Photomischer mit photonischem Kristall vom Typ mit großflächiger Anordnung zum Erzeugen und Detektieren von Breitband-Terahertz-Wellen

    公开(公告)号:DE102014100350A1

    公开(公告)日:2014-07-17

    申请号:DE102014100350

    申请日:2014-01-14

    Abstract: Es wird eine Breitband-Photomischertechnologie geschaffen, die ein Schlüssel zur Erzeugung kontinuierlicher Terahertz-Wellen mit variabler Frequenz und gepulster Terahertz-Wellen ist. Es ist möglich, den Lichtabsorptionsgrad durch Anwenden der Transmissionscharakteristik einer 2D-Lichtkristallstruktur zu verbessern, und es ist möglich, den Erzeugungswirkungsgrad von Terahertz-Wellen dementsprechend zu erhöhen. Darüber hinaus ist es möglich, durch Anwenden einer ineinandergreifenden Struktur und durch räumlich geeignetes Anordnen einer Lichtkristallstruktur mit verschiedenen Zyklen einen Terahertz-Photomischer vom großflächigen Typ zu implementieren. Dementsprechend ist es dadurch, dass die hohe Lichtdichte einer Lichtabsorptionseinheit gemildert wird, möglich, die Schwierigkeit der thermischen Charakteristik und der Lichtausrichtung zu lösen, wobei der niedrige Wirkungsgrad der photoelektrischen Umwandlung drastisch verbessert wird. Außerdem kann die Strahlungscharakteristik der Terahertz-Wellen durch die vorliegende Erfindung elektrisch gesteuert werden.

    Photomischer und Verfahren zum Herstellen desgleichen

    公开(公告)号:DE112013004626T5

    公开(公告)日:2015-07-02

    申请号:DE112013004626

    申请日:2013-09-17

    Abstract: Hierin sind ein Photomischer und ein Verfahren zum Herstellen des Photomischers beschrieben, welche die bestehenden einschränkenden Faktoren einer PCA und eines Photomischers, welche Kernbestandteile eines herkömmlichen Breitband-Terahertz-Spektroskopie-Systems sind, grundsätzlich lösen können. Der dargestellte Photomischer enthält eine aktive Schicht, die auf einer oberen Fläche eines Substrats gebildet ist, wobei die aktive Schicht auf einem Bereich gebildet ist, auf welchen Licht einfällt, und eine thermisch leitende Schicht, die auf der oberen Fläche des Substrats gebildet ist, wobei die thermisch leitende Schicht auf einem Bereich gebildet ist, welcher sich vom dem Bereich unterscheidet, auf welchen Licht einfällt. Die aktive Schicht ist derart gebildet, dass sie einen Mesa-Querschnitt aufweist, und die thermisch leitende Schicht ist auf dem Bereich, welcher sich von dem Bereich unterscheidet, auf welchen Licht einfällt, mittels eines MOCVD-Verfahrens nachwachsen gelassen worden und weist eine abgeflachte Oberfläche auf.

    Terahertzwellen-Vorrichtung
    3.
    发明专利

    公开(公告)号:DE102010042469A1

    公开(公告)日:2011-08-11

    申请号:DE102010042469

    申请日:2010-10-14

    Abstract: Eine Terahertzwellen-Vorrichtung wird vorgeschlagen. Die Terahertzwellen-Vorrichtung enthält: einen wellenlängenfesten Laser, der ein erstes Laserlicht ausgibt, das eine feste erste Wellenlänge aufweist; einen wellenlängengewobbelten Laser, der ein zweites Laserlicht ausgibt, das eine durchstimmbare zweite Wellenlänge aufweist; einen Koppler, der das erste Laserlicht mit dem zweiten Laserlicht koppelt; und einen Generator, der ein von dem Koppler ausgegebenes gemischtes Licht in eine Terahertzwelle umwandelt, wobei eine Frequenz der Terahertzwelle kontinuierlich durchstimmbar ist.

    MILLIMETER-WAVE GENERATOR AND THE METHOD OF GENERATING THE MILLIMETER-WAVE
    4.
    发明公开
    MILLIMETER-WAVE GENERATOR AND THE METHOD OF GENERATING THE MILLIMETER-WAVE 无效
    毫米波发生器和产生米勒波的方法

    公开(公告)号:KR20070092491A

    公开(公告)日:2007-09-13

    申请号:KR20060022706

    申请日:2006-03-10

    CPC classification number: H04B1/04 H04B10/50 H04B2001/0491

    Abstract: A millimeter wave generator and a method for generating a millimeter wave are provided to perform simultaneously a millimeter wave generating function and a frequency up-converting function by using an optical method and a harmonic locking method. A mode locking laser diode(120) includes a DFB(Distributed FeedBack) region and a gain region in order to generate an optical pulse of a high frequency through passive mode locking. A modulator(200) is used for modulating an external optical signal according to an electrical signal and applying the modulated external optical signal to the mode locking laser diode in order to lock the optical pulse. An RF locking signal unit(320) applies the electrical signal to the modulator. The passive mode locking is formed by applying a current less than a limited current to the DFB region. A millimeter wave is generated by using a high harmonic pulse generated from the mode locking laser diode.

    Abstract translation: 提供毫米波发生器和用于产生毫米波的方法,以通过使用光学方法和谐波锁定方法同时执行毫米波发生功能和升频转换功能。 模式锁定激光二极管(120)包括DFB(分布反馈)区域和增益区域,以便通过被动模式锁定产生高频的光脉冲。 调制器(200)用于根据电信号调制外部光信号,并将调制的外部光信号施加到模式锁定激光二极管,以锁定光脉冲。 RF锁定信号单元(320)将电信号施加到调制器。 被动模式锁定通过向DFB区域施加小于限定电流的电流而形成。 通过使用从模式锁定激光二极管产生的高次谐波脉冲产生毫米波。

Patent Agency Ranking