本发明提供一种即使在含有硼的氧化物的溅射靶这类的表面容易因水分产生变质的溅射靶中，也能够有效地抑制表面变质的包装物的制作方法。溅射靶的包装物的制作方法包括：步骤1，将溅射靶收纳在由水蒸气穿透度为1g/(m2·24h)以下的膜形成的第一包装袋中后，对第一包装袋的开口部进行真空密封；步骤2，在将步骤1中真空密封的第一包装袋收纳到由水蒸气穿透度为1g/(m2·24h)以下的膜形成的第二包装袋中之后，在第二包装袋中封装从空气及惰性气体构成的群组中选择的一种或两种以上的缓冲气体，并密封第二包装袋的开口部。
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公开(公告)号：CN111183244B
公开(公告)日：2022-03-08
申请号：CN201880004278.2
申请日：2018-09-11
Applicant: JX金属株式会社
Inventor： 荻野真一
Abstract: 本发明提供一种漏磁通高，在溅射时能够减少微粒的产生的Co－Pt系强磁性材料溅射靶。其是以Co∶Pt＝X∶100－X(59≤X＜100)的摩尔比，含有合计70mol％以上的金属Co以及金属Pt，含有0mol％以上20mol％以下的金属Cr的强磁性材料溅射靶，其中，具有：Co粒子相，其含有90mol％以上的金属Co，平均粒径为30～300μm；Co－Pt合金粒子相，其在以摩尔比Co∶Pt＝Y∶100－Y(20≤Y≤60.5)的条件下，含有合计70mol％以上的金属Co以及金属Pt，且平均粒径为7μm以下。
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公开(公告)号：CN111183244A
公开(公告)日：2020-05-19
申请号：CN201880004278.2
申请日：2018-09-11
Applicant: JX金属株式会社
Inventor： 荻野真一
Abstract: 本发明提供一种漏磁通高，在溅射时能够减少微粒的产生的Co－Pt系强磁性材料溅射靶。其是以Co∶Pt＝X∶100－X(59≤X＜100)的摩尔比，含有合计70mol％以上的金属Co以及金属Pt，含有0mol％以上20mol％以下的金属Cr的强磁性材料溅射靶，其中，具有：Co粒子相，其含有90mol％以上的金属Co，平均粒径为30～300μm；Co－Pt合金粒子相，其在以摩尔比Co∶Pt＝Y∶100－Y(20≤Y≤60.5)的条件下，含有合计70mol％以上的金属Co以及金属Pt，且平均粒径为7μm以下。
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公开(公告)号：CN111133126A
公开(公告)日：2020-05-08
申请号：CN201880004613.9
申请日：2018-09-28
Applicant: JX金属株式会社
IPC: C23C14/34
Abstract: 提供一种强磁性材料溅射靶，在磁控溅射装置能够获得稳定的放电，并且溅射时的颗粒产生少，提高了漏磁通。溅射靶具备由Co或Co合金构成的多个金属粒子(A)、以及填埋在该多个金属粒子间的隙间中的Co或Co合金与金属氧化物相互彼此分散的复合相(B)，构成多个金属粒子(A)的Co或Co合金中的Co浓度与构成复合相(B)的Co或Co合金中的Co浓度之差为5at％以下，多个金属粒子(A)相对于多个金属粒子(A)以及复合相(B)的合计面积的面积比率为20～65％。
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