Abstract:
Es wird ein Verfahren zur Herstellung einer Vielzahl von Halbleiterbauelementen angegeben, wobei eine Halbleiterschichtenfolge mit einer ersten Halbleiterschicht, einer zweiten Halbleiterschicht und einem aktiven Bereich, der zwischen der ersten Halbleiterschicht und der zweiten Halbleiterschicht angeordnet ist, auf ein Substrat aufgebracht wird. Eine Kontaktstruktur zur elektrischen Kontaktierung der ersten Halbleiterschicht und der zweiten Halbleiterschicht wird gebildet. Ein Hilfssubstrat wird auf die Halbleiterschichtenfolge aufgebracht, so dass die Halbleiterschichtenfolge zwischen dem Hilfssubstrat und dem Substrat angeordnet ist. In einem nachfolgenden Verfahrensschritt wird das Substrat von der Halbleiterschichtenfolge entfernt. Die Halbleiterschichtenfolge wird in eine Mehrzahl von Halbleiterkörpern durch Bilden zumindest eines Grabens, der die Halbleiterkörper trennt, strukturiert. Eine Ankerschicht wird aufgebracht, welche den Graben und vertikale Flächen der Halbleiterkörper bedeckt. Eine Vielzahl von Ankerelementen wird durch Strukturieren der Ankerschicht in den Bereichen, die den Graben bedecken, gebildet. Das Hilfssubstrat lokal von den Halbleiterkörpern gelöst, wobei die Ankerelemente an dem Hilfssubstrat befestigt bleiben. Zumindest ein Halbleiterkörper mit einer ersten Halbleiterschicht, einer zweiten Halbleiterschicht und einem aktiven Bereich zusammen mit einer dazugehörigen Kontaktstruktur wird durch Trennen der Ankerelemente von dem Hilfssubstrat wahlweise aufgegriffen. Des Weiteren wird ein Halbleiterbauelement angegeben, das nach dem oben genannten Verfahren hergestellt ist.
Abstract:
Es wird ein Verfahren zur Herstellung einer Vielzahl von Halbleiterbauelementen angegeben, wobei eine Halbleiterschichtenfolge mit einer ersten Halbleiterschicht, einer zweiten Halbleiterschicht und einem aktiven Bereich, der zwischen der ersten Halbleiterschicht und der zweiten Halbleiterschicht angeordnet ist, auf ein Substrat aufgebracht wird. Eine Kontaktstruktur zur elektrischen Kontaktierung der ersten Halbleiterschicht und der zweiten Halbleiterschicht wird gebildet. Die Halbleiterschichtenfolge wird in eine Mehrzahl von Halbleiterkörpern durch Bilden zumindest eines Grabens, der die Halbleiterkörper trennt, strukturiert. Eine Isolationsschicht wird aufgebracht, die den Graben und vertikale Flächen der Halbleiterkörper bedeckt. Eine Vielzahl von Ankerelementen wird durch Strukturieren der Isolationsschicht in einem Bereich gebildet, der den Graben bedeckt. Das Substrat wird lokal von den Halbleiterkörpern gelöst, wobei die Ankerelemente an dem Substrat befestigt bleiben. Zumindest ein Halbleiterkörper mit einer ersten Halbleiterschicht, einer zweiten Halbleiterschicht und einem aktiven Bereich zusammen mit einer dazugehörigen Kontaktstruktur wird durch Trennen der Ankerelemente von dem Substrat wahlweise aufgegriffen. Des Weiteren wird ein Halbleiterbauelement angegeben, das nach dem oben genannten Verfahren hergestellt ist.
Abstract:
Aktives Bauteilfeld, welches enthält:zumindest ein druckbares elektronisches Bauteil (20), welches eine aktive Schicht (24) enthält, welche zumindest ein aktives Element (22) auf einer ersten Fläche davon und ein leitfähiges Element auf einer zweiten Fläche davon, gegenüberliegend zur ersten Fläche, enthält, wobei das leitfähige Element auf der zweiten Fläche dazu ausgelegt ist, eine elektrische Kopplung mit dem zumindest einen aktiven Element (22) auf der ersten Fläche bereitzustellen; wobei das mindestens eine druckbare elektronische Bauteil einen gebrochenen Abschnitt eines Anbindeelements (62) angrenzend zu einem Umfang davon umfasst, undein Ziel-Substrat (10), welches sich von der aktiven Schicht (24) unterscheidet und einen oder mehrere elektrische Kontakte (12) auf einer Fläche davon enthält, wobei das zumindest eine elektronische Bauteil (20) derart auf das Ziel-Substrat (10) gedruckt ist, dass das leitfähige Element auf der zweiten Fläche davon mit einem jeweiligen der elektrischen Kontakte (12) auf der Fläche des Substrats in Kontakt steht.
Abstract:
A printed electrical connection structure includes a substrate having one or more electrical connection pads and a micro-transfer printed component having one or more connection posts. Each connection post is in electrical contact with a connection pad. A resin is disposed between and in contact with the substrate and the component. The resin has a reflow temperature less than a cure temperature. The resin repeatedly flows at the reflow temperature when temperature-cycled between an operating temperature and the reflow temperature but does not flow after the resin is exposed to a cure temperature. A solder can be disposed on the connection post or the connection pad. After printing and reflow, the component can be tested and, if the component fails, another component is micro-transfer printed to the substrate, the resin is reflowed again, the other component is tested and, if it passes the test, the resin is finally cured.
Abstract:
The present invention provides structures and methods that enable the construction of micro-LED chiplets formed on a sapphire substrate that can be micro-transfer printed. Such printed structures enable low-cost, high-performance arrays of electrically connected micro-LEDs useful, for example, in display systems. Furthermore, in an embodiment, the electrical contacts for printed LEDs are electrically interconnected in a single set of process steps. In certain embodiments, formation of the printable micro devices begins while the semiconductor structure remains on a substrate. After partially forming the printable micro devices, a handle substrate is attached to the system opposite the substrate such that the system is secured to the handle substrate. The substrate may then be removed and formation of the semiconductor structures is completed. Upon completion, the printable micro devices may be micro transfer printed to a destination substrate.