公开(公告)号：WO2018007320A1

公开(公告)日：2018-01-11

申请号：PCT/EP2017/066505

申请日：2017-07-03

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： RUPPRICH, Christoph ,  RUDOLPH, Andreas ,  HALBRITTER, Hubert

IPC: H01L25/075 ,  H01L33/08

Abstract: Es wird eine Lumineszenzdiode (100) für den infraroten Spektralbereich beschrieben, umfassend - ein Trägersubstrat (13), - eine erste Halbleiterschichtenfolge (1), die eine zur Emission von Strahlung mit einer ersten dominanten Wellenlänge λ dom 1 geeignete erste aktive Schicht (4a) aufweist, - eine zweite Halbleiterschichtenfolge (2), die eine zur Emission von Strahlung mit einer zweiten dominanten Wellenlänge λ dom2 geeignete zweite aktive Schicht (4b) aufweist, wobei - die erste Halbleiterschichtenfolge (1) und die zweite Halbleiterschichtenfolge (2) nebeneinander auf dem Trägersubstrat (13) angeordnet sind, und - die dominante Wellenlänge λ dom1 der ersten aktiven Schicht (4a) und die dominante Wellenlänge λ dom2 der zweiten aktiven Schicht (4b) voneinander verschieden sind. Weiterhin wird ein Verfahren zur Herstellung der Lumineszenzdiode (100) beschrieben.

Abstract translation: 描述了用于红外光谱范围的发光二极管（100），其包括： - 载体衬底（13）; - 第一半导体层序列（1），其中一个用于发射具有第一半导体层 主波长λ1/2具有合适的第一有源层（4a）， - 第二半导体层序列（2），其包括用于发射具有第二主波长（2）的辐射的第二半导体层序列（2）。 λ2具有合适的第二有源层（4b），其中 - 所述第一半导体层序列（1）和所述第二半导体层序列（2）并排布置在所述载体衬底（13）上，并且 - 第一有源层（4a）的波长λ和第二有源层（4b）的主波长λ

公开(公告)号：WO2012038313A1

公开(公告)日：2012-03-29

申请号：PCT/EP2011/065950

申请日：2011-09-14

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH ,  BEHRINGER, Martin Rudolf ,  KLEMP, Christoph ,  RUPPRICH, Christoph

Inventor： BEHRINGER, Martin Rudolf ,  KLEMP, Christoph ,  RUPPRICH, Christoph

IPC: H01L33/40 ,  H01L33/38

CPC classification number: H01L33/405 ,  H01L33/38 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/01068 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: Es ist ein optoelektronischer Halbleiterchip (10) vorgesehen, der einen Halbleiterschichtenstapel (3) und einen Spiegel (2) aufweist. Der Halbleiterschichtenstapel (3) weist eine aktive Schicht (3a) zur Erzeugung elektromagnetischer Strahlung auf. Der Spiegel (2) ist an einer Unterseite des Halbleiterschichtenstapels (3) angeordnet. Der Spiegel (2) weist einen ersten Bereich (2a) und einen zweiten Bereich (2b) auf, wobei der erste Bereich (2a) Silber und der zweite Bereich (2b) Gold enthält. Weiter ist ein Verfahren zum Herstellen eines solchen Halbleiterchips (10) angegeben.

Abstract translation: 提供了一种具有一半导体层堆叠（3）和反射镜（2）的光电子半导体芯片（10）。 半导体层堆叠（3）具有用于产生电磁辐射的有源层（3a）中。 反射镜（2）被布置在所述半导体层堆叠（3）的下侧。 反射镜（2）具有第一部分（2a）和第二部分（2b）中，其特征在于，银的第一部分（2a）和所述第二部分（2b）中含有金。 此外，被指定用于制造这样的半导体芯片（10）的方法。

公开(公告)号：EP2619807B1

公开(公告)日：2016-12-21

申请号：EP11758444.1

申请日：2011-09-14

Applicant: OSRAM Opto Semiconductors GmbH

Inventor： BEHRINGER, Martin Rudolf ,  KLEMP, Christoph ,  RUPPRICH, Christoph

IPC: H01L33/40 ,  H01L33/38

CPC classification number: H01L33/405 ,  H01L33/38 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/01068 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

公开(公告)号：EP2619807A1

公开(公告)日：2013-07-31

申请号：EP11758444.1

申请日：2011-09-14

Applicant: OSRAM Opto Semiconductors GmbH

Inventor： BEHRINGER, Martin Rudolf ,  KLEMP, Christoph ,  RUPPRICH, Christoph

IPC: H01L33/40 ,  H01L33/38

CPC classification number: H01L33/405 ,  H01L33/38 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/01068 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: An optoelectronic semiconductor chip (10) is provided which has a semiconductor layer stack (3) and a mirror (2). The semiconductor layer stack (3) has an active layer (3a) for producing electromagnetic radiation. The mirror (2) is arranged on an underside of the semiconductor layer stack (3). The mirror (2) has a first region (2a) and a second region (2b), wherein the first region (2a) contains silver and the second region (2b) contains gold. In addition, a method for fabricating such a semiconductor chip (10) is specified.

Abstract translation: 提供具有半导体层堆叠（3）和反射镜（2）的光电子半导体芯片（10）。 半导体层堆叠（3）具有用于产生电磁辐射的有源层（3a）。 反射镜（2）布置在半导体层堆叠（3）的下侧上。 反射镜（2）具有第一区域（2a）和第二区域（2b），其中第一区域（2a）包含银并且第二区域（2b）包含金。 此外，指定了制造这种半导体芯片（10）的方法。