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公开(公告)号：CN101097331A
公开(公告)日：2008-01-02
申请号：CN200610145256.7
申请日：2006-11-24
Applicant: LG.菲利浦LCD株式会社
IPC: G02F1/1333 , H01L21/00
CPC classification number: G02F1/1368 , G02F1/136213 , G02F2202/104 , H01L27/1255 , H01L27/1288 , H01L29/4908
Abstract: 本发明公开了一种用于制造液晶显示器件的方法，其包括提供划分为第一区域和第二区域的像素部分和电路部分的第一基板；在所述像素部分和所述电路部分上形成有源图案和第一栅绝缘薄膜并且在所述像素部分的所述有源图案的一定上部上形成存储电极；在所述第一基板上形成第二栅绝缘薄膜；在所述第一区域的电路部分处形成栅极并且在所述第一区域的所述电路部分的有源图案的一定区域处形成p+源区和p+漏区；在所述第二区域的所述像素部分和电路部分处形成栅极，并且在所述像素部分处形成公共线；在所述第二区域的所述像素部分和所述电路部分的有源图案的一定区域处形成n+源区和n+漏区；以及将所述第一基板和第二基板相互粘接。
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公开(公告)号：CN1704827A
公开(公告)日：2005-12-07
申请号：CN200510072394.2
申请日：2005-05-31
Applicant: LG.菲利浦LCD株式会社
Inventor： 李锡宇
IPC: G02F1/136 , G02F1/133 , G09G3/36 , H01L29/786 , H01L21/027
CPC classification number: H01L27/1214 , G02F1/13454 , H01L27/127 , H01L27/14643 , H01L29/66757 , H01L29/78621 , H01L29/78627
Abstract: 本发明公开了一种液晶显示器件，包括：显示区和驱动电路单元，其中所述显示区上设有布置成矩阵形式的单元象素；而所述驱动电路单元具有至少一LDD(轻掺杂漏极)型TFT和GOLDD(重叠栅极的轻掺杂漏极)型TFT。
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公开(公告)号：CN101097367A
公开(公告)日：2008-01-02
申请号：CN200610156392.6
申请日：2006-12-29
Applicant: LG.菲利浦LCD株式会社
IPC: G02F1/1362 , G02F1/1333 , G02F1/133 , H01L21/00 , G03F7/20
Abstract: 本发明公开一种液晶显示器及其制造方法。该制造方法包括制备限定像素部分的TFT区域的绝缘基板；在基板上形成有源层以覆盖像素部分的TFT区域；在有源层上形成像素部分的栅极；在有源层中位于像素部分的栅极两侧处形成像素部分的源区和像素部分的漏区；在具有像素部分的漏区的基板上形成具有第一接触孔和第二接触孔的钝化膜，所述第一接触孔和第二接触孔分别暴露像素部分的源区和像素部分的漏区；在钝化膜上顺序形成透明导电膜和金属膜；以及有选择地蚀刻所述金属膜和透明导电膜以形成顺序沉积以覆盖第一接触孔的像素部分的源极图案/像素部分的源极以及顺序沉积以覆盖第二接触孔的像素部分的漏极图案/像素部分的漏极。
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公开(公告)号：CN1619399A
公开(公告)日：2005-05-25
申请号：CN200410091174.X
申请日：2004-11-22
Applicant: LG.菲利浦LCD株式会社
Inventor： 李锡宇
IPC: G02F1/136 , H01L29/786 , G02F1/133 , G09G3/36 , H01L21/00
CPC classification number: H01L27/1222 , G02F1/13454 , H01L27/1214
Abstract: 本发明公开了一种能够防止驱动电路部分的驱动装置遭到破坏的液晶显示器件及其制造方法。按照本发明实施例的液晶显示器件包括在驱动电路中具有多个并行连接的薄膜晶体管的驱动装置，其中薄膜晶体管具有多晶硅沟道，并且其中至少沟道宽度和相邻沟道间距之一根据它们位置的不同而不同。
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公开(公告)号：CN100376997C
公开(公告)日：2008-03-26
申请号：CN200410091174.X
申请日：2004-11-22
Applicant: LG.菲利浦LCD株式会社
Inventor： 李锡宇
IPC: G02F1/136 , H01L29/786 , G02F1/133 , G09G3/36 , H01L21/00
CPC classification number: H01L27/1222 , G02F1/13454 , H01L27/1214
Abstract: 本发明公开了一种能够防止驱动电路部分的驱动装置遭到破坏的液晶显示器件及其制造方法。按照本发明实施例的液晶显示器件包括在驱动电路中具有多个并行连接的薄膜晶体管的驱动装置，其中薄膜晶体管具有多晶硅沟道，并且其中至少沟道宽度和相邻沟道间距之一根据它们位置的不同而不同。
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公开(公告)号：CN101097369A
公开(公告)日：2008-01-02
申请号：CN200610168757.7
申请日：2006-12-18
Applicant: LG.菲利浦LCD株式会社
IPC: G02F1/1362 , G02F1/133 , H01L21/82 , H01L21/768 , H01L27/02 , H01L23/522
CPC classification number: G02F1/136227 , G02F1/136213 , H01L27/124
Abstract: 本发明公开了一种液晶显示装置及其制造方法，其通过由一个掩模工艺形成源极/漏极和像素电极并略去用于像素电极的接触孔掩模工艺来减少掩模数量，可以使制造工艺简化，并且其可以通过由衍射曝光形成有源图案和存储电极来在不增加掩模工艺的情况下增加存储电容器的电容。因此，减少了用于形成TFT的掩模数量以简化制造工艺并削减生产成本。并且由于减小了像素中的存储电容器的面积，因此可以提高孔径比。
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公开(公告)号：CN101097332A
公开(公告)日：2008-01-02
申请号：CN200610149826.X
申请日：2006-10-25
Applicant: LG.菲利浦LCD株式会社
IPC: G02F1/1333 , G02F1/133
CPC classification number: G02F1/136227
Abstract: 本发明公开一种制造液晶显示器件的方法。在第一基板的像素区域、第一和第二电路区域上分别形成有源图案而在像素区域的有源图案上形成存储电极。形成第一绝缘层、第一和第二导电层。构图第一电路区域中的第一和第二导电层以由第二导电层形成第一栅极，并且向第一电路区域的有源区注入p+离子形成p+源/漏区。构图第一和第二导电层以在第二电路区域中由第二导电层形成第二栅极，在像素区域中由第二导电层形成公共线以及在像素区域中由第一导电层形成像素电极。N+源/漏区形成在像素区域和第二电路区域每个的有源图案中。第一和第二中间绝缘层中形成有接触孔，源极和漏极经由接触孔电连接至第一和第二电路区域的有源图案的源区和漏区。
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公开(公告)号：CN1489189A
公开(公告)日：2004-04-14
申请号：CN03156160.8
申请日：2003-09-02
Applicant: LG.菲利浦LCD株式会社
Inventor： 李锡宇
IPC: H01L21/336 , H01L29/786
CPC classification number: H01L29/66757 , H01L29/78609 , H01L29/78675
Abstract: 本发明提供一种制造多晶硅薄膜晶体管的方法，该方法包括在基板上沉积非晶硅层，使非晶硅层结晶成多晶硅层，将多晶硅层制成一定图形使之形成薄膜晶体管的多晶硅有源层，在真空条件下，在多晶硅有源层上沉积氧化硅以形成栅极绝缘层，在真空条件下对栅极绝缘层进行加热使其退火并在退火的栅极绝缘层上形成栅极。
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公开(公告)号：CN100381926C
公开(公告)日：2008-04-16
申请号：CN200510072394.2
申请日：2005-05-31
Applicant: LG.菲利浦LCD株式会社
Inventor： 李锡宇
IPC: G02F1/136 , G02F1/133 , G09G3/36 , H01L29/786 , H01L21/027
Abstract: 本发明公开了一种液晶显示器件，包括：显示区、开关器件和驱动电路单元，其中所述显示区上设有布置成矩阵形式的单元象素；所述开关器件在所述显示区中形成，根据驱动电压的不同由GOLDD(重叠栅极的轻掺杂漏极)型TFT或LDD(轻掺杂漏极)型TFT或PMOS构成；而所述驱动电路单元具有至少一LDD型TFT和GOLDD型TFT。
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公开(公告)号：CN101097370A
公开(公告)日：2008-01-02
申请号：CN200610172282.9
申请日：2006-12-30
Applicant: LG.菲利浦LCD株式会社
IPC: G02F1/1362 , G02F1/133 , G03F7/20 , H01L21/027 , H01L21/00
Abstract: 本发明提供液晶显示器及其制造方法。该液晶显示器的制造方法包括以下步骤：制备限定了分为薄膜晶体管区和存储区的像素部分的绝缘基板；在基板的整个表面上顺序地形成多晶硅膜和存储电极膜；对存储电极膜和多晶硅膜选择性地进行构图，以形成覆盖像素部分的像素图案；以及从像素图案选择性地去除薄膜晶体管区的存储电极膜，以在存储区中形成存储电极并同时在薄膜晶体管区中形成有源层，该有源层是由被存储电极暴露的多晶硅膜形成的。由于通过使用单个掩模的衍射曝光来形成有源层和存储电极，因此可以减少在制造薄膜晶体管的过程中使用的掩模的数量，以减少制造工艺步骤和制造成本。
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