公开(公告)号：WO2009140274A2

公开(公告)日：2009-11-19

申请号：PCT/US2009043623

申请日：2009-05-12

Applicant: KEMET ELECTRONICS CORP ,  FREEMAN YURI ,  LESSNER PHILIP M ,  POLTORAK JEFFREY ,  HUSSEY STEVEN C

Inventor： FREEMAN YURI ,  LESSNER PHILIP M ,  POLTORAK JEFFREY ,  HUSSEY STEVEN C

IPC: H01G4/005 ,  H01G4/228

CPC classification number: H01G9/052 ,  B22F7/08 ,  B22F2999/00 ,  H01G9/15 ,  Y10T29/417 ,  B22F3/10 ,  B22F2201/40 ,  B22F2207/17

Abstract: A method for treating anodes of refractory valve metals by deoxidizing the anodes using Mg in an oven, prior to sintering. The process limits free oxygen in the metal compact and improves performance of a capacitor, especially with regards to rated voltage.

Abstract translation: 在烧结之前，通过烘箱中的Mg使阳极脱氧来处理耐火阀金属的阳极的方法。 该工艺限制了金属结构中的游离氧，并改善了电容器的性能，特别是在额定电压方面。

公开(公告)号：WO2010123936A2

公开(公告)日：2010-10-28

申请号：PCT/US2010031801

申请日：2010-04-20

Applicant: KEMET ELECTRONICS CORP ,  FREEMAN YURI ,  QIU YONGJIAN ,  HUSSEY STEPHEN C ,  LESSNER PHILIP M

Inventor： FREEMAN YURI ,  QIU YONGJIAN ,  HUSSEY STEPHEN C ,  LESSNER PHILIP M

IPC: H01G4/008 ,  H01G4/018

CPC classification number: H01G9/15 ,  H01G9/012 ,  H01G9/028 ,  H01G9/052 ,  H01G9/10 ,  H01G11/48 ,  H01G11/56 ,  Y02E60/13 ,  Y10T29/417 ,  Y10T29/43

Abstract: A capacitor, and method of making a capacitor, is provided wherein the capacitor has exceptionally high break down voltage. The capacitor has a tantalum anode with an anode wire attached thereto. A dielectric film is on the tantalum anode. A conductive polymer is on the dielectric film. An anode lead is in electrical contact with the anode wire. A cathode lead is in electrical contact with the conductive polymer and the capacitor has a break down voltage of at least 60 V.

Abstract translation: 提供一种电容器和制造电容器的方法，其中电容器具有特别高的击穿电压。 电容器具有连接有阳极线的钽阳极。 电介质膜在钽阳极上。 导电聚合物在介电膜上。 阳极引线与阳极线电接触。 阴极引线与导电聚合物电接触，电容器具有至少60V的击穿电压。

公开(公告)号：DE112015004199T5

公开(公告)日：2017-06-14

申请号：DE112015004199

申请日：2015-09-15

Applicant: KEMET ELECTRONICS CORP

Inventor： HUSSEY STEVE C ,  CISSON JIMMY DALE ,  LESSNER PHILIP M ,  FREEMAN YURI

IPC: H01G9/00 ,  H01G9/042 ,  H01G9/052 ,  H01G9/15

Abstract: Ein verbesserter Kondensator (10) und ein Verfahren zur Bildung eines verbesserten Kondensators (10) werden ausgeführt. Das Verfahren umfasst das Bilden einer Tantalanode (11) aus einem Tantalpulver mit einer Pulverladung von nicht mehr als 40.000 µC; Bilden eines Dielektrikums (12) an der Anode durch anodische Oxidation bei einer Formierungsspannung von nicht mehr als 100V; und Bilden einer leitfähigen Polymerkathode (13) auf dem Dielektrikum (12), wobei der Kondensator (10) eine Durchbruchspannung aufweist, die höher ist als die Formierungsspannung.

公开(公告)号：DE112013004358T5

公开(公告)日：2015-05-13

申请号：DE112013004358

申请日：2013-09-04

Applicant: KEMET ELECTRONICS CORP

Inventor： HUSSEY STEVEN C ,  FREEMAN YURI ,  LESSNER PHILIP M ,  CHEN QINGPING ,  QAZI JAVAID

IPC: H01G9/15

Abstract: Verfahren zur Bereitstellung eines verbesserten hermetisch versiegelten Kondensators enthält die folgenden Schritte: Aufbringen eines Lötmittels und eines Flussmittels an einer Innenfläche eines Gehäuses; Aufschmelzen des Lötmittels auf der Innenfläche; Entfernen des Flussmittels, wodurch ein flussmittelarmes Lötmittel gebildet wird; Einsetzen eines Kondensatorelements in das Gehäuse; Wiederaufschmelzen des flussmittelarmen Lötmittels, wodurch eine Lötverbindung zwischen dem Gehäuse und der lötbaren Schicht gebildet wird; und Versiegeln des Gehäuses.

公开(公告)号：EP2289083A4

公开(公告)日：2011-06-22

申请号：EP09747358

申请日：2009-05-12

Applicant: KEMET ELECTRONICS CORP

Inventor： FREEMAN YURI ,  LESSNER PHILIP M ,  POLTORAK JEFFREY ,  HUSSEY STEVEN C

IPC: H01G4/005 ,  H01G4/228

CPC classification number: H01G9/052 ,  B22F7/08 ,  B22F2999/00 ,  H01G9/15 ,  Y10T29/417 ,  B22F3/10 ,  B22F2201/40 ,  B22F2207/17

公开(公告)号：EP2422350A4

公开(公告)日：2012-08-29

申请号：EP10767666

申请日：2010-04-20

Applicant: KEMET ELECTRONICS CORP

Inventor： FREEMAN YURI ,  QIU YONGJIAN ,  HUSSEY STEPHEN C ,  LESSNER PHILIP M

IPC: H01G4/008 ,  H01G4/018 ,  H01G9/012 ,  H01G9/10 ,  H01G9/15

CPC classification number: H01G9/15 ,  H01G9/012 ,  H01G9/028 ,  H01G9/052 ,  H01G9/10 ,  H01G11/48 ,  H01G11/56 ,  Y02E60/13 ,  Y10T29/417 ,  Y10T29/43

Abstract: A capacitor, and method of making a capacitor, is provided wherein the capacitor has exceptionally high break down voltage. The capacitor has a tantalum anode with an anode wire attached there to. A dielectric film is on the tantalum anode. A conductive polymer is on the dielectric film. An anode lead is in electrical contact with the anode wire. A cathode lead is in electrical contact with the conductive polymer and the capacitor has a break down voltage of at least 60 V.

Abstract translation: 提供电容器和制造电容器的方法，其中电容器具有非常高的击穿电压。 电容器有一个钽阳极，阳极线连接在那里。 电介质膜位于钽阳极上。 导电聚合物在介电膜上。 阳极引线与阳极电线电接触。 阴极引线与导电聚合物电接触并且电容器具有至少60V的击穿电压。