公开(公告)号：DE112018004037T5

公开(公告)日：2020-05-14

申请号：DE112018004037

申请日：2018-08-06

Applicant: MICROCHIP TECH INC

Inventor： VIJAYARAGHAVAN RAJAN ,  KUMAR AJAY ,  KARNIK KIRAN

IPC: H03B5/36

Abstract: Niederspannungs-Quarzoszillator mit nativen NMOS-Transistoren zum Koppeln / Entkoppeln mit / von GPIO. Die nativen NMOS-Transistoren arbeiten ordnungsgemäß im eingeschalteten Zustand (niedriger Widerstand) bei einer niedrigen Versorgungsspannung und im ausgeschalteten Zustand (hoher Widerstand) bei einer hohen Versorgungsspannung. Vorspannungswiderstände des Oszillator-Gm-Treibers werden umfunktioniert, um die nativen NMOS-Transistoren zu degenerieren, wenn sie ausgeschaltet sind, wodurch der Leckstrom derselben (von GPIO-Knoten entkoppelte Oszillatorschaltung) verringert wird. Dies stellt die Einhaltung der CMOS IIH-Leckstromspezifikation während eines externen Taktmodus (EC) bei einer hohen Versorgungsspannung sicher.