公开(公告)号：WO2015061816A9

公开(公告)日：2015-07-02

申请号：PCT/AT2014000195

申请日：2014-10-27

Applicant: PLANSEE SE

Inventor： REINFRIED NIKOLAUS ,  SCHOBER MICHAEL ,  KNABL WOLFRAM ,  WINKLER JÖRG

IPC: C23C14/34

CPC classification number: H01J37/3429 ,  B22F1/0003 ,  B22F3/16 ,  B22F3/17 ,  B22F3/18 ,  B22F3/20 ,  B22F2201/01 ,  B22F2201/10 ,  B22F2201/20 ,  B22F2301/20 ,  C22C27/04 ,  C23C14/14 ,  C23C14/3414 ,  H01J37/342 ,  H01J37/3423 ,  H01J37/3491

Abstract: The invention concerns a sputtering target composed of an Mo alloy containing at least one metal from group 5 of the periodic table, the mean content of group 5 metal being between 5 and 15 at% and the Mo content being ≥ 80 at%. The sputtering target has a mean C / O ratio in (at% / at%) of ≥ 1. The claimed sputtering targets can be produced by shaping and have improved sputtering behaviour.

Abstract translation: 本发明涉及一种由含有周期表的第5组中的至少一种金属的Mo基合金的溅射靶，其中所述第5族金属的平均含量为5〜15原子％，和Mo含量≥80原子％。 的溅射靶的平均C / O比（原子％/原子％）≥的1 本发明的溅射靶可以通过形成和对改进的溅射行为来制备。

公开(公告)号：WO2009056338A3

公开(公告)日：2009-07-30

申请号：PCT/EP2008009217

申请日：2008-10-31

Applicant: PLANSEE SE ,  KNIPPSCHEER SVEN ,  MROTZEK TOBIAS ,  REINFRIED NIKOLAUS

Inventor： KNIPPSCHEER SVEN ,  MROTZEK TOBIAS ,  REINFRIED NIKOLAUS

IPC: H01L23/373

CPC classification number: H01L23/473 ,  H01L23/3732 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: A heat sink module for electronic components or circuits comprises a base that is used for contacting the electronic component or circuit and contains a substrate material, and an internal structure of the base. Said internal structure of the base has a duct structure, through the ducts of which a cooling medium flows. An electrical insulation layer is applied to surface areas of the base and the internal structure which face the cooling medium. A method for producing said module is also disclosed.

Abstract translation: 用于电子部件或电路的散热器模块包括基体，用于与电子元件或电路，其包括一个基底材料，与基体，其中，所述信道通过由冷却介质流入的通道结构内部结构形成的表面接触，以冷却介质的部分 面向身体和Innenstrukur的面向表面的电绝缘层被应用。 还提供了制造模块的方法。

公开(公告)号：AT13602U3

公开(公告)日：2014-08-15

申请号：AT3542013

申请日：2013-10-29

Applicant: PLANSEE SE

Inventor： REINFRIED NIKOLAUS ,  SCHOBER MICHAEL ,  KNABL WOLFRAM ,  WINKLER JÖRG

IPC: C23C14/34 ,  C22C1/04 ,  C22C27/02 ,  C22C27/04

Abstract: Die Erfindung betrifft ein Sputtering Target aus einer Mo-Legierung, die zumindest ein Metall der Gruppe 5 des Periodensystems enthält, wobei der mittlere Gehalt an Gruppe 5 Metall 5 bis 15 At% und der Mo-Gehalt ≥ 80 At% 5 betragen. Das Sputtering Target weist ein mittleres C/O Verhältnis in (At% I At%) von ≥ 1 auf. Die erfindungsgemäßen Sputtering Targets lassen sich durch Umformung herstellen und weisen ein verbessertes Sputterverhalten auf.

公开(公告)号：AT13602U2

公开(公告)日：2014-04-15

申请号：AT3542013

申请日：2013-10-29

Applicant: PLANSEE SE

Inventor： REINFRIED NIKOLAUS ,  SCHOBER MICHAEL ,  KNABL WOLFRAM ,  WINKLER JÖRG

IPC: C23C14/34 ,  C22C1/04 ,  C22C27/02 ,  C22C27/04

Abstract: Die Erfindung betrifft ein Sputtering Target aus einer Mo-Legierung, die zumindest ein Metall der Gruppe 5 des Periodensystems enthält, wobei der mittlere Gehalt an Gruppe 5 Metall 5 bis 15 At% und der Mo-Gehalt ≥ 80 At% betragen. Das Sputtering Target weist ein mittleres C/O Verhältnis in (At% / At%) von ≥ 1 auf. Die erfindungsgemäßen Sputtering Targets lassen sich durch Umformung herstellen und weisen ein verbessertes Sputterverhalten auf.

公开(公告)号：DE112014004949A5

公开(公告)日：2016-07-14

申请号：DE112014004949

申请日：2014-10-27

Applicant: PLANSEE SE

Inventor： REINFRIED NIKOLAUS ,  SCHOBER MICHAEL ,  KNABL WOLFRAM ,  WINKLER JÖRG

IPC: C23C14/34

公开(公告)号：SG11201602431SA

公开(公告)日：2016-04-28

申请号：SG11201602431S

申请日：2014-10-27

Applicant: PLANSEE SE

Inventor： REINFRIED NIKOLAUS ,  SCHOBER MICHAEL ,  KNABL WOLFRAM ,  WINKLER JÖRG

IPC: C23C14/34