公开(公告)号：DE112015004199T5

公开(公告)日：2017-06-14

申请号：DE112015004199

申请日：2015-09-15

Applicant: KEMET ELECTRONICS CORP

Inventor： HUSSEY STEVE C ,  CISSON JIMMY DALE ,  LESSNER PHILIP M ,  FREEMAN YURI

IPC: H01G9/00 ,  H01G9/042 ,  H01G9/052 ,  H01G9/15

Abstract: Ein verbesserter Kondensator (10) und ein Verfahren zur Bildung eines verbesserten Kondensators (10) werden ausgeführt. Das Verfahren umfasst das Bilden einer Tantalanode (11) aus einem Tantalpulver mit einer Pulverladung von nicht mehr als 40.000 µC; Bilden eines Dielektrikums (12) an der Anode durch anodische Oxidation bei einer Formierungsspannung von nicht mehr als 100V; und Bilden einer leitfähigen Polymerkathode (13) auf dem Dielektrikum (12), wobei der Kondensator (10) eine Durchbruchspannung aufweist, die höher ist als die Formierungsspannung.