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    HALBLEITERLASERARRAY UND HALBLEITERLASERARRAYSCHALTUNGSANORDNUNG
    1.
    发明申请
    HALBLEITERLASERARRAY UND HALBLEITERLASERARRAYSCHALTUNGSANORDNUNG 审中-公开

    公开(公告)号：WO2019081653A1

    公开(公告)日：2019-05-02

    申请号：PCT/EP2018/079312

    申请日：2018-10-25

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： MÜLLER, Martin ,  GRÖNNINGER, Günther

    IPC: H01S5/042 ,  H01S5/30 ,  H01S5/40

    Abstract: Halbleiterlaserarray (1) mit einer Mehrzahl von Halbleiterlasern (10) umfassend ein gemeinsames Substrat (20, 20n, 20p), das die gemeinsame Anode (A) der Mehrzahl von Halbleiterlasern (10) ist, wobei jeder Halbleiterlaser (10) jeweils einen pn-Übergangsbereich (110, 120, 130) zwischen der gemeinsamen Anode (A) und einer Kathodenkontaktschicht (30, 30n, 30p) aufweist und der pn-Übergangsbereich (110, 120, 130) eine p-dotierte Schicht (p) und eine n-dotierte Schicht (n) umfasst und die p-dotierte Schicht (p) des pn-Übergangsbereichs (110, 120, 130) dem Substrat (20, 20n, 20p) zugewandt ist. Die Halbleiterlaserarrayschaltungsanordnung umfasst solch ei Halbleiterlaserarray (1), dessen Laser (10) jeweils von einem Treiber (60) mit einem n-MOSFET (66) angesteuert werden.

    OBERFLÄCHENMONTIERBARER HALBLEITERLASER, ANORDNUNG MIT EINEM SOLCHEN HALBLEITERLASER UND BETRIEBSVERFAHREN HIERFÜR
    2.
    发明申请
    OBERFLÄCHENMONTIERBARER HALBLEITERLASER, ANORDNUNG MIT EINEM SOLCHEN HALBLEITERLASER UND BETRIEBSVERFAHREN HIERFÜR 审中-公开

    公开(公告)号：WO2018114812A1

    公开(公告)日：2018-06-28

    申请号：PCT/EP2017/083328

    申请日：2017-12-18

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： MÜLLER, Martin ,  HALBRITTER, Hubert

    IPC: H01S5/022

    Abstract: In einer Ausführungsform ist der Halbleiterlaser (1) oberflächenmontierbar und umfasst eine Halbleiterschichtenfolge (2), die einen zur Erzeugung von Laserstrahlung (L) eingerichteten Erzeugungsbereich (22) zwischen einer p-Seite (p) und einer n-Seite (n) beinhaltet. Weiterhin umfasst der Halbleiterlaser zwei Kontaktflächen (31, 32) zur externen elektrischen Kontaktierung der p-Seite (p) und der n-Seite (n). Dabei ist der Erzeugungsbereich (22) dazu eingerichtet, gepulst mit zeitweisen Stromdichten von mindestens 30 A/mm 2 betrieben zu werden. Die Kontaktflächen (31, 32) befinden sich an derselben Seite der Halbleiterschichtenfolge (2) in einer gemeinsamen Ebene, sodass der Halbleiterlaser (1) bonddrahtfrei kontaktierbar ist.

    OPTOELEKTRONISCHES HALBLEITERBAUTEIL
    3.
    发明申请
    OPTOELEKTRONISCHES HALBLEITERBAUTEIL 审中-公开
    光电半导体器件

    公开(公告)号：WO2010105865A2

    公开(公告)日：2010-09-23

    申请号：PCT/EP2010/050647

    申请日：2010-01-20

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH ,  MÜLLER, Martin ,  STRAUSS, Uwe

    Inventor： MÜLLER, Martin ,  STRAUSS, Uwe

    CPC classification number: H01S5/4031 ,  H01S3/094096 ,  H01S3/0941 ,  H01S5/0425 ,  H01S5/1053 ,  H01S5/3095 ,  H01S5/4043 ,  H01S5/405 ,  H01S5/4087 ,  H01S5/423

    Abstract: In mindestens einer Ausführungsform des optoelektronischen Halbleiterbauteils (1) umfasst dieses einen epitaktisch gewachsenen Halbleiterkörper (2) mit mindestens einer aktiven Schicht (3). Weiterhin weist der Halbleiterkörper (2) des Halbleiterbauteils (1) mindestens eine Barriereschicht (4) auf, wobei die Barriereschicht (4) direkt an die aktive Schicht (3) grenzt. Entlang einer Variationsrichtung oder einer Längsrichtung (L), senkrecht zu einer Wachstumsrichtung (G) des Halbleiterkörpers (2), ist eine Materialzusammensetzung und/oder eine Schichtdicke der aktiven Schicht (3) und/oder der Barriereschicht (4) variiert. Durch die Variation der Materialzusammensetzung und/oder der Schichtdicke der aktiven Schicht (3) und/oder der Barriereschicht (4) ist eine Emissionswellenlänge (λ) einer in der aktiven Schicht (3) erzeugten Strahlung (R), ebenfalls entlang der Variationsrichtung oder entlang der Längsrichtung (L), eingestellt.

    Abstract translation: 在外延生长的半导体本体的光电子半导体器件（1）中的至少一个实施例中（2）具有至少一个有源层（3）。 此外，半导体主体（2）的半导体元件（1）的至少一个阻挡层（4），其中所述阻挡层（4）相邻的有源层（3）。 沿变化的方向或长度方向（L），垂直于所述半导体主体（2），材料组合物和/或活性层（3）和/或阻挡层（4）被改变的层厚度的生长方向（G）。 通过改变材料的组成和/或活性层（3）和/或阻挡层的层厚度（4）是一种发射波长（λ）的辐射所产生的在所述有源层（3）（R），也沿着变化或沿的方向 纵向方向（L），被设置。

    OBERFLÄCHENEMITTIERENDER HALBLEITERLASER MIT MEHREREN AKTIVEN ZONEN
    5.
    发明申请
    OBERFLÄCHENEMITTIERENDER HALBLEITERLASER MIT MEHREREN AKTIVEN ZONEN 审中-公开
    具有多个有源区面发光半导体激光器

    公开(公告)号：WO2010000231A1

    公开(公告)日：2010-01-07

    申请号：PCT/DE2009/000881

    申请日：2009-06-25

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH ,  BRICK, Peter ,  MÜLLER, Martin

    Inventor： BRICK, Peter ,  MÜLLER, Martin

    IPC: H01S5/183 ,  H01S5/14 ,  H01S5/06

    CPC classification number: H01S5/18355 ,  H01S3/109 ,  H01S5/14 ,  H01S5/18383 ,  H01S5/18388 ,  H01S5/3095

    Abstract: Es wird ein oberflächenemittierender Halbleiterlaser mit einem Halbleiterkörper (1) angegeben, der mindestens zwei aktive Zonen (2) zur Emission von Laserstrahlung (13) aufweist, die durch einen Tunnelübergang (3) miteinander verbunden sind, und der einen außerhalb des Halbleiterkörpers (1) angeordneten externen Resonatorspiegel (11) zur Ausbildung eines Laserresonators aufweist, wobei in dem Laserresonator mindestens ein polarisationsselektives Element (4) angeordnet ist.

    Abstract translation: 它是一种表面发射半导体激光器包括一半导体本体被指定（1），具有至少两个活性区域（2），用于发射它们通过隧道结（3）相互连接的激光辐射（13），和一个在半导体本体（1）外 具有布置外部谐振器反射镜（11），以形成一个激光谐振器具有至少一个偏振选择元件（4）被布置在所述激光谐振器。

    HALBLEITERLASERVORRICHTUNG
    7.
    发明申请
    HALBLEITERLASERVORRICHTUNG 审中-公开
    半导体激光器件

    公开(公告)号：WO2007098730A2

    公开(公告)日：2007-09-07

    申请号：PCT/DE2007/000244

    申请日：2007-02-08

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH ,  SCHMID, Wolfgang ,  MÜLLER, Martin

    Inventor： SCHMID, Wolfgang ,  MÜLLER, Martin

    CPC classification number: H01S5/183 ,  H01S5/026 ,  H01S5/041 ,  H01S5/22 ,  H01S5/4031

    Abstract: Die Erfindung betrifft eine Halbleiterlaservorrichtung mit einem optisch gepumpten oberflächenemittierenden Vertikalemitter (1), der in einer Vertikalhauptstrahlungsrichtung emittiert, und mindestens einer monolithisch integrierten Pumpstrahlungsquelle (2) zum optischen Pumpen des Vertikalemitters (1), wobei die Pumpstrahlungsquelle in einer Pumphauptstrahlungsrichtung, die quer zur Vertikalhauptstrahlungsrichtung verläuft, Pumpstrahlung emittiert. Die Halbleiterlaservorrichtung zeichnet sich gemäß einer ersten Ausführung dadurch aus, dass zumindest ein vertikaler Abschnitt der Pumpstrahlungsquelle (2) in einer Lateralrichtung quer zur Pumphauptstrahlungsrichtung und quer zur Vertikalhauptstrahlungsrichtung indexführend für Pumpstrahlung ausgeführt ist. In einer zweiten Ausführung ist die Halbleiterlaservorrichtung dadurch gekennzeichnet, dass die Pumpstrahlungsquelle (2) in zumindest einem vertikalen Abschnitt in einer Lateralrichtung quer zur Pumphauptstrahlungsrichtung eine geringere Breite aufweist als in einem weiteren vertikalen Abschnitt. Es wird auf diese Weise bei geeigneter Dimensionierung erreicht, dass Moden der Pumpstrahlung ganz oder zumindest teilweise in vertikaler Richtung aus diesem Abschnitt gedrängt wird, wodurch Absorptionsverluste der Pumpstrahlung an leitenden Schichten verringert werden können.

    Abstract translation: 本发明涉及一种半导体激光装置与光泵浦的表面发射垂直发射器（1）发射在竖直主辐射方向，以及至少一个单片集成泵浦辐射源（2），用于光学泵浦垂直发射器（1），其中，在泵主辐射方向横向泵浦辐射源到垂直主辐射方向 运行时，发射泵浦辐射。 的半导体激光装置是根据第一实施例的特征在于，泵浦辐射源的至少一个垂直部分，其特征在于（2）在横向方向上横向于所述泵主辐射方向和横向于用于泵浦辐射垂直主辐射方向索引前导进行。 在第二个实施例中，半导体激光装置的特征在于，在至少一个垂直部分泵浦辐射源（2）在横向方向上横向于更小的宽度的泵主辐射方向上比在另一个垂直截面。 它以这种方式实现的，具有合适的尺寸，使得泵辐射模式被部分地从该部分中，从而泵辐射的吸收损耗可以减小到导电层在垂直方向上完全敦促或至少。

    OPTOELEKTRONISCHES HALBLEITERBAUTEIL
    8.
    发明公开
    OPTOELEKTRONISCHES HALBLEITERBAUTEIL 审中-公开
    光电半导体器件

    公开(公告)号：EP2409368A2

    公开(公告)日：2012-01-25

    申请号：EP10700750.2

    申请日：2010-01-20

    Applicant: OSRAM Opto Semiconductors GmbH

    Inventor： MÜLLER, Martin ,  STRAUSS, Uwe

    IPC: H01S3/0941 ,  H01S5/40 ,  H01S5/42

    CPC classification number: H01S5/4031 ,  H01S3/094096 ,  H01S3/0941 ,  H01S5/0425 ,  H01S5/1053 ,  H01S5/3095 ,  H01S5/4043 ,  H01S5/405 ,  H01S5/4087 ,  H01S5/423

    Abstract: At least one embodiment of the optoelectronic semiconductor component (1) comprises an epitactically grown semiconductor body (2) having at least one active layer (3). The semiconductor body (2) of the semiconductor component (1) furthermore comprises at least one barrier layer (4), wherein the barrier layer (4) directly adjoins the active layer (3). In a variation direction or a longitudinal direction (L), perpendicular to a growth direction (G) of the semiconductor body (2), a material composition and/or a layer thickness of the active layer (3) and/or the barrier layer (4) is varied. Due to the variation of the material composition and/or the layer thickness of the active layer (3) and/or the barrier layer (4), an emission wavelength (λ) of a radiation (R) generated in the active layer (3), likewise in the variation direction or in the longitudinal direction (L), is set.

    HALBLEITERLASERVORRICHTUNG
    9.
    发明公开
    HALBLEITERLASERVORRICHTUNG 审中-公开

    公开(公告)号：EP1989765A2

    公开(公告)日：2008-11-12

    申请号：EP07711169.8

    申请日：2007-02-08

    Applicant: OSRAM Opto Semiconductors GmbH

    Inventor： SCHMID, Wolfgang ,  MÜLLER, Martin

    IPC: H01S5/183 ,  H01S5/04 ,  H01S5/026

    CPC classification number: H01S5/183 ,  H01S5/026 ,  H01S5/041 ,  H01S5/22 ,  H01S5/4031

    Abstract: The invention relates to a semiconductor laser device comprising an optically pumped surface-emitting vertical emitter (1) which emits in a vertical main radiating direction, and at least one monolithically integrated pumping radiation source (2) for optically pumping the vertical emitter (1), the pumping radiation source emitting pumping radiation that extends transversal to the vertical main radiating direction. According to a first embodiment, the inventive semiconductor laser device is characterized in that at least one vertical section of the pumping radiation source (2) is configured so as to be index-guiding for pumping radiation in a lateral direction perpendicular to the main direction of pumping radiation and perpendicular to the vertical main radiating direction. In a second embodiment, the semiconductor laser device is characterized in that the pumping radiation source (2) has a smaller width in a lateral direction perpendicular to the main direction of pumping radiation in at least one vertical section than in another vertical section. If the dimensions are adequate, modes of the pumping radiation can thus be entirely or at least partly displaced from said section in a vertical direction, resulting in a reduction of absorption losses of the pumping radiation on conducting layers.

    Abstract translation: 本发明涉及一种半导体激光器件，包括光学泵浦表面发射垂直发射器（1）至少一种单片集成激励辐射源（2），用于光学泵浦垂直发射器（1），其发射在竖直主辐射方向，和 ，泵浦辐射源发射横向于垂直主辐射方向延伸的泵浦辐射。 根据一个第一实施方案，本发明的半导体激光装置的特征在于，激励辐射源的至少一个垂直部分（2）被配置为能够折射率引导为在横向方向垂直泵送辐射的主方向 泵浦辐射并垂直于垂直主辐射方向。 在第二实施例中，半导体激光器装置的特征在于，泵浦辐射源（2）在垂直于至少一个垂直部分中的泵浦辐射的主方向的横向方向上具有比另一个垂直部分中的更小的宽度。 如果尺寸足够，则泵浦辐射的模式因此可以完全或者至少部分地在垂直方向上从所述部分移位，导致泵浦辐射在导电层上的吸收损失的减少。

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