公开(公告)号：EP2798038A4

公开(公告)日：2015-09-23

申请号：EP12848041

申请日：2012-09-14

Applicant: PACIFIC LIGHT TECHNOLOGIES CORP

Inventor： KURTIN JUANITA ,  CARILLO MATTHEW J ,  HUGHES STEVEN ,  THEOBALD BRIAN ,  REESE COLIN ,  PARK OUN-HO ,  MASSON GEORGETA

IPC: C09K11/02 ,  B82B1/00 ,  B82B3/00 ,  C09K11/06 ,  H01L33/00

CPC classification number: H01L33/502 ,  B82Y20/00 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C01B19/007 ,  C01P2002/84 ,  C01P2004/04 ,  C01P2004/10 ,  C01P2004/54 ,  C01P2004/64 ,  C01P2004/80 ,  C09K11/02 ,  C09K11/025 ,  C09K11/565 ,  C09K11/883 ,  H01L33/005 ,  H01L33/06 ,  H01L33/56 ,  H01L2933/0033 ,  H01L2933/0041 ,  H01L2933/005 ,  H01L2933/0083 ,  Y10S977/744 ,  Y10S977/774 ,  Y10S977/824 ,  Y10S977/89 ,  Y10S977/95

Abstract: A composite is provided, comprising a matrix material and a plurality of semiconductor structures cross-linked with, polarity bound by, or tethered to the matrix material, each semiconductor structure comprising:a nanocrystalline core comprising a first semiconductor material;a nanocrystalline shell comprising a second, different, semiconductor material at least partially surrounding the nanocrystalline core; andan insulator layer encapsulating the nanocrystalline shell and core.Further, a method of fabricating a composite is provided.

Abstract translation: 描述了具有嵌入在矩阵中的半导体结构的复合材料。 在一个实例中，复合材料包括基体材料。 多个半导体结构嵌入基体材料中。 每个半导体结构包括由第一半导体材料构成的各向异性纳米晶核。 每个半导体结构还包括由至少部分地围绕各向异性纳米晶核的第二不同的半导体材料组成的纳米晶体壳。 绝缘体层封装每个纳米晶体壳和各向异性纳米晶核心配对。

公开(公告)号：EP2798037A4

公开(公告)日：2015-09-23

申请号：EP12847998

申请日：2012-09-14

Applicant: PACIFIC LIGHT TECHNOLOGIES CORP

Inventor： KURTIN JUANITA ,  REESE COLIN ,  THEOBALD BRIAN ,  MCLAUGHLIN NATHAN ,  CARILLO MATTHEW J ,  PARK OUN-HO ,  MASSON GEORGETA ,  HUGHES STEVEN M ,  MASSON GEORGETA

IPC: C09K11/02 ,  B82B1/00

CPC classification number: H01L33/502 ,  B82Y20/00 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C01B19/007 ,  C01P2002/84 ,  C01P2004/04 ,  C01P2004/10 ,  C01P2004/54 ,  C01P2004/64 ,  C01P2004/80 ,  C09K11/02 ,  C09K11/025 ,  C09K11/565 ,  C09K11/883 ,  H01L33/005 ,  H01L33/06 ,  H01L33/56 ,  H01L2933/0033 ,  H01L2933/0041 ,  H01L2933/005 ,  H01L2933/0083 ,  Y10S977/744 ,  Y10S977/774 ,  Y10S977/824 ,  Y10S977/89 ,  Y10S977/95

Abstract: Composites having semiconductor structures embedded in a matrix are described. In an example, a composite includes a matrix material. A plurality of semiconductor structures is embedded in the matrix material. Each semiconductor structure includes an anisotropic nanocrystalline core composed of a first semiconductor material and having an aspect ratio between, but not including, 1.0 and 2.0. Each semiconductor structure also includes a nanocrystalline shell composed of a second, different, semiconductor material at least partially surrounding the anisotropic nanocrystalline core. An insulator layer encapsulates each nanocrystalline shell and anisotropic nanocrystalline core pairing.

Abstract translation: 描述了具有嵌入在矩阵中的半导体结构的复合材料。 在一个实例中，复合材料包括基体材料。 多个半导体结构嵌入基体材料中。 每个半导体结构包括由第一半导体材料构成的各向异性纳米晶核。 每个半导体结构还包括由至少部分地围绕各向异性纳米晶核的第二不同的半导体材料组成的纳米晶体壳。 绝缘体层封装每个纳米晶体壳和各向异性纳米晶核心配对。