公开(公告)号：DE112013004509A5

公开(公告)日：2015-06-03

申请号：DE112013004509

申请日：2013-09-16

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： GALLMEIER HANS-CHRISTOPH ,  STOLL ION ,  TAEGER SEBASTIAN ,  LINDBERG GUDRUN ,  HARTAUER STEFAN

IPC: H01L21/02 ,  H01L33/00 ,  H01L33/44 ,  H01L33/46 ,  H01L33/50 ,  H01L33/62

公开(公告)号：DE102015103335A1

公开(公告)日：2016-09-08

申请号：DE102015103335

申请日：2015-03-06

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： REESWINKEL THOMAS ,  LINDBERG GUDRUN

IPC: B05D5/08

Abstract: Es wird eine optoelektronische Vorrichtung (1) aufweisend zumindest eine Außenoberfläche (2) mit einem Silikon (20) angegeben, wobei chemische Verbindungen, umfassend eine Ankergruppe (3) und eine Kopfgruppe (4), mit der Ankergruppe an das Silikon gebunden sind, und wobei die Adhäsion der auf der Außenoberfläche befindlichen Bereiche des Silikons (2) durch die Kopfgruppen der chemischen Verbindungen vermindert ist. Weiterhin wird ein Verfahren zur Herstellung einer optoelektronischen Vorrichtung angegeben.

公开(公告)号：DE102018109834A1

公开(公告)日：2019-10-24

申请号：DE102018109834

申请日：2018-04-24

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： LINDBERG GUDRUN ,  KLEIN MARKUS ,  SCHREYER ERWIN ,  GEBUHR TOBIAS ,  LIPPERT ALEXANDER

IPC: H01L33/52 ,  H01L21/56 ,  H01L33/56

Abstract: Ein Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements (21, 22) umfasst die folgenden Verfahrensschritte: Ein Wafer (1) mit optoelektronischen Halbleiterchips (2) wird bereitgestellt. Ein Opfermaterial (5) wird auf den optoelektronischen Halbleiterchips (2) angeordnet. Der Wafer (1) wird zerteilt, um die optoelektronischen Halbleiterchips (2) zu vereinzeln. Ein mit dem Opfermaterial (5) bedeckter optoelektronischer Halbleiterchip (2) wird in ein Vergussmaterial (7) eingebettet. Das Opfermaterial (5) wird entfernt, wobei auf dem Opfermaterial (5) befindliche Teile des Vergussmaterials (7) entfernt werden.

公开(公告)号：DE102015108736A1

公开(公告)日：2016-12-08

申请号：DE102015108736

申请日：2015-06-02

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： LINDBERG GUDRUN

IPC: H01L33/44 ,  H01L23/28 ,  H01L51/54

Abstract: Die Erfindung betrifft ein optoelektronisches Bauelement (100) mit zumindest einer metallischen Oberfläche (1) umfassend einen kontaktierten optoelektronischen Halbleiterchip (2), der zur Emission von Strahlung eingerichtet ist, eine Schutzschicht (5), die auf der zumindest einen metallischen Oberfläche (1) angeordnet ist, wobei die Schutzschicht (5) ein Schutzmaterial (3) aus zumindest einem N-heterozyklischen Carben (14) umfasst, wobei zwischen dem Schutzmaterial (3) und der zumindest einen metallischen Oberfläche (1) eine kovalente Bindung (4) ausgebildet ist.

公开(公告)号：DE102013103724A1

公开(公告)日：2014-10-16

申请号：DE102013103724

申请日：2013-04-12

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： LINDBERG GUDRUN

IPC: C09J5/00 ,  C09J11/06

Abstract: Es wird ein Trägersystem (100) angegeben, umfassend – einen Träger (1) mit einer Trägeroberfläche (11), – eine Linkerschicht (2), welche direkt auf der Trägeroberfläche (11) aufgebracht ist, – eine Kleberschicht (3), welche direkt auf der Linkerschicht (2) aufgebracht ist, und – ein Substrat (4), welches direkt auf der Kleberschicht (3) aufgebracht ist und der Trägeroberfläche (11) zugewandt ist, wobei die Linkerschicht (2) zumindest einen Linker (R-Y) umfasst oder daraus besteht, wobei der Linker (R-Y) photolabil ist, wobei der Linker (R-Y) zumindest eine der folgenden Struktureinheiten aufweist: Si-Si-Bindung, Nitrobenzyl, Isoxazolidin und Kombinationen daraus.

公开(公告)号：DE102013103723A1

公开(公告)日：2014-10-16

申请号：DE102013103723

申请日：2013-04-12

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： LINDBERG GUDRUN

IPC: H01L21/78 ,  H01L21/30 ,  H01L21/58 ,  H01L33/00 ,  H01L33/48

Abstract: Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung eines Bauteils umfassend die folgenden Verfahrensschritte: A) Bereitstellen eines Trägers (1) mit einer Trägeroberfläche (11), B) Aufbringen einer Opferschicht (2) auf die Trägeroberfläche (11), C) Bereitstellen eines Bauelements (4) oder mehrere Bauelemente, D) Aufbringen einer Kleberschicht (3) auf das Bauelement (4) und/oder auf die Opferschicht, E) Aufbringen des Bauelements auf die Trägeroberfläche (11) mit Hilfe der Kleberschicht (3), F) Bearbeiten des Bauelements (4) oder der Bauelemente G) Einwirken lassen von elektromagnetischer Strahlung (7) auf die Opferschicht, wodurch die Opferschicht sich zumindest teilweise photolytisch verändert, wobei die photolytisch veränderte Opferschicht im Vergleich zur Opferschicht eine Löslichkeit in einem wässrigen Medium aufweist, und H) Trennen des Bauelements (4) von dem Träger (1) durch Lösen der photolytisch veränderten Opferschicht im wässrigen Medium.