公开(公告)号：WO2014023807A2

公开(公告)日：2014-02-13

申请号：PCT/EP2013066660

申请日：2013-08-08

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： REUSCH THILO ,  SCHWAMB PHILIPP

IPC: H01L51/52

CPC classification number: H01L51/5246 ,  H01L51/0096 ,  H01L51/442 ,  H01L51/448 ,  H01L51/5012 ,  H01L51/5206 ,  H01L51/5234 ,  H01L51/5237 ,  H01L51/524 ,  H01L51/5243 ,  H01L51/5253 ,  H01L51/56 ,  H01L2251/5361 ,  Y02E10/549

Abstract: In different embodiments a component (100) is provided, the component having: a support (102); a first electrode (110) on or over the support (102); an organic functional layer structure (112) on or over the first electrode (110); a second electrode (114) on or over the organic functional layer structure (112), wherein the first electrode (110) and the second electrode (114) are designed in such a manner that an electrical connection of the first electrode (110) to the second electrode (114) is established only by the organic functional layer structure (112); and an encapsulation (108), wherein the first electrode (110) and/or the second electrode (114) is electrically coupled to the support (102) and wherein, together with the support (102) the encapsulation (108) forms a structure which hermetically seals the organic functional layer structure (112), at least one electrode of the first electrode (110) and the second electrode (114) in respect of water and/or oxygen.

Abstract translation: 在各种实施例中，装置（100）被提供，该装置包括：衬底（102）; 上的第一电极（110）或所述载体（102）; 上或所述第一电极（110）上方的有机功能层结构（112）; 上或在有机功能层结构（112），其中，所述第一电极（110）和第二电极（114）被形成为使得上方的第二电极（114）的第一电极（110）的电连接到所述第二电极（ 114）仅由有机功能层结构（112），被配置; 和封装（108）; 其中，所述第一电极（110）和/或所述第二电极（114）到所述载体（102）电耦合; 并且其中所述封装（108）与所述载体（102）一起形成一个结构，该结构的有机功能层结构（112）和第一电极（110）和第二电极（114）中的至少一个电极气密相对于水和/或氧 密封。

公开(公告)号：WO2014048963A2

公开(公告)日：2014-04-03

申请号：PCT/EP2013069926

申请日：2013-09-25

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： SCHICKTANZ SIMON ,  SCHWAMB PHILIPP

IPC: H01L51/52

CPC classification number: H01L51/529 ,  H01L2251/5338

Abstract: In various exemplary embodiments, an optoelectronic component (100) is provided, the optoelectronic component (100) comprising: an electrically active region (106) on or above a carrier (102); a capping layer structure (128) on or above the electrically active region (106), and a heat distribution layer (402) in physical contact and/or thermal contact with the carrier (102) or the capping layer structure (128); wherein the heat distribution layer (402) is designed for distributing the heat of the electrically active region (106); and wherein the heat distribution layer (402) is designed in such a way that the neutral axis of the optoelectronic component (100) upon the bending of the optoelectronic component is established in the electrically active region (106), in an edge region of the electrically active region (106), in the capping layer structure (128) or in an edge region of the capping layer structure (128).

Abstract translation: 上或上方的介质（102）的电有源区（106）;：在各种实施例中提供的，提供了一种光电部件（100），所述光电部件（100），包括 上或上方的电活性区域（106）和物理接触和/或与所述支撑件（102）或覆盖层结构（128）热接触的热分布层（402）的覆盖层结构（128）; 其中，用于分配所述电有源区的热的热分布层（402）（106）的关系成立; 并且其中，所述热分布层（402）被布置成使得所述光电部件（100）的在覆盖层结构中所述电有源区（106）的边缘区域中的光电Bauelementesin的弯曲电有源区（106）中的中性纤维 （128）或在顶部层结构（128）的边缘区域被设置。

公开(公告)号：WO2014049043A3

公开(公告)日：2014-06-26

申请号：PCT/EP2013070049

申请日：2013-09-26

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： LANG ERWIN ,  SCHWAMB PHILIPP

IPC: H01L51/52

CPC classification number: H05K1/18 ,  G01N27/045 ,  H01L51/5203 ,  H01L2251/303 ,  H05K3/0044 ,  H05K3/32 ,  Y10T29/49124 ,  Y10T29/4913

Abstract: The invention provides various exemplary embodiments of a method for working an apparatus having at least one electrical layer structure (208, 308, 408), wherein the electrical layer structure (208, 308, 408) has a dielectric layer (202, 304, 404) in physical contact with an electrically conductive layer (110, 204, 302, 402) and the electrical layer structure (208, 308, 408) has a first electrical conductivity, the method comprising: establishing an electrical connection with the dielectric layer (202, 304, 404) of the electrical layer structure (208, 308, 408); and forming an electrical voltage profile at the electrical connection in such a way that a second electrical conductivity is formed; wherein the second electrical conductivity is greater than the first electrical conductivity; and wherein the electrical layer structure (208, 308, 408) has the second electrical conductivity after reduction of the electrical voltage profile.

Abstract translation: 在各种实施方案中，提供了一种用于处理具有至少一个电层结构（208，308，408）的装置的方法，其中，在与身体接触的电层结构（208，308，408）的介电层（202，304，404） 的导电层（110，204，302，402）和具有第一导电性的电层结构（208，308，408），所述方法包括：形成与介电层的电连接器（202，304，404） 电层结构（208，308，408）; 形成在使得第二导电性形成的电连接的电电压波形; 其中，所述第二电导率大于所述第一电导率更大; 并且其中所述去除具有第二导电性的电电压曲线的后电层结构（208，308，408）。

公开(公告)号：DE102012210876A1

公开(公告)日：2014-01-23

申请号：DE102012210876

申请日：2012-06-26

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： SCHWAMB PHILIPP ,  SETZ DANIEL STEFFEN

IPC: H01L51/52 ,  F21V5/00 ,  H01L27/28

Abstract: Es wird ein lichtemittierendes organisches Bauteil angegeben, mit – einem organischen aktiven Bereich (3), in dem im Betrieb des Bauteils Licht erzeugt wird, und – einer unebenen Lichtaustrittsfläche (6), durch die zumindest ein Teil des im organischen aktiven Bereich (3) erzeugten Lichts aus dem Bauteil austritt, wobei – an der unebenen Lichtaustrittsfläche (6) eine Vielzahl von optischen Strukturen (7) angeordnet ist, welche das durchtretende und/oder auf sie treffende Licht optisch beeinflussen.

公开(公告)号：DE102014101489A1

公开(公告)日：2015-08-20

申请号：DE102014101489

申请日：2014-02-06

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： KRUMMACHER BENJAMIN CLAUS ,  SCHICKTANZ SIMON ,  SCHWAMB PHILIPP

IPC: H01L33/62

Abstract: Es wird ein Verfahren zur Herstellung einer optoelektronischen Anordnung angegeben, mit den folgenden Schritten: – Bereitstellen eines Anschlussträgers (1) mit einer Kontaktfläche (12) und zwei Anschlussstellen (13), die mit der Kontaktfläche (12) elektrisch leitend verbunden sind, – Bereitstellen eines optoelektronischen Bauelements (2), aufweisend eine Anschlussfläche (22), – Aufbringen eines elektrisch leitenden Verbindungsmaterials (3) auf die Kontaktfläche (12) des Anschlussträgers (1), und – Erwärmen der Kontaktfläche (12) des Anschlussträgers (1) mittels Bestromen der Kontaktfläche (12) über die zwei Anschlussstellen (13), wobei das elektrisch leitende Verbindungsmaterial (3) durch die Kontaktfläche (12) geheizt wird, derart, dass das Verbindungsmaterial (3) schmilzt oder aushärtet.

公开(公告)号：DE102012109143A1

公开(公告)日：2014-03-27

申请号：DE102012109143

申请日：2012-09-27

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： SCHWAMB PHILIPP

IPC: H01L51/44 ,  H01L51/48 ,  H01L51/52 ,  H01L51/56

Abstract: In verschiedenen Ausführungsbeispielen wird ein optoelektronisches Bauelement (100) bereitgestellt, das optoelektronische Bauelement (100) aufweisend: einen Träger (102); eine organische funktionelle Schichtenstruktur (112), wobei die organische funktionelle Schichtenstruktur (112) auf oder über einem Träger (102) ausgebildet ist und zum Aufnehmen und/oder Bereitstellen von elektromagnetischer Strahlung eingerichtet ist; eine im Strahlengang der organischen funktionellen Schichtenstruktur (112) angeordnete Antireflex-/Getter-Schichtstruktur, die aufweist: Gettermaterial, das einen niedrigeren mittleren Brechungsindex aufweist als die organische funktionelle Schichtenstruktur (112); und eine Antireflexschicht, wobei Material der Antireflexschicht im Strahlengang der organischen funktionellen Schichtenstruktur (112) zumindest teilweise zwischen der organischen funktionellen Schichtenstruktur (112) und dem Gettermaterial angeordnet ist, und wobei das Material der Antireflexschicht, das zwischen der organischen funktionellen Schichtenstruktur (112) und dem Gettermaterial angeordnet ist, einen mittleren Brechungsindex aufweist, der größer ist als der mittlere Brechungsindex des Gettermaterials und/oder mindestens ein streuendes Zusatzmaterial verteilt in einer Matrix aufweist.

公开(公告)号：DE102012214411A1

公开(公告)日：2014-02-20

申请号：DE102012214411

申请日：2012-08-14

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： LANG ERWIN ,  REUSCH THILO ,  SCHWAMB PHILIPP

IPC: H01L21/52 ,  H01L51/52 ,  H01L21/56 ,  H01L23/02 ,  H01L23/28 ,  H01L51/42 ,  H01L51/56

Abstract: In verschiedenen Ausführungsbeispielen wird eine Vorrichtung bereitgestellt, die Vorrichtung aufweisend: einen ersten Träger (102), der mit mindestens einem ALD-Präkursor (302) und/oder mindestens einem MLD-Präkursor (302) belegt ist; einen zweiten Träger (104), der mit mindestens einem ALD-Präkursor (304) und/oder mindestens einem MLD-Präkursor (304) belegt ist, der/die zu dem ALD-Präkursor (302) und/oder MLD-Präkursor (302) des ersten Trägers (102) komplementär ist/sind; wobei der erste Träger (102) mit dem zweiten Träger (104) zumindest teilweise mittels einer atomaren Verbindung (118) zwischen dem ALD-Präkursor (302) des ersten Trägers (102) und dem ALD-Präkursor (304) des zweiten Trägers (104) bzw. zwischen dem MLD-Präkursor (302) des ersten Trägers (102) und dem MLD-Präkursor (304) des zweiten Trägers (104) verbunden ist derart, dass eine ALD-Schicht (118) oder eine MLD-Schicht (118) gebildet ist.

公开(公告)号：DE102012204432A1

公开(公告)日：2013-10-10

申请号：DE102012204432

申请日：2012-03-20

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： EDER FLORIAN ,  HARTMANN DAVID ,  LANG ERWIN ,  SARFERT WIEBKE ,  SCHMID GUENTER ,  SCHWAMB PHILIPP ,  SZYSZKOWSKI SABINE

IPC: H01L51/52 ,  H01L29/04 ,  H01L29/15 ,  H01L33/04 ,  H01L33/12

Abstract: In verschiedenen Ausführungsformen wird eine elektronische Struktur (100) bereitgestellt, welche mindestens eine organische Schicht (112) und mindestens eine auf die organische Schicht (112) aufgewachsene Metall-Aufwachsschicht (114) und mindestens eine auf der Metall-Aufwachsschicht (114) aufgewachsene Metallschicht (116) aufweist, wobei die mindestens eine Metall-Aufwachsschicht (114) Germanium enthält.

公开(公告)号：DE102014104229A1

公开(公告)日：2015-10-01

申请号：DE102014104229

申请日：2014-03-26

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： SCHWAMB PHILIPP

IPC: H01L51/52 ,  H01L51/56

Abstract: Es wird ein organisches optoelektronisches Bauelement angeben, das ein Substrat (1) mit einer transluzenten ersten Elektrode (2), einen organischen funktionellen Schichtenstapel (3) auf der ersten Elektrode (2) und eine zweite Elektrode (5) auf dem organischen funktionellen Schichtenstapel aufweist, wobei zwischen der ersten und zweiten Elektrode (2, 5) eine Isolatorschicht (4) angeordnet ist, die zusammen mit dem organischen funktionellen Schichtenstapel (3) die erste und die zweite Elektrode (2, 5) voneinander trennt und die unter der zweiten Elektrode (5) hervorragt, die zweite Elektrode (5) den organischen funktionellen Schichtenstapel (3) komplett überdeckt und die zweite Elektrode (5) und die Isolatorschicht (4) den organischen funktionellen Schichtenstapel (3) verkapseln. Weiterhin wird ein Verfahren zur Herstellung eines organischen optoelektronischen Bauelements angegeben.

公开(公告)号：DE102013105228A1

公开(公告)日：2014-11-27

申请号：DE102013105228

申请日：2013-05-22

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： POPP MICHAEL ,  SCHWAMB PHILIPP

IPC: H01L25/18 ,  G01B11/16 ,  H01L51/42 ,  H01L51/50

Abstract: In verschiedenen Ausführungsbeispielen wird eine optoelektronische Baugruppe (10) bereitgestellt, die eine flexible organische Leuchtdiode (7) zum Erzeugen und Abstrahlen von Licht und ein Sensorelement (9), das direkt körperlich mit der organischen Leuchtdiode (7) gekoppelt ist und das einen Krümmungswert erfasst, der repräsentativ für eine Krümmung der flexiblen organischen Leuchtdiode (7) ist, aufweist.