Kollektorsystem zum Sammeln und Lenken von EUV-Strahlung sowie Verfahren zum Sammeln von EUV-Strahlung

    公开(公告)号:DE102011015266B4

    公开(公告)日:2019-05-29

    申请号:DE102011015266

    申请日:2011-03-28

    Abstract: Kollektorsystem (150) zum Sammeln und Lenken von Extrem-Ultraviolett(EUV)-Strahlung aus einer EUV-Strahlungsquelle (RS) durch eine Blende (22, 24), umfassend:- einen Kollektorspiegel (310), aufgebaut, um die EUV-Strahlung (12) zu sammeln und in Richtung der Blende (22, 24)zu lenken; und- eine Strahlungssammlungsverstärkungsvorrichtung (100), angeordnet bei oder angrenzend an die Blende (22, 24) und aufgebaut, um einen Teil (12L) der EUV-Strahlung zu sammeln, der ansonsten nicht durch die Blende (22, 24) treten würde, und um diesen Teil der EUV-Strahlung durch die Blende (22, 24) umzulenken, wobei der Kollektorspiegel (310) mindestens einen von einem Spiegel mit streifendem Einfall (180) und einen Spiegel mit normalem Einfall (MN) umfasst und der Kollektorspiegel (310) aufgebaut ist, um das Licht zu einem Zwischenfokus (IF) zu lenken, der bei der Blende (22, 24) oder angrenzend an die Blende (22, 24) auf einer Seite entgegengesetzt zum Kollektorspiegel (310) angeordnet ist,dadurch gekennzeichnet, dassdie Strahlungssammlungsverstärkungsvorrichtung (100) wenigstens eine innere Fläche (120) in streifendem Einfall in Form von Spiegelschalen (103-1, 103-2) umfasst.

    EUV-Kollektorsystem mit verbesserter EUV-Strahlungssammlung

    公开(公告)号:DE102011015266A1

    公开(公告)日:2011-10-06

    申请号:DE102011015266

    申请日:2011-03-28

    Abstract: Ein Kollektorsystem für Extrem-Ultraviolett(EUV)-Strahlung umfasst einen Kollektorspiegel und eine Strahlungssammlungsverstärkungsvorrichtung (RCED), angeordnet angrenzend an ein Aperturteil eines Beleuchtungsgeräts. Der Kollektorspiegel lenkt die EUV-Strahlung von einer EUV-Strahlungsquelle in Richtung des Aperturteils. Die RCED lenkt einen Teil der EUV-Strahlung um, die ansonsten nicht durch die Apertur des Aperturteils treten würde, oder die keine optimale Winkelverteilung aufweisen würde, um durch die Apertur zu treten und eine verbesserte Winkelverteilung aufzuweisen, die für die Eintrittsspezifikationen eines Beleuchtungsgeräts besser geeignet sind. Dies liefert dem Beleuchtungsgerät eine größere Menge an verwendbarer EUV-Strahlung, als ansonsten vom Kollektorspiegel alleine verfügbar wäre, wodurch die Leistung eines EUV-Lithographiesystems, das ein derartiges Kollektorsystem mit einer RCED verwendet, verbessert wird.

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