公开(公告)号：DE112013004358T5

公开(公告)日：2015-05-13

申请号：DE112013004358

申请日：2013-09-04

Applicant: KEMET ELECTRONICS CORP

Inventor： HUSSEY STEVEN C ,  FREEMAN YURI ,  LESSNER PHILIP M ,  CHEN QINGPING ,  QAZI JAVAID

IPC: H01G9/15

Abstract: Verfahren zur Bereitstellung eines verbesserten hermetisch versiegelten Kondensators enthält die folgenden Schritte: Aufbringen eines Lötmittels und eines Flussmittels an einer Innenfläche eines Gehäuses; Aufschmelzen des Lötmittels auf der Innenfläche; Entfernen des Flussmittels, wodurch ein flussmittelarmes Lötmittel gebildet wird; Einsetzen eines Kondensatorelements in das Gehäuse; Wiederaufschmelzen des flussmittelarmen Lötmittels, wodurch eine Lötverbindung zwischen dem Gehäuse und der lötbaren Schicht gebildet wird; und Versiegeln des Gehäuses.