公开(公告)号：CN102448873A

公开(公告)日：2012-05-09

申请号：CN201080022991.3

申请日：2010-05-26

Applicant: NXP股份有限公司

Inventor： 豪克·波尔曼 ,  罗纳德·德克尔 ,  乔格·穆勒 ,  马丁·德姆林

IPC: B81C1/00 ,  H03H3/007

CPC classification number: H03H3/0073 ,  B81B2201/0271 ,  B81C1/0019 ,  Y10T29/49005 ,  Y10T29/49128 ,  Y10T29/49156

Abstract: 公开了一种制造电子器件的方法，所述电子器件包括微机电(MEMS)元件，所述方法包括以下步骤：在衬底(32)的第一侧提供材料层(34)；在材料层(34)中提供沟槽(40)；从沟槽(40)刻蚀材料，以还从衬底(32)的第一侧刻蚀衬底(32)；从衬底的第二侧研磨衬底(32)以使沟槽(40)外露；以及使用外露的沟槽(40)作为刻蚀孔。外露的沟槽(40)被用作刻蚀孔，以从衬底(32)释放材料层(34)的一部分，例如梁谐振器(12)。提供了输入电极(6)、输出电极(8)和顶部电极(10)。