公开(公告)号：WO2012025397A1

公开(公告)日：2012-03-01

申请号：PCT/EP2011/063883

申请日：2011-08-11

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH ,  STAUSS, Peter ,  DRECHSEL, Philipp ,  HERTKORN, Joachim

Inventor： STAUSS, Peter ,  DRECHSEL, Philipp ,  HERTKORN, Joachim

IPC: H01L33/00 ,  H01L33/12

CPC classification number: H01L29/2003 ,  H01L33/007 ,  H01L33/12

Abstract: Es wird ein Halbleiterbauelement mit einer Halbleiterschichtenfolge (2) aus einem nitridischen Verbindungshalbleitermaterial auf einem Substrat (1) angegeben, wobei das Substrat (1) eine der Halbleiterschichtenfolge (2) zugewandte Silizium-Oberfläche aufweist und die Halbleiterschichtenfolge (2) einen aktiven Bereich (21) und zwischen dem Substrat (1) und dem aktiven Bereich (21) zumindest eine Zwischenschicht (3) aus einem sauerstoffdotierten AlN-Verbindungshalbleitermaterial aufweist. Weiterhin wird ein Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements angegeben.

Abstract translation: 它是（2）由具有半导体层序列的半导体器件的氮化物半导体材料的一衬底（1）上，其中在衬底（1）具有（2）的面向硅表面和半导体层序列（2）的有源区的半导体层序列（21 ），并具有至少一个中间层（3）从所述衬底之间的氧掺杂的AlN化合物半导体材料（1）和所述有源区（21）。 此外，提供了一种制造半导体器件的方法。

公开(公告)号：WO2011018380A1

公开(公告)日：2011-02-17

申请号：PCT/EP2010/061222

申请日：2010-08-02

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH ,  STAUSS, Peter ,  RODE, Patrick

Inventor： STAUSS, Peter ,  RODE, Patrick

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L33/0079 ,  H01L33/007

Abstract: Es wird ein Verfahren zur Herstellung einer Leuchtdiode mit den folgenden Schritten angegeben: Bereitstellen eines Trägersubstrats (10), das eine Silizium-Oberfläche (10a) aufweist, epitaktisches Abscheiden einer aluminiumhaltigen Nitrid-Schichtenfolge (20) auf der Silizium-Oberfläche (10a) des Trägersubstrats (10) zur Bildung eines Leuchtdiodenträgers (100), Bereitstellen einer Leuchtdioden-Struktur (300) auf einem Aufwachsträger (200), Verbinden der dem Aufwachsträger (200) abgewandten Oberfläche der Leuchtdioden-Struktur (300) mit der dem Trägersubstrat (10) abgewandten Oberfläche des Leuchtdiodenträgers (100), Ablösen des Aufwachsträgers (200), Herstellen zumindest eines p-Kontaktes (62) und eines n-Kontaktes (61) zum Kontaktieren der Leuchtdioden-Struktur (300) von der dem Trägersubstrat (10) abgewandten Oberfläche der Leuchtdioden-Struktur (300) her.

Abstract translation: 提供了一种方法，用于制造发光二极管，包括以下步骤：提供具有硅表面（10A）的支撑基板（10）的硅表面（10A）上外延沉积含铝氮化物层序列（20） 载体衬底（10），以形成发光结构（100），提供对一个Aufwachsträger从发光结构（300）与所述载体基片的表面背对发光结构（300）（200）连接所述的Aufwachsträger（200）（10） 表面面对所述LED载体（100）的表面，剥离Aufwachsträgers（200），产生至少一个p接触（62）和n接触（61），用于在载体衬底（10）的发光结构（300）接触，从背对 发光结构（300）前。

公开(公告)号：WO2009039830A1

公开(公告)日：2009-04-02

申请号：PCT/DE2008/001534

申请日：2008-09-12

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH ,  STAUSS, Peter ,  PETER, Matthias ,  WALTER, Alexander

Inventor： STAUSS, Peter ,  PETER, Matthias ,  WALTER, Alexander

IPC: H01L33/00 ,  H01S5/343

CPC classification number: H01L33/06 ,  B82Y20/00 ,  H01L33/04 ,  H01L33/32 ,  H01L2924/0002 ,  H01S5/3086 ,  H01S5/34 ,  H01L2924/00

Abstract: Es wird ein optoelektronischer Halbleiterchip mit einer aktiven Zone (20) angegeben, die eine zur Erzeugung von elektromagnetischer Strahlung vorgesehenen Mehrfachquantentopfstruktur enthält, welche eine Mehrzahl von aufeinander folgenden Quantentopfschichten (210, 220, 230) aufweist. Die Mehrfachquantentopfstruktur weist mindestens eine erste Quantentopfschicht (210) auf, die n-leitend dotiert ist und die zwischen zwei an die erste Quantentopfschicht angrenzenden, n-leitend dotierten Barriereschichten (250) angeordnet ist. Sie weist eine zweite Quantentopfschicht (220) auf, die undotiert ist und zwischen zwei an die zweite Quantentopfschicht angrenzenden Barriereschichten (250, 260) angeordnet ist, von denen eine n-leitend dotiert und die andere undotiert ist. Zudem weist die Mehrfachquantentopfstruktur mindestens eine dritte Quantentopfschicht (230) auf, die undotiert ist und die zwischen zwei an die dritte Quantentopfschicht angrenzenden, undotierten Barriereschichten (260) angeordnet ist.

Abstract translation: 提供了一种具有有源区（20）的光电子半导体芯片包含用于产生电磁辐射的多量子阱结构，其包括多个连续的量子阱层（210，220，230）的一个提供的。 的多量子阱结构包括至少一个第一量子阱层（210），其是n型掺杂和之间邻近于所述第一量子阱层，n型掺杂两个阻挡层（250）被布置。 它有一个第二量子阱层（220）是未掺杂的且邻近于所述第二量子阱层阻挡层（250，260）两者之间布置，其中一个是n型掺杂，而另一个是未掺杂的。 此外，多量子阱结构具有至少一第三量子阱层（230）是未掺杂的和邻近第三量子阱层两者之间，所述未掺杂的阻挡层（260）被布置。

公开(公告)号：WO2021078505A1

公开(公告)日：2021-04-29

申请号：PCT/EP2020/077918

申请日：2020-10-06

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： PERZLMAIER, Korbinian ,  STAUSS, Peter ,  PFEUFFER, Alexander F. ,  KLEMP, Christoph ,  NEVELING, Kerstin ,  BIEBERSDORF, Andreas

IPC: H01L33/00

Abstract: Es wird ein Bauteilverbund (100) mit einem Hilfsträger (90), einer Mehrzahl von Bauteilen (10), einer Haltestruktur (7, 70) und einer elektrisch leitfähigen Opferschicht (6) angegeben, wobei die Bauteile jeweils eine der Opferschicht zugewandte Anschlussschicht (4) aufweisen, die mit der Opferschicht elektrisch leitend verbunden ist. Die Opferschicht befindet sich in vertikaler Richtung zwischen dem Hilfsträger und den Bauteilen, wobei die Opferschicht entfernbar ausgeführt ist und die Bauteile (10) außer über die Opferschicht (4) nur noch über die Haltestruktur (7, 70) mit dem Hilfsträger (90) mechanisch verbunden sind. Des Weiteren werden ein Verfahren zum Proben sowie ein Verfahren zum Herstellen von Bauteilen angegeben.

公开(公告)号：WO2017207441A1

公开(公告)日：2017-12-07

申请号：PCT/EP2017/062784

申请日：2017-05-26

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： TOLLABI MAZRAEHNO, Mohammad ,  STAUSS, Peter ,  GOMEZ-IGLESIAS, Alvaro

IPC: H01L31/0304 ,  H01L31/105

CPC classification number: H01L31/105 ,  H01L31/03048 ,  H01L31/1848 ,  H01L31/1852 ,  Y02E10/544

Abstract: Es wird ein Bauelement (100) zum Detektieren von UV-Strahlung mit einem auf Al m Ga 1-n-m In n N mit 0 ≤ n ≤ 1, 0 ≤ m ≤ 1 und n+m

Abstract translation: 用于检测具有AlNm1Ga1InInn的UV辐射的装置（100）被获得 其中0≤n≤1,0≤m≤1并且n + m <1。 如图1所示，半导体本体具有第一半导体层（21），第二半导体层（22）和其间的有源层（23）。 在这种情况下，第一半导体层是n掺杂的，第二半导体层是p掺杂的，并且形成有源层以通过辐射吸收产生电荷载流子对。 另外，半导体本体形成为使得有源层相对于其晶格常数而言是松弛的。 此外，还规定了生产这种装置的方法。

公开(公告)号：WO2013045355A1

公开(公告)日：2013-04-04

申请号：PCT/EP2012/068617

申请日：2012-09-21

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH ,  STAUSS, Peter ,  DRECHSEL, Philipp

Inventor： STAUSS, Peter ,  DRECHSEL, Philipp

IPC: H01L33/00 ,  H01L33/12 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L21/0254 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02505 ,  H01L21/0251 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/02647 ,  H01L33/007 ,  H01L33/12 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: Es wird ein Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Nitrid-Verbindungshalbleiter-Bauelements angegeben, bei dem eine Pufferschicht (2) aus einem Aluminium enthaltenden Nitrid-Verbindungshalbleiter auf die Siliziumoberfläche eines Aufwachssubstrats (1) aufgewachsen wird. Nachfolgend werden eine Verspannungsschichtstruktur (11) zur Erzeugung einer kompressiven Spannung und eine funktionelle Halbleiterschichtenfolge (12), welche eine aktive Schicht (9) aufweist, aufgewachsen. Die Verspannungsschichtstruktur (11) umfasst eine erste GaN- Halbleiterschicht (4) und eine zweite GaN-Halbleiterschicht (7), wobei in die erste GaN-Halbleiterschicht (4) eine Maskierungsschicht (5) eingebettet ist, zwischen der ersten GaN-Halbleiterschicht (4) und der zweiten GaN- Halbleiterschicht (7) eine AI (Ga) N-Zwischenschicht (6) zur Erzeugung einer kompressiven Spannung angeordnet ist, und die Verspannungsschichtstruktur (11) keine weiteren Al(Ga)N- Zwischenschichten (6) enthält.

Abstract translation: 公开的是用于制造光电子氮化物半导体器件，其特征在于，缓冲层（2）包括在生长衬底（1）的硅表面上形成含铝氮化物半导体生长的方法。 接着，应力衬垫结构（11）用于产生一个压缩应力，并且具有有源层的功能性半导体层序列（12）（9）中生长。 应变层结构（11）包括第一GaN半导体层（4）和第二GaN半导体层（7），其中在所述第一GaN半导体层（4）掩蔽层（5）被嵌入，（第一GaN半导体层4之间 ）和所述第二GaN半导体层（7）的Al（Ga）N系的中间层是用于产生压缩应力和应力衬垫结构（11布置（6））没有进一步的Al（Ga）N系中间层（6）。

公开(公告)号：WO2008065170A1

公开(公告)日：2008-06-05

申请号：PCT/EP2007/063007

申请日：2007-11-29

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH ,  JAEGER, Arndt ,  STAUSS, Peter ,  STREUBEL, Klaus ,  KUHLMANN, Werner

Inventor： JAEGER, Arndt ,  STAUSS, Peter ,  STREUBEL, Klaus ,  KUHLMANN, Werner

IPC: G01J1/42 ,  G01J3/36

CPC classification number: G01J1/4228 ,  G01J1/0488 ,  G01J3/36 ,  G01J3/46 ,  G01J3/465 ,  G01J3/50 ,  G01J3/51 ,  G01J3/513 ,  G01J2003/507 ,  H01L31/105

Abstract: Es wird ein Strahlungsdetektor (1) mit einer Detektoranordnung (2), die eine Mehrzahl von Detektorelementen (4, 5, 6) aufweist, mittels derer im Betrieb des Strahlungsdetektors ein Detektorsignal (DS) erhalten wird, und mit einer Regelungsvorrichtung (3) angegeben, wobei die Detektorelemente jeweils eine spektrale Empfindlichkeitsverteilung (400, 500, 600) aufweisen und zur Signalerzeugung (S4, S5, S6) geeignet sind, zumindest ein Detektorelement ein Verbindungshalbleitermaterial enthält und dieses Detektorelement zur Detektion von Strahlung im sichtbaren Spektralbereich ausgebildet ist, der Strahlungsdetektor derart ausgebildet ist, dass mittels der Empfindlichkeitsverteilungen der Detektorelemente verschiedene spektrale Empfindlichkeitskanäle (420, 520, 620) des Strahlungsdetektors gebildet sind, in den Empfindlichkeitskanälen mittels der Detektorelemente ein dem jeweiligen Empfindlichkeitskanal zugeordnetes Kanalsignal (K4, K5, K6) erzeugt werden kann, und die Regelungsvorrichtung derart ausgebildet ist, dass die Beiträge verschiedener Kanalsignale zum Detektorsignal des Strahlungsdetektors unterschiedlich geregelt sind.

Abstract translation: 它是一种具有（2）具有多个检测器元件的检测器阵列的辐射检测器（1）（4，5，6），通过该辐射检测器的操作期间获得的检测器信号（DS）的装置，并指示与控制装置（3） 其中所说的每一个都具有光谱灵敏度分布（400，500，600）的检测器元件和用于产生信号（S4，S5，S6）适于至少一个检测器元件是化合物半导体材料含有与该检测器元件适于在可见光谱范围内，所述辐射检测器检测辐射 被设计为使得由辐射检测器的检测器元件不同的频谱灵敏度通道（420，520，620）的灵敏度分布的装置被形成在灵敏度通道由检测器元件的每个灵敏度信道相关联的信道信号（K4，K5，K6）的装置可以被产生，并且 Regelungsvorrichtun 形成在这样一种方式，不同的信道信号的贡献被不同地调节到辐射检测器的检测器信号g。

公开(公告)号：WO2007140738A1

公开(公告)日：2007-12-13

申请号：PCT/DE2007/000805

申请日：2007-05-04

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH ,  STAUSS, Peter

Inventor： STAUSS, Peter

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L33/06 ,  B82Y20/00 ,  H01L33/32 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: Beschrieben ist eine Mehrfachquantentopfstruktur (1), die mindestens eine erste Quantentopfstruktur (2a) zur Erzeugung von Strahlung einer ersten Wellenlänge (6) und mindestens eine zweite Quantentopfstruktur (2b) zur Erzeugung von Strahlung einer zweiten Wellenlänge (7) umfasst, die größer ist als die erste Wellenlänge (6), und die zur Emission von Strahlung einer Hauptwellenlänge (14) vorgesehen ist, wobei sich die zweite Wellenlänge (7) derart von der ersten Wellenlänge (6) unterscheidet, dass sich die Hauptwellenlänge (14) bei einer Verschiebung der ersten Wellenlänge (6) und der zweiten Wellenlänge (7) nur um einen vorgegebenen Höchstwert ändert. Ferner sind ein strahlungsemittierender Halbleiterkörper und ein strahlungsemittierendes Bauelement beschrieben.

Abstract translation: 描述的是（1），包括用于产生第一波长的辐射的至少一个第一量子阱结构（2a）中的多量子阱结构（6）和至少一个第二量子阱结构（图2b），用于产生第二波长（7），其是大于的辐射 第一波长（6），并具有主波长（14）辐射的发射被提供，其中在从所述第一波长的方式在第二波长（7）（6）是不同的，一个移动的情况下的主轴长度（14） 第一波长（6）和所述第二波长（7）只改变到预定的最大值。 此外，发射辐射的半导体主体和发射辐射的器件进行了描述。

公开(公告)号：WO2006128407A1

公开(公告)日：2006-12-07

申请号：PCT/DE2006/000447

申请日：2006-03-14

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH ,  JAEGER, Arndt ,  STAUSS, Peter

Inventor： JAEGER, Arndt ,  STAUSS, Peter

IPC: H01L27/146 ,  H01L31/0304 ,  H01L31/103

CPC classification number: H01L31/1035 ,  H01L27/14645

Abstract: Es wird eine Detektoranordnung (10) mit einer Mehrzahl von diskreten Strahlungsdetektoren (1, 2, 3) vorgeschlagen, wobei ein erster Strahlungsdetektor und ein zweiter Strahlungsdetektor der Detektoranordnung jeweils einen Halbleiterkörper (11, 21, 31) mit einem zum Strahlungsempfang und zur Signalerzeugung vorgesehenen aktiven Bereich (12, 22, 32) und jeweils einen, dem jeweiligen Strahlungsdetektor zugeordneten Detektionsbereich aufweisen, bei der der Halbleiterkörper, insbesondere der aktive Bereich, mindestens eines Strahlungsdetektors ein III-V-Halbleitermaterial enthält und/oder bei der der aktive Bereich des ersten Strahlungsdetektors vom aktiven Bereich des zweiten Strahlungsdetektors verschieden ausgeführt ist. Eine derartige Detektoranordnung ist zur Detektion von Strahlung in verschiedenfarbigen Spektralbereichen besonders geeignet.

Abstract translation: 它提出了具有与用于接收的辐射的多个离散的辐射检测器（1，2，3），其中第一辐射检测器和检测器阵列的第二辐射检测器每个都具有一半导体主体（11，21，31）的检测器组件（10）和用于产生信号 具有有源区（12，22，32）和每一个，与所述检测区域相关联的每个辐射检测器，其中，所述半导体主体，尤其是有源区，至少一个辐射检测器包括一III-V族半导体材料和/或其中第一的有效区域 辐射检测器被从第二辐射检测器不同的有源区制成。 这样的检测器装置特别适用于在不同颜色的光谱区域检测放射线。

公开(公告)号：WO2018099781A1

公开(公告)日：2018-06-07

申请号：PCT/EP2017/080035

申请日：2017-11-22

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： TONKIKH, Alexander ,  STAUSS, Peter

IPC: H01L33/00 ,  H01L33/06 ,  H01L33/30

Abstract: Es wird ein strahlungsemittierender Halbleiterkörper (1) mit einer Halbleiterschichtenfolge (2), die einen zur Erzeugung von Strahlung vorgesehenen aktiven Bereich (20), eine n- leitende Halbleiterschicht (21) und eine p-leitende Halbleiterschicht (22) aufweist, angegeben, wobei der aktive Bereich zwischen der n-leitenden Halbleiterschicht und der p- leitenden Halbleiterschicht angeordnet ist und die p-leitende Halbleiterschicht einen ersten Dotierbereich (221) mit einem ersten Dotierstoff und einen zweiten Dotierbereich (222) mit einem vom ersten Dotierstoff verschiedenen zweiten Dotierstoff aufweist. Weiterhin wird ein Verfahren zur Herstellung einer Halbleiterschichtenfolge angegeben.