公开(公告)号：JP2003234413A

公开(公告)日：2003-08-22

申请号：JP2002346552

申请日：2002-11-28

Applicant: MEMSCAP

Inventor： GIRARDIE LIONEL ,  DAVID JEAN-BAPTISTE

IPC: H01F17/00 ,  H01F41/04 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/822 ,  H01L23/52 ,  H01L23/522 ,  H01L23/532 ,  H01L27/04

Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method of manufacturing an electronic component incorporated with a guidance micro component disposed on a substrate. SOLUTION: This component includes continuous layers (10, 10a) of a substance with a low relative dielectric constant, which are isolated by a hard mask layer (12) and lie on the upper surface of a substrate (1), a multiplicity of metallic bent portions (30-31) defined on the continuous layers (10, 10a) of a substance with a low relative dielectric constant, and a copper-diffused barrier layer (15) sandwiched between the metallic bent portions (30-31) and the layers of a substance with a low relative dielectric constant, which is disposed immediately under this layer. The substrate (1) is a semiconductor substrate, or a glass or quartz-type amorphous substrate for forming an integrated circuit. The substance with a low relative dielectric constant deposited on the substrate (1) is preferably benzocyclobutene. COPYRIGHT: (C)2003,JPO

公开(公告)号：JP2003234412A

公开(公告)日：2003-08-22

申请号：JP2002346551

申请日：2002-11-28

Applicant: MEMSCAP

Inventor： GIRARDIE LIONEL ,  DAVID JEAN-BAPTISTE

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/02 ,  H01L21/288 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/822 ,  H01L23/12 ,  H01L23/15 ,  H01L23/52 ,  H01L23/522 ,  H01L27/04 ,  H01L27/08

Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method of manufacturing an electronic component incorporated with a guidance micro component disposed on a substrate. SOLUTION: This component includes a layer (10) of a substance with a low relative dielectric constant formed on the upper surface of a substrate (1), a multiplicity of metallic bent portions (30-31) defined on the layer (10) of a substance with a low relative dielectric constant, and a copper-diffused barrier layer (15) sandwiched between the metallic bent portions (30-31) and the layer (10) of a substance with a low relative dielectric constant. The substrate (1) is a semiconductor substrate, or a glass or quartz-type amorphous substrate for forming an integrated circuit. The substance with a low relative dielectric constant deposited on the substrate (1) is preferably benzocyclobutene. COPYRIGHT: (C)2003,JPO

公开(公告)号：JP2003234414A

公开(公告)日：2003-08-22

申请号：JP2002351667

申请日：2002-12-03

Applicant: MEMSCAP

Inventor： GIRARDIE LIONEL ,  DAVID JEAN-BAPTISTE

IPC: H01F17/00 ,  H01L21/02 ,  H01L21/285 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/768 ,  H01L21/822 ,  H01L23/52 ,  H01L27/04 ,  H01L27/08

Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method of manufacturing an electronic component incorporated with a guidance micro component disposed on a substrate. SOLUTION: This component includes at least one laminate composed of a first layer (10) of a substance with a low relative dielectric constant, which is located on the upper surface of a substrate (1), and a hard mask layer, a multiplicity of metallic bent portions (39) formed on continuous layers (10, 10a) of a substance with a low relative dielectric constant, and a copper-diffused barrier layer (35), which exists on a low-lying surface and a side surface of the metallic bent portions (39). The substrate (1) is a semiconductor substrate, or a glass or quartz-type amorphous substrate for forming an integrated circuit. The substance with a low relative dielectric constant deposited on the substrate (1) is preferably benzocyclobutene. COPYRIGHT: (C)2003,JPO

公开(公告)号：CA2409241A1

公开(公告)日：2003-06-11

申请号：CA2409241

申请日：2002-10-21

Applicant: MEMSCAP

Inventor： DAVID JEAN-BAPTISTE ,  GIRARDIE LIONEL

IPC: H01F17/00 ,  H01L21/02 ,  H01L21/285 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/768 ,  H01L21/822 ,  H01L23/52 ,  H01L27/04 ,  H01L27/08 ,  H01F37/00 ,  H01F41/00 ,  H01L49/02

Abstract: L'invention concerne un procédé permettant de fabriquer des composants électroniques incorporant un micro-composant inductif, disposé au dessus d'u n substrat. Un tel composant comporte: - au moins une superposition d'une couche (10, 10a) de matériau à faible permittivité relative et d'une couche de masque dur, la première couche (10) de matériau à faible permittivité relative reposant sur la face supérieure du substrat (1) ; - un ensemble de spires métalliques (39), définies au-dessus de la superposition de couches (10, 10a) de matériau à faible permittivité relative; - une couche (35) barrière à la diffusion du cuivre, présente sur les faces inférieure et latérales des spires métalliques (39).

公开(公告)号：CA2409237A1

公开(公告)日：2003-05-29

申请号：CA2409237

申请日：2002-10-21

Applicant: MEMSCAP

Inventor： GIRARDIE LIONEL ,  DAVID JEAN-BAPTISTE

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/02 ,  H01L21/288 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/822 ,  H01L23/12 ,  H01L23/15 ,  H01L23/52 ,  H01L23/522 ,  H01L27/04 ,  H01L27/08 ,  H01F37/00 ,  H01L21/70 ,  H01L49/02

Abstract: L'invention concerne un procédé permettant de fabriquer des composants électroniques incorporant un micro-composant inductif, disposé au dessus d' un substrat. Un tel composant comporte: - une couche (10) de matériau à faible permittivité relative, reposant sur la face supérieure du substrat (1); - un ensemble de spires métalliques (30-31), définies au-dessus de la couche (10) de matériau à faible permittivité relative; - une couche (15) barrière à la diffusion du cuivre, interposée entre les spires métalliques (30-31) et la couche de matériau à faible permittivité relative.

公开(公告)号：CA2409232A1

公开(公告)日：2003-05-29

申请号：CA2409232

申请日：2002-10-21

Applicant: MEMSCAP

Inventor： GIRARDIE LIONEL ,  DAVID JEAN-BAPTISTE

IPC: H01F17/00 ,  H01F41/04 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/822 ,  H01L23/52 ,  H01L23/522 ,  H01L23/532 ,  H01L27/04 ,  H01F37/00 ,  H01L49/02 ,  H01L21/64

Abstract: L'invention concerne un procédé permettant de fabriquer des composants électroniques incorporant un micro-composant inductif, disposé au dessus d' un substrat. Un tel composant comporte: - une succession de couches (10, 10a) de matériau à faible permittivité relative séparées par des couches de masque dur (12), la première couche de matériau à faible permittivité relative, reposant sur la face supérieure du substrat (1); - un ensemble de spires métalliques (30-31), définies au-dessus de la succession de couches (10, 10a) de matériau à faible permittivité relative; - une couche (15) barrière à la diffusion du cuivre, interposée entre les spires métalliques (30-31) et la couche sous-jacente de matériau à faible permittivité relative.