公开(公告)号：KR20090049847A

公开(公告)日：2009-05-19

申请号：KR20070116170

申请日：2007-11-14

Applicant: KOREA RES INST OF STANDARDS

Inventor： NAHM SEUNG HOON ,  JANG HOON SIK ,  LEE YOON HEE ,  KIM AM KEE

IPC: G01N3/08 ,  G01N3/00

CPC classification number: G01N3/08 ,  B82Y35/00 ,  G01N27/04 ,  G01N2203/0017 ,  G01N2203/028

Abstract: 본 발명은 나노와이어의 물성측정장치에 관한 것이다.
본 발명의 나노와이어의 물성측정장치는 나노와이어(10)의 일측 단부가 그리핑(gripping)되는 금속판(20); 나노와이어(10)의 타측 단부를 그리핑(gripping)하는 팁(30); 금속판(20) 또는 팁(30)을 이송시켜 나노와이어(10)를 인장시키는 매니퓰레이터; 금속판(20)과 상기 팁(30)이 어느 하나의 저항과 대체되어 연결되는 휘스톤 브리지 회로(40); 나노와이어(10)에 부착되어 인장 변형률을 측정하는 변형률 측정 게이지; 및 상기 휘스톤 브리지 회로(40)와 연결되어 나노와이어(10)의 저항, 전압 또는 전류의 변화를 측정하는 멀티미터(50); 를 포함하여 이루어진다.
본 발명의 반도체 나노와이어의 물성측정장치는, 나노와이어의 시편제작이 용이하며, 역학적 물성과 전기적 물성의 측정이 용이하고, 나노와이어의 기계적 및 전기적 물성 측정의 신뢰도를 향상시킬 수 있는 장점이 있다. 또한, 측정시에 필요한 제한적 조건에서도 쉽고 간단하게 나노와이어에 대해서 역학적 및 전기적 물성의 측정이 가능한 장점이 있다. 아울러, 시편에 전극을 형성하지 않고 전기적 물성 측정이 가능하므로 측정시간을 단축할 수 있는 장점이 있다.
나노와이어, 물성측정장치, 전자빔, 휘스톤 브리지