公开(公告)号：CN105144417B

公开(公告)日：2019-04-02

申请号：CN201480023139.6

申请日：2014-04-23

Applicant: PI-克瑞斯托株式会社

Inventor： 竹谷纯一 ,  添田淳史

IPC: H01L51/40 ,  B05C5/02 ,  B05C11/04 ,  H01L21/336 ,  H01L21/368 ,  H01L29/786 ,  H01L51/05

Abstract: 将使有机半导体材料溶解在溶媒中的原料溶液(6)向基板(1)上供给，通过使溶媒蒸发而使有机半导体材料的结晶析出，在基板上形成有机半导体薄膜(7)。使用在一侧面上设有接触面(2a)的端面成形部件(2)；以接触面相对于基板的表面以一定的角度交叉的方式，使端面成形部件对置配置；将原料溶液向基板上供给而形成与接触面接触的原料溶液的液滴(6a)；向作为与基板的表面平行的方向、端面成形部件从液滴远离的方向，使基板和端面成形部件相对移动，并且，一边供给原料溶液以将伴随着相对移动的液滴的大小的变动维持在规定的范围，一边使液滴中的溶媒蒸发而在接触面移动后的基板上形成有机半导体薄膜。通过使用基于液滴形成的溶媒蒸发法的简单的工序，能够制作大面积且具有较高的电荷移动度的有机半导体单结晶薄膜。

公开(公告)号：CN105144417A

公开(公告)日：2015-12-09

申请号：CN201480023139.6

申请日：2014-04-23

Applicant: 国立大学法人大阪大学 ,  PI-克瑞斯托株式会社

Inventor： 竹谷纯一 ,  添田淳史

IPC: H01L51/40 ,  B05C5/02 ,  B05C11/04 ,  H01L21/336 ,  H01L21/368 ,  H01L29/786 ,  H01L51/05

CPC classification number: H01L51/0003 ,  B05C5/02 ,  B05C5/0254 ,  B05C11/028 ,  B05C11/04 ,  C30B19/063 ,  C30B29/58 ,  H01L51/0068 ,  H01L51/0508 ,  H01L51/0558

Abstract: 将使有机半导体材料溶解在溶媒中的原料溶液(6)向基板(1)上供给，通过使溶媒蒸发而使有机半导体材料的结晶析出，在基板上形成有机半导体薄膜(7)。使用在一侧面上设有接触面(2a)的端面成形部件(2)；以接触面相对于基板的表面以一定的角度交叉的方式，使端面成形部件对置配置；将原料溶液向基板上供给而形成与接触面接触的原料溶液的液滴(6a)；向作为与基板的表面平行的方向、端面成形部件从液滴远离的方向，使基板和端面成形部件相对移动，并且，一边供给原料溶液以将伴随着相对移动的液滴的大小的变动维持在规定的范围，一边使液滴中的溶媒蒸发而在接触面移动后的基板上形成有机半导体薄膜。通过使用基于液滴形成的溶媒蒸发法的简单的工序，能够制作大面积且具有较高的电荷移动度的有机半导体单结晶薄膜。