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    Prevención de protección frente a escritura permanente no intencionada en memoria no volátil
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    发明专利
    Prevención de protección frente a escritura permanente no intencionada en memoria no volátil 未知

    公开(公告)号：ES2569904T3

    公开(公告)日：2016-05-13

    申请号：ES09748611

    申请日：2009-10-27

    Applicant: MICROCHIP TECH INC

    Inventor： MIETUS DAVID FRANCIS ,  BEAUCHAMP BRUCE EDWARD ,  ALEXANDER SAMUEL ,  ABERRA EZANA H

    IPC: G11C16/22

    Abstract: Un dispositivo de circuito integrado que tiene una memoria programable no volátil, que comprende: una memoria no volátil (106); una lógica de control de memoria y de programación (104) acoplada a la memoria no volátil (106) y adaptada para escribir datos en la memoria no volátil (106), en el que dicha lógica de control de memoria y de programación (104) se puede operar para determinar si se va a realizar una función de protección frente a escritura a partir de señales digitales suministradas a al menos una conexión de entrada (120a..c, 114); al menos una conexión de entrada de función múltiple (120c; A0) acoplada a la lógica de control de memoria y de programación (104), en el que la al menos una conexión de entrada de función múltiple (120c; A0) se usa para distinguir entre una protección frente a escritura permanente y una temporal de los datos escritos en la memoria no volátil; en el que la protección frente a escritura permanente está habilitada cuando una tensión en la al menos una conexión de entrada de función múltiple (120c; A0) es menor que un primer valor de tensión, y la protección frente a escritura temporal está habilitada cuando la tensión en la al menos una conexión de entrada de función múltiple (120c; A0) es mayor que un segundo valor de tensión, siendo el segundo valor de tensión mayor que el primer valor de tensión; y en el que la protección frente a escritura no se puede habilitar cuando la tensión en la al menos una conexión de entrada de función múltiple (120c; A0) es igual a o mayor que el primer valor de tensión y menor que o igual al segundo valor de tensión.

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