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公开(公告)号：KR20180030511A
公开(公告)日：2018-03-23
申请号：KR20187000736
申请日：2016-07-14
Applicant: MICROCHIP TECH INC
Inventor： KILZER KEVIN , RAMANATHAN SHYAMSUNDER , RAJARAMAN SAI KARTHIK , MILKS JUSTIN
CPC classification number: G06F13/102 , G06F13/1673 , G06F13/1689 , G06F13/4068 , G06F13/4282 , G06F13/4291
Abstract: 동기식직렬주변디바이스는데이터출력라인과결합된송신유닛및 클록라인과결합된클록유닛을구비한다. 상기직렬주변디바이스는최소한의단일송신을송신하고, 여기서제 1 동작모드에서는상기송신유닛과상기클록유닛이 1 비트와 8 비트사이에있는것으로정의될수 있는데이터길이를갖는데이터송신을수행하도록구성가능하다.
Abstract translation: 同步串行外围设备具有与数据输出线耦合的传输单元和与时钟线耦合的时钟单元。 串行外围设备可以被配置为执行数据传输，以及发送所述至少一个传输，其中，与在所述第一操作模式中的发送单元和所述时钟单元是一个比特，并且可以被定义为8位之间是数据长度 我会的。
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公开(公告)号：KR20180019679A
公开(公告)日：2018-02-26
申请号：KR20187001603
申请日：2016-06-17
Applicant: MICROCHIP TECH INC
Inventor： LENG YAOJIAN , SATO JUSTIN HIROKI
IPC: H01L21/768 , H01C7/00 , H01C17/075 , H01C17/28 , H01L23/522 , H01L23/532 , H01L49/02
CPC classification number: H01L23/5228 , H01C7/006 , H01C17/075 , H01C17/288 , H01L21/76849 , H01L23/5226 , H01L23/53228 , H01L28/24
Abstract: 구리공정모듈에서구리화학기계적폴리싱(CMP) 공정을완료한후 박막레지스터를제조하는방법은, 적어도 2개의구조물들(90a, 90b)을가로질러유전체배리어층(100)을침착하는단계; 상기유전체배리어위에하드마스크로서제2 유전체층(110)을침착하는단계; 포토리소그래피를사용하여트렌치를패터닝하는단계; 상기하드마스크를통해상기트렌치를에칭하고상기유전체배리어내에서또는유전체배리어상에서정지하는단계; 포토리소그래피공정으로부터임의의잔여포토레지스트(120a, 120b)를제거하는단계; 상기유전체장벽을통해상기트렌치를에칭하여상기적어도 2개의구리구조물들각각의구리표면을노출시키는단계; 및상기트렌치에박막레지스터재료(120)를침착시키고그 결과로얻어진상기적어도 2개의노출된구리표면들을가로질러가교시키는단계를포함하는것이개시된다.
Abstract translation: 一种在铜工艺模块中完成铜化学机械抛光（CMP）工艺之后制造薄膜电阻器的方法包括横跨至少两个结构（90a，90b）沉积电介质阻挡层（100）; 在介质阻挡层上沉积第二介电层（110）作为硬掩模; 使用光刻法图案化沟槽; 通过硬掩模蚀刻沟槽并停止在电介质屏障或电介质屏障上; 从光刻工艺中去除剩余的光刻胶120a，120b; 蚀刻穿过介质阻挡层的沟槽以暴露至少两个铜结构中的每一个的铜表面; 并且在沟槽上沉积薄膜电阻材料（120）并桥接所得到的至少两个暴露的铜表面。
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公开(公告)号：KR20180019551A
公开(公告)日：2018-02-26
申请号：KR20177035685
申请日：2016-06-17
Applicant: MICROCHIP TECH INC
Inventor： KUMAR AJAY , LE GIANG
CPC classification number: H03B5/06 , H03B5/32 , H03B5/364 , H03B2200/0074 , H03B2200/0082 , H03B2200/0094 , H03K21/406
Abstract: 크리스털발진기는평균등급의크리스털들을이용하여발진을기동하는것을보장하기위해소정시간구간동안고전력모드로기동되고, 이후에소정시간구간이끝나면발진기는저전력모드로전환되고, 그리고발진기출력주파수에의해트리거되고발진기출력주파수와동기화된에너지펄스들을이용하여발진을유지한다. 이에너지펄스들은클록출력파형의포지티브, 네거티브또는포지티브및 네거티브에지들둘 다에서생성될수 있다.
Abstract translation: 使用的平均评分的晶体晶体振荡器通过一种用于在预定的时间周期的高功率模式下激活，以确保振荡开始，在预定的时间段之后，振荡器切换为低功耗模式，并结束由振荡器输出频率触发 并使用与振荡器输出频率同步的能量脉冲来保持振荡。 能量脉冲可以在时钟输出波形的正极，负极或正边沿和负边沿产生。
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公开(公告)号：KR20200125692A
公开(公告)日：2020-11-04
申请号：KR20207028127
申请日：2019-02-28
Applicant: MICROCHIP TECH INC
Inventor： HEIM AXEL
Abstract: 제1 및제2 검출시스템들을조합하는센서시스템은이들시스템들의노드들 A 및 B 전극들에구동신호들을공급한다. 구동시퀀스는사전충전및 획득단계들을갖는 2개의연속적인주 단계들을갖는기본획득사이클의반복으로이루어진다. 제1 사전충전단계동안, 노드 A는제1 전위로구동되고, 제1 획득단계동안, 제1 중간전위로구동되고, 노드 B는제2 전위로구동되고, 그후, 노드 B를 DC에서의고-임피던스로스위칭하고, 제2 사전충전단계동안, 노드 A는제3 전위로구동되고, 제2 획득단계동안, 제2 중간전위로구동되고, 노드 B는제4 전위로구동되고, 그후, 노드 B를 DC에서의고-임피던스로스위칭한다. 제1 및제2 검출시스템들은노드 A 및 B 상에서각각전기적측정을수행한다.
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公开(公告)号：KR20180008438A
公开(公告)日：2018-01-24
申请号：KR20177031433
申请日：2016-05-19
Applicant: MICROCHIP TECH INC
Inventor： KRIS BRYAN , BARTLING JAMES E
IPC: G01R19/00 , G01R19/255 , H02M3/156
CPC classification number: H02M3/156 , G01R19/003 , G01R19/255 , H02M1/08 , H02M2001/0009 , H03F3/45 , H03F2203/45288 , H03G3/20 , H03M1/1245
Abstract: 시간주기동안측정된복합파형의평균값이먼저복합파형을전압으로변환함으로써이어서이 전압을전류로변환하고, 이전류를사용하여커패시터를충전함으로써결정될수 있다. 측정시간주기의끝에서, 커패시터상의전압전하(샘플전압)는아날로그-디지털변환기(ADC)와관련된샘플-홀드회로에의해샘플링될수 있다. 이어서샘플커패시터상의전압전하는, 예를들면, 커패시터플레이트들이복합파형샘플측정사이클의다음번평균을대비하여덤프스위치에의해쇼트됨으로써, 제거될수 있다. 그리고나서 ADC는이 샘플된전압전하를그의디지털표현으로변환하고, 복합파형의실제평균값이결정, 예를들면, 측정시간주기와조합하여그로부터계산될수 있다.
Abstract translation: 可以通过首先将复合波形转换为电压，然后将电压转换为电流并使用先前的流向电容器充电来确定在一段时间内测得的复合波形的平均值。 在测量时间段结束时，电容器上的电压电荷（采样电压）可以通过与模数转换器（ADC）相关的采样保持电路进行采样。 然后可以去除样品电容上的电压电荷，例如，通过将电容极板与转储开关短接到复合波形样品测量周期的下一个平均值。 ADC然后将采样的电压电荷转换成其数字表示，并且可以例如通过将其与测量时间段组合来确定复数波形的实际平均值。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR20180032562A
公开(公告)日：2018-03-30
申请号：KR20187001472
申请日：2016-07-22
Applicant: MICROCHIP TECH INC
Inventor： VENUTURUMILLI ABHINAY
CPC classification number: G08B25/10 , G06Q10/0833 , G06Q50/28 , H04W52/36
Abstract: 군집된자산환경에서불량상태의위치를결정하기위한시스템들및 방법들은, 자산의상태를모니터링하는센서와관련된복수의무선트랜시버들을제공하는것 - 장거리동작모드의복수의무선트랜시버들각각은송신전력을고출력전력으로조정함 -, 센서수신기로장거리동작모드를사용하여자산들의상태를모니터링하는것, 복수의무선트랜시버들중 적어도하나의무선트랜시버에의해센서수신기로경보를통신하는것; 물품의위치결정을가능케하기위해저전력송신출력으로전환하라는명령을복수의무선트랜시버들모두에센서수신기에의해송신하는것, 복수의무선트랜시버들각각을위치결정동작모드로동작하도록전환하는것 - 송신전력은저출력전력으로설정됨 -, 그리고경보를발생시키는센서의위치를결정하는것을포함한다.
Abstract translation: 用于确定的缺陷状态的位置，在社会资产的环境中，haneungeot提供多个与所述传感器相关联的无线收发器来监视资产的状况的系统和方法 - 对于每个多个操作的长程模式无线收发器中的是发射功率 利用传感器接收器使用远程操作模式监视资产的状态;通过多个无线收发器中的至少一个无线收发器向传感器接收器传送警报; 由指令发送Haneungeot切换到低功率发射输出，以使所述制品到所述传感器接收器的定位，以所有的多个无线收发器，haneungeot开关中的定位操作模式中操作，所述多个无线电收发器中的 - 发射功率是 设置为低输出功率，并确定传感器产生警报的位置。
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公开(公告)号：KR20180019544A
公开(公告)日：2018-02-26
申请号：KR20177035534
申请日：2016-06-20
Applicant: MICROCHIP TECH INC
Inventor： SAMUEL ROSHAN , ABEROUETTE JANMICHAEL , BROWN WARD R , DESAI CHINTAN , IVEY BRANT , DOCHIA RAZVAN
CPC classification number: G06F13/426 , G06F13/385 , G06F13/4295
Abstract: 범용비동기송수신기(UART) 인터페이스가개시된다. UART 인터페이스는, 환경설정가능한비동기송수신기유닛및 환경설정가능한상태머신을포함할수 있고, 여기서, 상기상태머신은상기송수신기유닛이다양한보드속도(baud rate)들을지원하고또한시작비트및 정지비트환경설정을제공하도록환경설정하는것을가능하게하고, 여기서상기상태머신은또한복수의통신프로토콜들을자동으로지원하도록환경설정할수 있다.
Abstract translation: 公开了一种通用异步收发器（UART）接口。 UART接口可能包括一个可配置的异步收发器单元和一个可配置的状态机，其中收发器单元支持各种波特率，并设置起始位和停止位配置 状态机还可以被配置为自动支持多种通信协议。
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公开(公告)号：KR20180017000A
公开(公告)日：2018-02-20
申请号：KR20177034208
申请日：2016-06-15
Applicant: MICROCHIP TECH INC
Inventor： DORFNER ANDREAS
IPC: G06F3/044 , G06F3/041 , G06F3/0488
CPC classification number: G06F3/0416 , G06F3/044 , G06F2203/04101 , G06F2203/04103
Abstract: 정전용량형터치및 비-터치검출용센서구조체는송신전극, 및평가유닛과결합된미리정의된수의수신전극들을구비하고, 여기서상기평가유닛은비-터치검출모드및 터치검출모드에서작동하고, 상기송신전극은근접교류전계를생성하고, 비-터치검출모드에서, 상기평가유닛은물체의 3차원위치를결정하기위해상기수신전극들로부터의신호들을평가하고, 터치검출모드에서, 미리정의된수의전극들에의해정의된표면터치검출영역은복수의세그먼트들로나뉘고, 각각의세그먼트들내에서, 미리정의된수의전극들중 적어도 2개의전극들은자신의전극표면적의일부를이용하여, 복수의세그먼트들각각에대해서로다른전극표면적비율이형성되도록기여한다.
Abstract translation: 电容式触摸和传输电极的非接触式传感器的结构，并具有多个接收耦合预定的和评估单元电极，以及其中，所述评估单元中的触摸感测模式高恩妃-操作和触摸感测模式中， 发送电极创建了一个特写的交流电场，和非接触检测模式中，评价单元是接收电极robuteoui信号的评估，以确定该物体的三维位置和触摸检测模式，电极的预定数量的 其中预定义数量的电极中的至少两个使用其电极表面区域的一部分来限定多个节段，每个节段具有多个节段， 有助于形成不同的电极表面积比率。
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公开(公告)号：KR20180008442A
公开(公告)日：2018-01-24
申请号：KR20177031585
申请日：2016-05-11
Applicant: MICROCHIP TECH INC
Inventor： FEST PAUL
IPC: H01L21/768 , H01L21/02 , H01L23/528
CPC classification number: H01L21/76816 , H01L23/528
Abstract: 스페이서에칭공정은복수의반도체다이들의매우좁은전도성라인들을제조한다. 트렌치들이제1 유전체에형성되고이어서희생박막이제1 유전체와거기에형성된트렌치표면들상에침착된다. 평탄한희생박막은, 단지트렌치벽들에만희생박막을남기고제1 유전체의면 및트렌치들의바닥으로부터제거된다. 트렌치벽들상의희생박막사이의간극은제2 유전체로충전된다. 제2 유전체의일부는희생박막의상부들을노출시키도록제거된다. 희생박막은전도성물질로충전되는극세간극들을남기고제거된다. 간극들내의전도성물질의상부들은 "펜스전도체들"을형성하기위해노출된다. 펜스전도체들의일부들및 이를둘러싸고있는절연물질은절연된펜스전도체들을포함하는원하는전도체패턴들을형성하기위해적절한위치들에서제거된다.
Abstract translation: 间隔物蚀刻工艺产生多个半导体管芯的非常窄的导线。 现在沟槽形成在一个电介质中，然后牺牲薄膜现在沉积在一个电介质上并且在其中形成沟槽表面。 平坦的牺牲薄膜从第一电介质表面和沟槽的底部移除，仅在沟壁上留下牺牲薄膜。 沟槽壁上的牺牲薄膜之间的间隙被第二电介质填充。 去除第二电介质的一部分以暴露牺牲薄膜的顶部。 牺牲薄膜被去除，留下填充有导电材料的超细间隙。 间隙中的导电材料的上部暴露以形成“栅栏导体”。 围栏导体的部分和围绕它们的绝缘材料在合适的位置被去除以形成包括绝缘围栏导体的期望的导体图案。
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公开(公告)号：KR20180042260A
公开(公告)日：2018-04-25
申请号：KR20187005106
申请日：2016-08-22
Applicant: MICROCHIP TECH INC
Inventor： SATO JUSTIN HIROKI , HENNES BRIAN DEE , KIMMEL YANNICK CARLL
IPC: H01J37/32 , H01L21/02 , H01L21/027 , H01L21/3065 , H01L21/308 , H01L21/66
CPC classification number: H01L22/12 , H01J37/32935 , H01J37/32963 , H01J2237/334 , H01J2237/3343 , H01L21/02164 , H01L21/0274 , H01L21/3065 , H01L21/3081
Abstract: 본발명은반도체제조에관한것으로, 특히플라즈마에칭공정들에대해에칭속도를실시간검정하는방법에관한것이다. 반도체플라즈마에칭챔버를테스트하는방법은, 중심영역및 에지영역을포함하는웨이퍼의기판상에박막을침착하는단계; 상기웨이퍼의상기에지영역으로부터상기중심영역을분리시키는패턴으로상기박막위에포토레지스트를침착하는것; 및상기웨이퍼상에적어도세 개의공정단계들을포함하는에칭공정을수행하는것을포함한다. 상기세 개의공정단계들은, 제1 클리어엔드포인트신호가수신될때까지영역들을덮는포토레지스트가없는임의의영역들에서상기박막을에칭하는것; 임의의포토레지스트를제거하기위해인-시츄에쉬공정(in-situ ash)을수행하는것; 및제2 클리어엔드포인트가달성될때까지상기포토레지스트의제거에의해노출된임의의영역들에서상기박막을에칭하는것을포함한다. 상기방법은양 엔드포인트가각각미리설정된허용오차내에서달성되는지여부를결정하는것, 및양 엔드포인트가미리설정된허용오차내에서달성되는경우, 상기플라즈마에칭챔버를검증된것으로서승인하는것을더 포함할수 있다.
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