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    OPTOELEKTRONISCHER HALBLEITERCHIP UND VERFAHREN ZUM HERSTELLEN EINES OPTOELEKTRONISCHEN HALBLEITERCHIPS
    2.
    发明申请
    OPTOELEKTRONISCHER HALBLEITERCHIP UND VERFAHREN ZUM HERSTELLEN EINES OPTOELEKTRONISCHEN HALBLEITERCHIPS 审中-公开

    公开(公告)号：WO2020182545A1

    公开(公告)日：2020-09-17

    申请号：PCT/EP2020/055574

    申请日：2020-03-03

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： GOMEZ-IGLESIAS, Alvaro ,  HIRAI, Asako

    IPC: H01L33/06 ,  H01L33/00 ,  H01L33/02 ,  H01L33/14

    Abstract: Optoelektronischer Halbleiterchip (100), aufweisend - eine Halbleiterschichtenfolge (1) mit einer ersten Schicht (10), einer zweiten Schicht (12) und einer zwischen der ersten Schicht (10) und der zweiten Schicht (12) angeordneten aktiven Schicht (11), und zumindest einen Injektionsbereich (2), wobei - die erste Schicht (10) einen ersten Leitfähigkeitstyp aufweist, - die zweite Schicht (12) einen zweiten Leitfähigkeitstyp aufweist, - die Halbleiterschichtenfolge (1) innerhalb des gesamten Injektionsbereichs (2) den ersten Leitfähigkeitstyp aufweist, wobei - der Injektionsbereich (2) ausgehend von der ersten Schicht (10) die aktive Schicht (11) zumindest teilweise durchdringt, - Seitenflächen (1a) der Halbleiterschichtenfolge (1) zumindest stellenweise durch den Injektionsbereich (2) gebildet sind, und - der Injektionsbereich (2) dazu vorgesehen ist Ladungsträger direkt in die aktive Schicht (11) zu injizieren.

    KANTENEMITTIERENDER HALBLEITERLASER UND VERFAHREN ZU SEINER HERSTELLUNG
    3.
    发明申请
    KANTENEMITTIERENDER HALBLEITERLASER UND VERFAHREN ZU SEINER HERSTELLUNG 审中-公开
    边发射半导体激光器及其制造方法

    公开(公告)号：WO2014202619A1

    公开(公告)日：2014-12-24

    申请号：PCT/EP2014/062741

    申请日：2014-06-17

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： GOMEZ-IGLESIAS, Alvaro ,  KÖNIG, Harald ,  LAUER, Christian

    IPC: H01S5/10 ,  H01S5/32 ,  H01S5/20

    CPC classification number: H01S5/2031 ,  H01S5/1014 ,  H01S5/1082 ,  H01S5/209 ,  H01S5/3213 ,  H01S2301/18

    Abstract: Ein kantenemittierender Halbleiterlaser umfasst eine Halbleiterstruktur (400), die eine Wellenleiterschicht (440) mit einer eingebetteten aktiven Schicht (430) aufweist. Die Wellenleiterschicht erstreckt sich in eine longitudinale Richtung (403) zwischen einer ersten Seitenfacette (401) und einer zweiten Seitenfacette der Halbleiterstruktur. Die Halbleiterstruktur weist einen an die erste Seitenfacette angrenzenden Verjüngungsbereich (100) auf. Im Verjüngungsbereich steigt eine in Wachstumsrichtung (404) und damit senkrecht zur longitudinalen Richtung bemessene Dicke der Wellenleiterschicht entlang der longitudinalen Richtung an bis zu einem Maximalwert (440). Auch die Dicke einer an eine Wellenleiterschicht (420) angrenzenden Mantelschicht (460) kann in entsprechender Weise variieren. Durch den Verjüngungsbereich wird das Intensitätsmaximum der Feldverteilung an der Austrittsfacette (401) aus dem Bereich der aktiven Schicht (430) geschoben um so Schäden an dieser durch COD zu verhindern.

    Abstract translation: 边缘发射半导体激光器包括具有波导层（440）具有嵌入的有源层（430）的半导体结构（400）。 波导层中的第一侧小面（401）和所述半导体结构的第二侧小面之间的纵向方向（403）延伸。 该半导体结构包括邻近于所述第一锥形区域（100）的一侧端面。 在锥形的在生长方向（404），并且因此垂直于沿纵向方向上的波导层的增加的长度方向的尺寸厚度可达的最大值（440）的区域。 另外，波导层（420）相邻的包层（460）的厚度可以以相应的方式变化。 由于该锥形区域，强度最大值在从活性层的区域中的出射面（401）的场分布的（430）被推动，以便防止损坏于此由COD。

    KANTENEMITTIERENDER HALBLEITERLASER
    7.
    发明申请
    KANTENEMITTIERENDER HALBLEITERLASER 审中-公开
    边发射半导体激光器

    公开(公告)号：WO2011051013A1

    公开(公告)日：2011-05-05

    申请号：PCT/EP2010/062416

    申请日：2010-08-25

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH ,  LAUER, Christian ,  GOMEZ-IGLESIAS, Alvaro

    Inventor： LAUER, Christian ,  GOMEZ-IGLESIAS, Alvaro

    IPC: H01S5/10 ,  H01S5/20 ,  H01S5/042 ,  H01S5/32 ,  H01S5/40

    CPC classification number: H01S5/0655 ,  H01S5/02284 ,  H01S5/0425 ,  H01S5/10 ,  H01S5/1082 ,  H01S5/2004 ,  H01S5/2018 ,  H01S5/2036 ,  H01S5/2081 ,  H01S5/2086 ,  H01S5/209 ,  H01S5/3211 ,  H01S5/3213 ,  H01S5/323 ,  H01S5/4031 ,  H01S2301/166 ,  H01S2301/176 ,  H01S2301/18

    Abstract: Es wird ein kantenemittierender Halbleiterlaser mit einem Halbleiterkörper (10) angegeben, der einen Wellenleiterbereich (4) aufweist, wobei der Wellenleiterbereich (4) eine erste Wellenleiterschicht (2A), eine zweite Wellenleiterschicht (2B) und eine zwischen der ersten Wellenleiterschicht (2A) und der zweiten Wellenleiterschicht (2B) angeordnete aktive Schicht (3) zur Erzeugung von Laserstrahlung (17) aufweist, der Wellenleiterbereich (4) zwischen einer ersten Mantelschicht (1A) und einer dem Wellenleiterbereich (4) in Wachstumsrichtung des Halbleiterkörpers (10) nachfolgenden zweiten Mantelschicht (1B) angeordnet ist, in dem Halbleiterkörper (10) eine Phasenstruktur (6) zur Selektion lateraler Moden der von der aktiven Schicht (3) emittierten Laserstrahlung ausgebildet ist, wobei die Phasenstruktur (6) mindestens eine Ausnehmung (7) umfasst, die sich von einer Oberfläche (5) des Halbleiterkörpers (10) in die zweite Mantelschicht (1B) hinein erstreckt, in die zweite Mantelschicht (1B) mindestens eine erste Zwischenschicht (11) aus einem von dem Halbleitermaterial der zweiten Mantelschicht (1B) verschiedenen Halbleitermaterial eingebettet ist, und sich die Ausnehmung (7) von der Oberfläche (5) des Halbleiterkörpers (10) zumindest teilweise bis in die erste Zwischenschicht (11) erstreckt.

    Abstract translation: 提供了一种边发射半导体激光器包括具有波导区域的半导体主体（10）（4），其中，所述波导区（4）包括第一波导层（2A），第二波导层（2B）与第一波导层之间（2A）和 具有第二波导层（2B）（3）为第二包覆层之下产生激光辐射（17），一个第一包层（1A）和在半导体本体（10）的生长方向的波导区域（4）之间的波导区域（4）布置的有源层 （1B）被布置在所述半导体主体（10），一个相结构（6）（3）形成所发射的激光辐射的有源层的横向模式的选择中，所述相位结构（6）包括（7）延伸的至少一个凹部 从表面（5）在所述第二包覆层（1B）的半导体主体（10）的，延伸到第二Mantelschich 吨第二包层（1B）不同的半导体材料的半导体材料中的一个的（1B）嵌入在至少一个第一中间层（11）和所述凹部（7）的表面（5）的半导体主体（10）至少部分地进入所述的 第一中间层（11）。

    OPTOELEKTRONISCHER HALBLEITERCHIP UND DESSEN HERSTELLUNGSVERFAHREN
    9.
    发明申请
    OPTOELEKTRONISCHER HALBLEITERCHIP UND DESSEN HERSTELLUNGSVERFAHREN 审中-公开

    公开(公告)号：WO2020156922A1

    公开(公告)日：2020-08-06

    申请号：PCT/EP2020/051619

    申请日：2020-01-23

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： BEHRINGER, Martin Rudolf ,  VARGHESE, Tansen ,  GOMEZ-IGLESIAS, Alvaro

    IPC: H01L27/15 ,  H01L33/06

    Abstract: In mindestens einer Ausführungsform umfasst der optoelektronische Halbleiterchip (100) eine halbleitende Rekombinationsschicht (1) zur Erzeugung von elektromagnetischer Strahlung durch Ladungsträgerrekombination, eine Mehrzahl von ersten Kontaktelementen (31) auf einer ersten Seite (11) der Rekombinationsschicht, zumindest ein zweites Kontaktelement (32) auf der ersten Seite der Rekombinationsschicht, eine Mehrzahl halbleitender erster Anschlussbereiche (21) und zumindest einen halbleitenden zweiten Anschlussbereich (22). Die ersten Anschlussbereiche sind jeweils zwischen einem ersten Kontaktelement und der ersten Seite der Rekombinationsschicht angeordnet. Der zweite Anschlussbereich ist zwischen dem zweiten Kontaktelement und der ersten Seite der Rekombinationsschicht angeordnet. Die ersten Anschlussbereiche weisen eine Dotierung erster Art auf und der zweite Anschlussbereich weist eine zur Dotierung erster Art komplementäre Dotierung zweiter Art auf. Die ersten Kontaktelemente sind einzeln und unabhängig voneinander elektrisch kontaktierbar.

    HALBLEITERLASER
    10.
    发明申请
    HALBLEITERLASER 审中-公开

    公开(公告)号：WO2019170636A1

    公开(公告)日：2019-09-12

    申请号：PCT/EP2019/055386

    申请日：2019-03-05

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： JENTZSCH, Bruno ,  GOMEZ-IGLESIAS, Alvaro ,  TONKIKH, Alexander ,  ILLEK, Stefan

    IPC: H01S5/02 ,  H01S5/022 ,  H01S5/026 ,  H01S5/16 ,  H01S5/18 ,  H01S5/20 ,  H01S5/32 ,  H01S5/042

    Abstract: In einer Ausführungsform umfasst der Halbleiterlaser (1) eine Halbleiterschichtenfolge (2) sowie elektrische Kontaktflächen (41, 42). Die Halbleiterschichtenfolge (2) beinhaltet einen Wellenleiter (20) mit einer aktiven Zone (25). Ferner beinhaltet die Halbleiterschichtenfolge (2) eine erste und eine zweite Mantelschicht (21, 22), zwischen denen sich der Wellenleiter (20) befindet. An der Halbleiterschichtenfolge (2) ist zumindest eine schräge Facette (31, 32) gebildet, die mit einer Toleranz von höchstens 10° einen Winkel von 45° zu einer Resonatorachse (R) aufweist. Diese Facette (31, 32) bildet eine Reflexionsfläche (30) hin zur ersten Mantelschicht (21) für im Betrieb erzeugte Laserstrahlung (L). Eine Maximaldicke (D) der ersten Mantelschicht (21) liegt zumindest in einem Strahlungsdurchtrittsbereich (50) zwischen einschließlich 0,5 M/n und 10 M/n, wobei n der mittlere Brechungsindex der ersten Mantelschicht (21) und M die Vakuumwellenlänge maximaler Intensität der Laserstrahlung (L) ist.

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