公开(公告)号：CN100459068C

公开(公告)日：2009-02-04

申请号：CN200410058640.4

申请日：2004-07-26

Applicant: MEC株式会社

Inventor： 户田健次 ,  森永友香里 ,  手岛孝浩 ,  黑田爱

IPC: H01L21/3213 ,  C23F1/18 ,  H05K3/00

CPC classification number: C23F1/18 ,  H05K3/067 ,  H05K2203/124

Abstract: 用于铜和铜合金的蚀刻剂，其含有如下组成的水溶液：14至155克/升以铜离子计算的二价铜离子源；7至180克/升的盐酸；0.1至50克/升的唑类化合物，该唑类化合物仅含有氮原子作为环中的杂原子。通过蚀刻铜和铜合金制造布线的方法，其包括以下步骤：用上述的蚀刻剂对绝缘体上的铜层中未被防蚀涂层覆盖的部分进行蚀刻，形成布线。从而，可行成下切降低的精细且致密的布线图。

公开(公告)号：CN1576395A

公开(公告)日：2005-02-09

申请号：CN200410058640.4

申请日：2004-07-26

Applicant: MEC株式会社

Inventor： 户田健次 ,  森永友香里 ,  手岛孝浩 ,  黑田爱

IPC: C23F1/18 ,  H05K3/00 ,  H01L21/3213

CPC classification number: C23F1/18 ,  H05K3/067 ,  H05K2203/124

Abstract: 用于铜和铜合金的蚀刻剂，其含有如下组成的水溶液：14至155克/升以铜离子计算的二价铜离子源；7至180克/升的盐酸；0.1至50克/升的唑类化合物，该唑类化合物仅含有氮原子作为环中的杂原子。通过蚀刻铜和铜合金制造布线的方法，其包括以下步骤：用上述的蚀刻剂对绝缘体上的铜层中未被防蚀涂层覆盖的部分进行蚀刻，形成布线。从而，可行成下切降低的精细且致密的布线图。