公开(公告)号：US20140326904A1

公开(公告)日：2014-11-06

申请号：US14260306

申请日：2014-04-24

Applicant: Media Lario S.R.L.

Inventor： Natale M. Ceglio ,  Daniel Stearns ,  Richard Levesque

IPC: H05G2/00

CPC classification number: H05G2/005 ,  G03F7/70033 ,  G03F7/70916 ,  H05G2/006 ,  H05G2/008

Abstract: A Sn vapor EUV LLP source system for EUV lithography is disclosed. The system generates a Sn vapor column from a supply of Sn liquid. The Sn column has a Sn-atom density of

Abstract translation: 公开了一种用于EUV光刻的Sn蒸气EUV LLP源系统。 该系统从Sn液体供应产生Sn蒸气柱。 Sn柱的Sn原子密度<1019 atoms / cm3，以声速或接近声速行进。 该系统还具有一个Sn蒸汽冷凝器，其布置成接收Sn蒸气柱并冷凝Sn蒸气以形成再循环的Sn液体。 脉冲激光照射Sn蒸气柱的一部分。 每个脉冲产生电子密度<1019电子/ cm 3的低密度Sn等离子体，从而允许低密度Sn等离子体基本上各向同性地发射EUV辐射。

公开(公告)号：US09585236B2

公开(公告)日：2017-02-28

申请号：US14260306

申请日：2014-04-24

Applicant: Media Lario S.R.L.

Inventor： Natale M. Ceglio ,  Daniel Stearns ,  Richard Levesque

IPC: H05G2/00 ,  G03F7/20

CPC classification number: H05G2/005 ,  G03F7/70033 ,  G03F7/70916 ,  H05G2/006 ,  H05G2/008

Abstract: A Sn vapor EUV LLP source system for EUV lithography is disclosed. The system generates a Sn vapor column from a supply of Sn liquid. The Sn column has a Sn-atom density of

Abstract translation: 公开了一种用于EUV光刻的Sn蒸气EUV LLP源系统。 该系统从Sn液体供应产生Sn蒸气柱。 Sn柱的Sn原子密度<1019 atoms / cm3，以声速或接近声速行进。 该系统还具有一个Sn蒸汽冷凝器，其布置成接收Sn蒸气柱并冷凝Sn蒸气以形成再循环的Sn液体。 脉冲激光照射Sn蒸气柱的一部分。 每个脉冲产生电子密度<1019电子/ cm 3的低密度Sn等离子体，从而允许低密度Sn等离子体基本上各向同性地发射EUV辐射。