Wärmemanagementsysteme und -anordnungen für Kollektoren mit streifendem Einfall für die EUV-Lithographie sowie EUV-Lithographiesystem

    公开(公告)号:DE102012002633B4

    公开(公告)日:2017-07-27

    申请号:DE102012002633

    申请日:2012-02-10

    Abstract: Wärmemanagementanordnung für einen Kollektor mit streifendem Einfall (GIC), die den Fluss eines Kühlmittels (172) verwendet, umfassend: eine GIC-Spiegelschale (110) mit einer reflektiven inneren Fläche (116), einer entgegengesetzten äußeren Fläche (118) sowie ersten und zweiten Spiegelenden (170T, 170L); ein Mantel (160) mit einer inneren Fläche und ersten und zweiten Mantelenden, wobei der Mantel (160) und die GIC-Spiegelschale (110) erste und zweite Kontaktflächen an den jeweils ersten und zweiten Spiegel- und Mantelenden aufweisen, um eine flüssigkeitsdichte Kammer (180) zwischen der inneren Fläche des Mantels (160) und der äußeren Fläche der GIC-Spiegelschale (110) zu definieren, wobei die abgedichtete Kammer (180) Eintritts- und Austrittsenden (201L, 201T) aufweist, die jeweils Eintritts- und Austritts-Verteilerkanäle (230L, 230T) mit jeweils Eintritts- und Austrittsöffnungen (169L, 169T) definieren; und ein offenzelliges Wärmetransfer-(OCHT)-Material (202), enthalten in der abgedichteten Kammer (180), das mit der äußeren Fläche der GIC-Spiegelschale (110) und der inneren Fläche des Mantels (160) thermisch verbunden ist, wobei das OCHT-Material dazu dient, den Fluss des Kühlmittels (172) hierdurch vom Eintritts-Verteilerkanal (230L) zum Austritts-Verteilerkanal (230T) zu unterstützen.

    VERDUNSTUNGS-WÄRMEMANAGEMENT VON KOLLEKTOREN MIT STREIFENDEM EINFALL FÜR DIE EUV-LITHOGRAPHIE

    公开(公告)号:DE102012008216A1

    公开(公告)日:2012-11-08

    申请号:DE102012008216

    申请日:2012-04-25

    Abstract: Verdunstungs-Wärmemanagementsysteme und -verfahren für Kollektoren mit streifendem Einfall (grazing incidence collectors) (GICs) für Extrem-Ultraviolett(EUV)-Lithographie, umfassend eine GIC-Hülle bzw. -Schale, gekoppelt an einen Mantel, um eine Struktur mit einem vorderen Ende zu bilden und das eine Kammer definiert. Die Kammer unterstützt betriebsfähig mindestens eine Schicht mit Dochtwirkung bzw. Kapillarschicht. Eine Leitung verbindet die Schicht mit Dochtwirkung bzw. Kapillarschicht mit einem Kondensatorsystem, das die Kühlflüssigkeit in einem Reservoir enthält. Wenn Wärme beim vorderen Ende auftritt, wird die Kühlflüssigkeit vom Kondensatorsystem über Kapillarwirkung in die Schicht mit Dochtwirkung bzw. Kapillarschicht und optional unter Schwerkraftunterstützung abgezogen, während der Dampf in entgegengesetzter Richtung von der Kammer zum Kondensatorsystem abgezogen wird. Die Wärme wird aus dem kondensierten Dampf im Kondensatorsystem entfernt, wodurch die GIC-Spiegelhülle bzw. -schale gekühlt wird.

    VERDUNSTUNGS-WÄRMEMANAGEMENT VON KOLLEKTOREN MIT STREIFENDEM EINFALL FÜR DIE EUV-LITHOGRAPHIE

    公开(公告)号:DE102012008216B4

    公开(公告)日:2017-11-09

    申请号:DE102012008216

    申请日:2012-04-25

    Abstract: Spiegelkühlanordnung (150) für einen Kollektor (100) mit streifendem Einfall (GIC), umfassend: eine GIC-Spiegelschale (110) mit einer reflektiven inneren Fläche (166) und einer entgegengesetzten äußeren Fläche (168); einen Mantel (160) mit einer inneren Fläche und gekoppelt an die GIC-Spiegelschale (110), um eine Kammer (180) mit vorderem und rückwärtigem Ende zu definieren, wobei eine Dampfleitung (240) sich in Flüssigkeitsaustausch-zulassender Verbindung mit der Kammer (180) am rückwärtigen Ende (170L, 170T) befindet; mindestens eine Kapillarschicht (200M, 200J), angeordnet unmittelbar angrenzend und in thermischem Kontakt mit der äußeren Fläche der GIC-Spiegelschale (110); eine Leitung, die mindestens eine Kapillarschicht (200M, 200J) unterstützt und die eine Dampfleitung (240) definiert; und ein Kondensationssystem (250) in Flüssigkeitsaustausch-zulassender Verbindung mit der Leitung und mit der mindestens eine Kapillarschicht (200M, 200J), wobei die mindestens eine Kapillarschicht (200M, 200J) aufgebaut ist, um den Kapillarfluss einer Kühlflüssigkeit (172) vom Kondensationssystem (250) durch die Leitung und durch die Kammer (180) sowie einen Gegenstrom des Kühlflüssigkeitsdampfes (174) durch die Kammer (180), durch die Dampfleitung (240) und zum Kondensationssystem (250) zu unterstützen.

    QUELL-KOLLEKTOR-MODULE FÜR EUV-LITHOGRAPHIE UNTER VERWENDUNG EINES GIC-SPIEGELS UND EINER LPP-QUELLE

    公开(公告)号:DE102013002064A1

    公开(公告)日:2013-08-14

    申请号:DE102013002064

    申请日:2013-02-07

    Abstract: Quell-Kollektormodul(SoCoMo)-Vorrichtung für ein Extrem-Ultraviolett(EUV)-Lithographiesystem, umfassend: einen Kollektor mit streifendem Einfall (grazing-incidence collector) mit einer optischen Achse, einem Eintrittsende und einem Austrittsende, mit einem Zwischenfokus angrenzend an das Austrittsende; ein Target mit geringer Masse, das sich entlang der optischen GIC-Achse bei einer ersten Position befindet; mindestens einen ersten Laser, funktionsbereit angeordnet, um mindestens einen ersten Lichtpuls von erster Infrarot(IR)strahlung an die erste Position zu erzeugen, um das Target mit geringer Masse zu bestrahlen, um das Target mit geringer Masse zu verdampfen und zu ionisieren, um ein anfängliches Plasma zu bilden, während ein Teil der ersten IR-Strahlung reflektiert wird, um erste reflektierte IR-Strahlung zu bilden; mindestens einen zweiten Laser, funktionsbereit angeordnet, um mindestens einen zweiten Lichtpuls zu erzeugen, um das anfängliche Plasma zu bestrahlen, um ein endgültiges Plasma zu bilden, das EUV-Strahlung im Wesentlichen isotrop emittiert, und während ein Teil der zweiten IR-Strahlung reflektiert wird, um zweite reflektierte IR-Strahlung zu bilden; und wobei der mindestens erste und der mindestens zweite Laser relativ zum Target mit geringer Masse und dem GIC-Spiegel derart angeordnet sind, dass mindestens die zweite reflektierte IR-Strahlung im Wesentlichen vom GIC-Spiegel nicht gesammelt wird.

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