公开(公告)号：WO2008008275A3

公开(公告)日：2008-08-14

申请号：PCT/US2007015539

申请日：2007-07-06

Applicant: PIXELLIGENT TECHNOLOGIES LLC ,  COOPER GREGORY D ,  CHEN ZHIYUN ,  SERPIL GONEN WILLIAMS ,  THOMPSON LARRY F

Inventor： COOPER GREGORY D ,  CHEN ZHIYUN ,  SERPIL GONEN WILLIAMS ,  THOMPSON LARRY F

IPC: G03B27/54

CPC classification number: G03F7/20 ,  G03F7/0043 ,  G03F7/0047 ,  G03F7/2002 ,  G03F7/2022 ,  G03F7/2041 ,  G03F7/2053 ,  Y10T428/24479 ,  Y10T428/31504

Abstract: New routes involving multi-step reversible photo-chemical reactions using two-step techniques to provide non-linear resist for lithography are described in this disclosure. They may provide exposure quadratically dependant on the intensity of the light. Several specific examples, including but not limited to using nanocrystals, are also described. Combined with double patterning, these approaches may create sub-diffraction limit feature density.

Abstract translation: 在本公开中描述了涉及使用两步技术来为光刻提供非线性抗蚀剂的涉及多步可逆光化学反应的新路线。 他们可能会根据光线强度提供二次曝光。 还描述了几个具体的例子，包括但不限于使用纳米晶体。 结合双重图案化，这些方法可能会产生亚衍射极限特征密度。

公开(公告)号：EP2047332A4

公开(公告)日：2009-11-18

申请号：EP07796704

申请日：2007-07-06

Applicant: PIXELLIGENT TECHNOLOGIES LLC

Inventor： COOPER GREGORY D ,  CHEN ZHIYUN ,  SERPIL GONEN WILLIAMS ,  THOMPSON LARRY F

IPC: G03B27/54 ,  G03F7/004

CPC classification number: G03F7/20 ,  G03F7/0043 ,  G03F7/0047 ,  G03F7/2002 ,  G03F7/2022 ,  G03F7/2041 ,  G03F7/2053 ,  Y10T428/24479 ,  Y10T428/31504