Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements und Halbleiterbauelement

    公开(公告)号:DE112016000533T5

    公开(公告)日:2017-10-19

    申请号:DE112016000533

    申请日:2016-01-28

    Abstract: Es wird ein Verfahren zur Herstellung einer Vielzahl von Halbleiterbauelementen angegeben, wobei eine Halbleiterschichtenfolge mit einer ersten Halbleiterschicht, einer zweiten Halbleiterschicht und einem aktiven Bereich, der zwischen der ersten Halbleiterschicht und der zweiten Halbleiterschicht angeordnet ist, auf ein Substrat aufgebracht wird. Eine Kontaktstruktur zur elektrischen Kontaktierung der ersten Halbleiterschicht und der zweiten Halbleiterschicht wird gebildet. Ein Hilfssubstrat wird auf die Halbleiterschichtenfolge aufgebracht, so dass die Halbleiterschichtenfolge zwischen dem Hilfssubstrat und dem Substrat angeordnet ist. In einem nachfolgenden Verfahrensschritt wird das Substrat von der Halbleiterschichtenfolge entfernt. Die Halbleiterschichtenfolge wird in eine Mehrzahl von Halbleiterkörpern durch Bilden zumindest eines Grabens, der die Halbleiterkörper trennt, strukturiert. Eine Ankerschicht wird aufgebracht, welche den Graben und vertikale Flächen der Halbleiterkörper bedeckt. Eine Vielzahl von Ankerelementen wird durch Strukturieren der Ankerschicht in den Bereichen, die den Graben bedecken, gebildet. Das Hilfssubstrat lokal von den Halbleiterkörpern gelöst, wobei die Ankerelemente an dem Hilfssubstrat befestigt bleiben. Zumindest ein Halbleiterkörper mit einer ersten Halbleiterschicht, einer zweiten Halbleiterschicht und einem aktiven Bereich zusammen mit einer dazugehörigen Kontaktstruktur wird durch Trennen der Ankerelemente von dem Hilfssubstrat wahlweise aufgegriffen. Des Weiteren wird ein Halbleiterbauelement angegeben, das nach dem oben genannten Verfahren hergestellt ist.

    Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements und Halbleiterbauelement

    公开(公告)号:DE112016000546T5

    公开(公告)日:2017-11-16

    申请号:DE112016000546

    申请日:2016-01-28

    Abstract: Es wird ein Verfahren zur Herstellung einer Vielzahl von Halbleiterbauelementen angegeben, wobei eine Halbleiterschichtenfolge mit einer ersten Halbleiterschicht, einer zweiten Halbleiterschicht und einem aktiven Bereich, der zwischen der ersten Halbleiterschicht und der zweiten Halbleiterschicht angeordnet ist, auf ein Substrat aufgebracht wird. Eine Kontaktstruktur zur elektrischen Kontaktierung der ersten Halbleiterschicht und der zweiten Halbleiterschicht wird gebildet. Die Halbleiterschichtenfolge wird in eine Mehrzahl von Halbleiterkörpern durch Bilden zumindest eines Grabens, der die Halbleiterkörper trennt, strukturiert. Eine Isolationsschicht wird aufgebracht, die den Graben und vertikale Flächen der Halbleiterkörper bedeckt. Eine Vielzahl von Ankerelementen wird durch Strukturieren der Isolationsschicht in einem Bereich gebildet, der den Graben bedeckt. Das Substrat wird lokal von den Halbleiterkörpern gelöst, wobei die Ankerelemente an dem Substrat befestigt bleiben. Zumindest ein Halbleiterkörper mit einer ersten Halbleiterschicht, einer zweiten Halbleiterschicht und einem aktiven Bereich zusammen mit einer dazugehörigen Kontaktstruktur wird durch Trennen der Ankerelemente von dem Substrat wahlweise aufgegriffen. Des Weiteren wird ein Halbleiterbauelement angegeben, das nach dem oben genannten Verfahren hergestellt ist.

    Elektrisch verbundene Felder von aktiven Bauteilen in Überführungsdrucktechnik

    公开(公告)号:DE112011101135B4

    公开(公告)日:2021-02-11

    申请号:DE112011101135

    申请日:2011-03-22

    Abstract: Aktives Bauteilfeld, welches enthält:zumindest ein druckbares elektronisches Bauteil (20), welches eine aktive Schicht (24) enthält, welche zumindest ein aktives Element (22) auf einer ersten Fläche davon und ein leitfähiges Element auf einer zweiten Fläche davon, gegenüberliegend zur ersten Fläche, enthält, wobei das leitfähige Element auf der zweiten Fläche dazu ausgelegt ist, eine elektrische Kopplung mit dem zumindest einen aktiven Element (22) auf der ersten Fläche bereitzustellen; wobei das mindestens eine druckbare elektronische Bauteil einen gebrochenen Abschnitt eines Anbindeelements (62) angrenzend zu einem Umfang davon umfasst, undein Ziel-Substrat (10), welches sich von der aktiven Schicht (24) unterscheidet und einen oder mehrere elektrische Kontakte (12) auf einer Fläche davon enthält, wobei das zumindest eine elektronische Bauteil (20) derart auf das Ziel-Substrat (10) gedruckt ist, dass das leitfähige Element auf der zweiten Fläche davon mit einem jeweiligen der elektrischen Kontakte (12) auf der Fläche des Substrats in Kontakt steht.

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