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公开(公告)号：WO2015061816A9
公开(公告)日：2015-07-02
申请号：PCT/AT2014000195
申请日：2014-10-27
Applicant: PLANSEE SE
Inventor： REINFRIED NIKOLAUS , SCHOBER MICHAEL , KNABL WOLFRAM , WINKLER JÖRG
IPC: C23C14/34
CPC classification number: H01J37/3429 , B22F1/0003 , B22F3/16 , B22F3/17 , B22F3/18 , B22F3/20 , B22F2201/01 , B22F2201/10 , B22F2201/20 , B22F2301/20 , C22C27/04 , C23C14/14 , C23C14/3414 , H01J37/342 , H01J37/3423 , H01J37/3491
Abstract: The invention concerns a sputtering target composed of an Mo alloy containing at least one metal from group 5 of the periodic table, the mean content of group 5 metal being between 5 and 15 at% and the Mo content being ≥ 80 at%. The sputtering target has a mean C / O ratio in (at% / at%) of ≥ 1. The claimed sputtering targets can be produced by shaping and have improved sputtering behaviour.
Abstract translation: 本发明涉及一种由含有周期表的第5组中的至少一种金属的Mo基合金的溅射靶，其中所述第5族金属的平均含量为5〜15原子％，和Mo含量≥80原子％。 的溅射靶的平均C / O比（原子％/原子％）≥的1 本发明的溅射靶可以通过形成和对改进的溅射行为来制备。
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公开(公告)号：AT14991U1
公开(公告)日：2016-10-15
申请号：AT1132015
申请日：2015-05-08
Applicant: PLANSEE SE
Inventor： EBERHARDT NICO , KNABL WOLFRAM , SCHÖNAUER STEFAN , WUCHERPFENNIG ANDREAS
IPC: H01J35/08
Abstract: Die Erfindung betrifft eine Röntgenanode (10, 11, 12) zur Erzeugung von Röntgenstrahlung, aufweisend einen Trägerkörper (13) und eine erste und mindestens eine zweite Emissionsschicht (14, 15), die beim Auftreffen von Elektronen Röntgenstrahlung erzeugen, dadurch gekennzeichnet, dass die Emissionsschichten (14, 15) auf einer Seite des Trägerkörpers (13) durch eine Zwischenlage (16) getrennt und in einer zentralen Richtung (17) der Röntgenanode beabstandet angeordnet sind.
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公开(公告)号：AT13564U1
公开(公告)日：2014-03-15
申请号：AT262013
申请日：2013-01-31
Applicant: PLANSEE SE
Inventor： LINKE CHRISTIAN , LI JIEHUA , SCHUMACHER PETER , KNABL WOLFRAM , LEICHTFRIED GERHARD
Abstract: Die Erfindung beschreibt ein Sputtertarget aus einer Legierung die aus 5 bis 70at% mindestens eines Elements der Gruppe (Ga, In), sowie 0,1 bis 15at% Na, dem Rest Cu sowie üblichen Verunreinigungen besteht, dadurch gekennzeichnet, dass das Sputtertarget mindestens eine intermetallische Na-enthaltende Phase beinhaltet.
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公开(公告)号：DE112018002660A5
公开(公告)日：2020-03-05
申请号：DE112018002660
申请日：2018-04-26
Applicant: OSRAM GMBH , PLANSEE SE
Inventor： TRAXLER HANNES , WESEMANN INGMAR , KNABL WOLFRAM , TAUTERMANN ALEXANDER , NILIUS MARIA
IPC: H01J9/04 , H01J61/073
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公开(公告)号：AT13602U3
公开(公告)日：2014-08-15
申请号：AT3542013
申请日：2013-10-29
Applicant: PLANSEE SE
Inventor： REINFRIED NIKOLAUS , SCHOBER MICHAEL , KNABL WOLFRAM , WINKLER JÖRG
Abstract: Die Erfindung betrifft ein Sputtering Target aus einer Mo-Legierung, die zumindest ein Metall der Gruppe 5 des Periodensystems enthält, wobei der mittlere Gehalt an Gruppe 5 Metall 5 bis 15 At% und der Mo-Gehalt ≥ 80 At% 5 betragen. Das Sputtering Target weist ein mittleres C/O Verhältnis in (At% I At%) von ≥ 1 auf. Die erfindungsgemäßen Sputtering Targets lassen sich durch Umformung herstellen und weisen ein verbessertes Sputterverhalten auf.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：RU2743722C2
公开(公告)日：2021-02-24
申请号：RU2018135612
申请日：2017-03-23
Applicant: PLANSEE SE
Inventor： TRAXLER HANNES , MARK MICHAEL , SCHIFTNER ROBERT , KNABL WOLFRAM
Abstract: Изобретенияотносятсяк способуполучениякомпонентадляваркистекла, атакжек компонентудляваркистекла. Способполучениякомпонентадляваркистекла, которыйсостоитизтугоплавкогометалла, вкоторомповерхностнуюзонукомпонентадляваркистеклауплотняют, поменьшеймеречастично, путемприложениялокальногосжимающегоусилия. Врезультатееепористостьуменьшаетсяпосравнениюс объемнойчастью, котораярасположенанижеповерхностнойзоныи обладаетостаточнойпористостью. Послеуплотненияповерхностнойзоныкомпонентдляваркистеклаилипоменьшеймереповерхностнуюзонукомпонентадляваркистеклаподвергаюттермообработкепритемпературевышетемпературырекристаллизациитугоплавкогометалла, такчтовызываютростзеренв поверхностнойзоне. Техническийрезультат - обеспечениеспособаполучениякомпонентадляваркистекла, состоящегоизтугоплавкогометалла, обладающегоповышеннойстойкостьюк расплавамстекла. 3 н. и 11 з.п. ф-лы, 5 табл., 10 ил.
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公开(公告)号：AT14990U1
公开(公告)日：2016-10-15
申请号：AT1122015
申请日：2015-05-08
Applicant: PLANSEE SE
Inventor： EBERHARDT NICO , KNABL WOLFRAM , SCHÖNAUER STEFAN , WUCHERPFENNIG ANDREAS
IPC: H01J35/10
Abstract: Die Erfindung betrifft eine Drehanode (11) zur Erzeugung von Röntgenstrahlung mit einem Grundkörper (15), der eine erste Seite (17) und einer der ersten Seite gegenüberliegenden, zweiten Seite (19) aufweist. An der ersten Seite des Grundkörpers ist mindestens ein erster Brennbahnbelag (27a) angeordnet und an der zweiten Seite des Grundkörpers ist mindestens ein zweiter Brennbahnbelag (27b) angeordnet. Weiters ist am Grundkörper der Drehanode im Bereich der Rotationsachse der Drehanode ein Montageabschnitt (23) ausgebildet, der der Befestigung des Grundkörpers an einer Anodenwelle (13) dient. Der Montageausschnitt erlaubt eine beidseitige Befestigung der Drehanode an der Anodenwelle.
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公开(公告)号：DE112014004949A5
公开(公告)日：2016-07-14
申请号：DE112014004949
申请日：2014-10-27
Applicant: PLANSEE SE
Inventor： REINFRIED NIKOLAUS , SCHOBER MICHAEL , KNABL WOLFRAM , WINKLER JÖRG
IPC: C23C14/34
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公开(公告)号：SG11201602431SA
公开(公告)日：2016-04-28
申请号：SG11201602431S
申请日：2014-10-27
Applicant: PLANSEE SE
Inventor： REINFRIED NIKOLAUS , SCHOBER MICHAEL , KNABL WOLFRAM , WINKLER JÖRG
IPC: C23C14/34
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公开(公告)号：ES2613816T3
公开(公告)日：2017-05-26
申请号：ES12709493
申请日：2012-01-17
Applicant: PLANSEE SE
Inventor： EITER JOHANN , SCHATTE JÜRGEN , GLATZ WOLFGANG , KNABL WOLFRAM , LEICHTFRIED GERHARD , SCHÖNAUER STEFAN
IPC: H01J35/10
Abstract: Ánodo giratorio de rayos X que presenta un cuerpo de soporte (14) y una pista focal (16), configurada sobre el cuerpo de soporte (14), estando fabricados como compuesto el cuerpo de soporte (14) y la pista focal (16) mediante pulvimetalurgia, estando formado el cuerpo de soporte (14) por molibdeno o una aleación a base de molibdeno y estando formada la pista focal (16) por wolframio o una aleación a base de wolframio, caracterizado por que en el ánodo giratorio de rayos X (10), tratado por último con calor, al menos una sección de la pista focal (16) está presente en una estructura no recristalizada y/o en una estructura parcialmente recristalizada y por que la sección de la pista focal (16) presenta una distancia de límite de grano de ángulo pequeño promedio de =5º en una superficie de sección transversal radial que discurre en perpendicular al plano de la pista focal, - para la determinación de la distancia de límite de grano de ángulo pequeño promedio en paralelo al plano de la pista focal se coloca en el patrón de límite de grano (32), resultante de esta manera, un grupo de líneas (34) que discurre en paralelo a la superficie de sección transversal y está formado por líneas que discurren respectivamente en paralelo al plano de la pista focal y presentan en cada caso una distancia respectiva entre sí de 17,2 μm, en las líneas individuales se determinan respectivamente las distancias entre dos puntos de intersección contiguos entre sí de la respectiva línea con líneas del patrón de límite de grano (32) y el valor promedio de estas distancias se determina como distancia de límite de grano de ángulo pequeño promedio en paralelo al plano de la pista focal, - para la determinación de la distancia de límite de grano de ángulo pequeño promedio en perpendicular al plano de la pista focal se coloca en el patrón de límite de grano obtenido (32) un grupo de líneas (36) que discurre en paralelo a la superficie de sección transversal y está formado por líneas que discurren respectivamente en perpendicular al plano de la pista focal y presentan en cada caso una distancia respectiva entre sí de 17,2 μm, en las líneas individuales se determinan respectivamente las distancias entre dos puntos de intersección contiguos entre sí de la respectiva línea con líneas del patrón de límite de grano (32) y el valor promedio de estas distancias se determina como distancia de límite de grano de ángulo pequeño promedio en perpendicular al plano de la pista focal, y - la distancia de límite de grano de ángulo pequeño promedio se determina como valor promedio geométrico de la distancia de límite de grano de ángulo pequeño promedio en paralelo al plano de la pista focal y de la distancia de límite de grano de ángulo pequeño promedio en perpendicular al plano de la pista focal.
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